应用于治疗面疱的光疗器及其中使用的发光二极管制造技术

一种应用于治疗面疱的光疗器，其特征在于：所述光疗器包含：　　　　一主体；　　　　一照射部，设于上述主体，上述照射部为具有波长可治疗面疱的照射部。　　　　一可显示上述照射部照射的累加次数的显示装置设于上述主体。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及到一种光疗器，特别是一种应用于治疗面疱的光疗器，以应用于该光疗器的发光二极管。
技术介绍
痤疮杆菌(propionibacterium acne)会造成面疱，以波长400～450nm的光线照射后，可抑制痤疮杆菌，其中以波长400～420nm的光线对抑制痤疮杆菌的效果最佳，但是波长400～450nm的光线会使皮肤变黑(tanning)产生黑色素，因此利用波长400～450nm治疗面疱时需精确控制各种光参数(Optical parameter)，例如照射的光剂量、照射时间等；波长450～630nm对抑制痤疮杆菌也稍微有效；波长630～890nm的光线具促进伤口愈合与减低皱纹的作用。美国专利第US 5 549660公告号的专利，是利用红光的发光二极管治疗面疱，但是红光对位于皮肤较深部位的痤疮杆菌的抑制效果较差，同时其治疗时间较长，会增加皮肤结疤的机率。美国专利第US 6 641600公告号的专利，是利用灯管发出400～450nm与589～659nm的光线治疗面疱，但是血液会吸收大量波长400～450nm的光线，因此若以波长400～450nm的光线无法穿透到较深层的皮肤，导致其治疗时间较长，会增加皮肤结疤的机率。台湾专利第TW511514公告号的专利，是利用400～420nm的蓝光发光二极管和640～890nm的红光发光二极管治疗面疱，其缺陷是，照射面距离发光二极管矩阵0.5～1公分以上，才能达到蓝、红光均匀混合的程度。美国专利第US 2 0030216795A1公开号的专利，是利用波长为400～450nm的光线抑制面疱的痤疮杆菌，但是此装置的体积大，导致使用不方便。美国专利第US 5 968033公告号的专利，是一种激光装置，其利用圆锥面(coniform section)压触(push-to-close-type switch)近接开关，使近接开关控制激光，其中该激光必须经(optical lens)镜片聚焦。美国专利第US5360426公告号的专利，是一种激光装置，其利用设置于握把表面(outer surface of said holder)的压力传感器(pressure sensor)控制激光。台湾专利第TW561896公告号的专利，是利用光传感器使光源发射光线治疗皮肤与计算治疗时间，其缺点为波长400～450nm的光线无法穿透到较深层的皮肤，导致其治疗时间较长，会增加皮肤结疤的机率，其虽有液晶显示面板以显示照射时间，却无法显示照射的累加次数，为其不足之处。美国专利第US 5 968033公告号的专利，是一种光疗装置，是于一握把内设置一球型镜片，将光线传导到球型镜片，同时利用球型镜片压入皮肤，以提高光线与皮肤的耦合效率，一弹簧置于球型镜片后方，利用弹簧受力的程度控制光线耦合入皮肤的剂量，但是其球型镜片会滚动，同时脸为凹凸不平的形状，因此不适合于脸上使用，特别是用在鼻子或靠近眼睛部位，同时前额的皮肤较薄，因此也不适合使用于前额。EP0885629，利用一种高亮度灯源(flash lamp)，同时利用导光管(lightguide)将光线传导到皮肤，该导光管前端为一凸状端(a convex curved end)，利用该凸状端将血红素(haemoglobin)压离治疗部位，以提高光线穿透率。WO03028807，利用设于前端(Tip end)的柱状电极(Cylindricalelectrode)，利用该电极与皮肤的接触与否控制激光二极管的光源。JP2003024458，是于探头前端(Tip of the probe)装设接触开关(Contactsensors)，利用接触开关与皮肤的接触来控制光源的开与关。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种具较佳治疗面疱效果的光疗器，利用照射部压入皮肤，以提供较佳治疗效果。本技术要解决的另一技术问题是提供一种治疗面疱的光疗器，具有一显示装置，可显示固态光源照射的累加次数，以控制照射皮肤的光剂量。本技术要解决的再一技术问题是提供一种治疗面疱的光疗器，可避免眼睛受到光线照射的光疗器，利用遮光罩选择光线照射面积，避免眼睛受到不必要的光线照射。本技术要解决的又一技术问题是提供一种治疗面疱的发光二极管，于发光二极管主体设置第一芯片与第二芯片，以提高治疗效果。为此本技术一种应用于治疗面疱的光疗器，其中所述光疗器包含一主体；一照射部，设于上述主体，上述照射部为具有波长可治疗面疱的照射部。一可显示上述照射部照射的累加次数的显示装置设于上述主体。如上所述的光疗器，蜂鸣器设于上述主体。一种应用于治疗面疱的光疗器，所述光疗器包含一主体；一照射部，设于上述主体，上述照射部为具有波长可治疗面疱的照射部；至少一触发装置，设于上述主体。如上所述的光疗器，上述触发装置由极限开关组成。如上所述的光疗器，一可显示上述照射部照射的累加次数的显示装置设于上述主体。一种应用于上述治疗面疱的光疗器的发光二极管，包括一发光二极管主体；至少一第一晶粒，该第一晶粒设于上述发光二极管主体，上述第一晶粒为具有波长可治疗面疱的晶粒；至少一第二晶粒，该第二晶粒设于上述发光二极管主体。如上所述的治疗面疱的光疗器的发光二极管，所述发光二极管包括一支架散热块设于发光二极管主体，上述支架散热块上设有一凹陷部；两弯折支架，该弯折支架由散热块两侧延伸，上述支架散热块的厚度比两侧延伸的上述弯折支架厚，上述发光二极管主体封设结合上述支架散热块及上述第一晶粒，而上述支架散热块底面外露于上述发光二极管主体外，上述支架散热块两侧各延伸的上述弯折支架亦延伸外露上述发光二极管主体外。如上所述的治疗面疱的光疗器的发光二极管，所述发光二极管包括第一接脚与第二接脚，所述第一接脚、第二接脚与上述第一晶粒连接；一支架设于上述第一接脚、上述第二接脚之间，上述支架的端面包含上述第一晶粒，上述支架延伸于上述发光二极管主体的外部。一种应用于治疗面疱的光疗器，包括一主体；一套子，设于上述主体，上述套子的侧边为不透光层，其中央为透光层；一照射部，设于上述套子的下方，上述照射部为具有波长可治疗面疱的照射部。一种光疗器，其包含一主体；一照射部，设于上述主体；至少一触发装置，上述触发装置设于上述照射部的下方。本技术提出的治疗面疱的光疗器由于在光疗器主体上设置了可显示固态光源照射的累加次数，及每次照射时间的显示装置，从而克服了公知技术存在的缺陷，在精确控制治疗时间、有效地控制照射皮肤的光剂量提高疗效的同时，不损伤皮肤。本技术的光疗器藉由在照射部上设置遮光罩，可选择光线照射面积，并可避免眼睛受到不必要的光线照射，且该光疗器的照射部可压入皮肤，进一步提高了治疗效果。本技术提出的应用于上述光疗器的发光二极管，其主体包含第一晶粒与第二晶粒，第一晶粒与第二晶粒较佳由不同疗效的波长组成，使第一晶粒与第二晶粒的光线混合，使光线分布较均匀，从而提高了治疗作用。且第一晶粒与第二晶粒使发光二极管具有高电压低电流的特性，并可有效降低晶粒所发出的热量，提高了晶粒发出的光的功率，提高治疗作用。附图说明图1是本技术的立体外观图；图2是本技术的局部剖视图；图3是本技术的使用状态图；图4是本技术的另一实施例图；图5是本技术的另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石宇庆，
申请(专利权)人：石宇庆，
类型：实用新型
国别省市：