温棚池制造技术

技术编号:13611784 阅读:97 留言:0更新日期:2016-08-29 07:15
本实用新型专利技术涉及一种温棚池,其特征在于,该温棚池包括池体和与该池体密封连接的透光罩,该池体包括池壁和梯度池底,该梯度池底包括多个水平池底和多个与所述多个水平池底倾斜的斜面。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及卤水开发利用的装置,尤其涉及一种温棚池
技术介绍
利用太阳池作为结晶池从碳酸盐型卤水中结晶析出碳酸锂是当前卤水提锂的工艺之一。如图3所示,传统太阳池自上而下包括上对流层1、非对流层2(盐度梯度层)、下对流层3,上对流层1一般为淡水(或稀卤水),用于保持池中卤水盐度梯度和抗风力扰动的作用;非对流层2存在由上至下的盐度梯度和温度梯度,是太阳池的保温层;下对流层3由高浓度的盐溶液组成,主要作用是集热和蓄热,用来采集储存太阳能。在太阳池中,由于非对流层2的盐度梯度的存在,将阻止热对流的发生,并保持太阳池的热稳定性。在这种情况下,下对流层3的热量只能以热传导的方式传递到池表面,而非对流层2水层很厚,一般深度可达1~1.5m,具有较好的隔热性能,下对流层3的温度可以达到50℃。利用传统太阳池从碳酸盐型卤水中结晶析出碳酸锂过程中,当从外界来的低温富锂碳酸盐卤水导入下对流层3,由于上对流层1和非对流层2的作用,使得下对流层3的富锂碳酸盐卤水保持在较高温度环境下,由于碳酸锂溶解度的负温度效应,从而在下对流层3中逐渐析出碳酸锂结晶体。然而,利用传统太阳池从碳酸盐型卤水中结晶析出碳酸锂过程中,存在以下不足:首先,由于传统太阳池中低温富锂碳酸盐卤水在下对流层3中依靠上对流层1和非对流层2的作用进行蓄热、保温,这样碳酸锂的析出速度较慢,产率低。其次,传统太阳池不是封闭性结构,当外界温度较低时,上对流层1会结冰,从而影响太阳能向下传输,从而影响非对流层2的盐度梯度和保温效果,这样下对流层3便不能维持较高的温度,从而影响碳酸锂的结晶析出。再
次,传统太阳池受外界气温影响较大,不能全年运行,限制了碳酸锂的产量。再其次,上对流层1极易受到大风、沙尘影响而被破坏,或多或少地丧失保温和与非对流层2的盐度梯度效果。因此,改进太阳池的结构,提高太阳池对碳酸锂的结晶速度,延长太阳池的年运行时间,从而缩短碳酸锂的结晶周期是碳酸锂盐湖提锂工艺技术发展的方向之一。
技术实现思路
本技术旨在提供一种运行温度高、全年可操作的用于碳酸盐湖卤水提锂的温棚池。一种温棚池包括池体和与该池体密封连接的透光罩,该池体包括池壁和梯度池底,该梯度池底包括多个水平池底和多个与所述多个水平池底倾斜的斜面。可选地,所述池体包括第一池壁、与该第一池壁相对的第二池壁、连接该第一池壁和第二池壁的两个第三池壁,所述第一池壁的宽度大于所述第二池壁的宽度,所述第二池壁的深度大于所述第一池壁的深度。可选地,所述池体的深度自第一池壁到第二池壁的方向逐渐变深。可选地,所述第一池壁设置多个入水口,所述第二池壁设置多个出水口。可选地,所述池体具有多个靠近入水口区域的由大面积水平池底形成的大面积浅池,所述池体具有多个靠近出水口区域的由多个小面积水平池底形成的小面积深池。可选地,所述大面积浅池为换热池,所述小面积深池为保温池。可选地,所述多个入水口平行间隔设置于所述第一池壁。可选地,所述第二池壁设置两个出水口,每一出水口倾斜设置于第二池壁和第三池壁的交接处,该两个出水口相对于第二池壁排布成“八”字型。可选地,所述透光罩包括透光罩体和固定架,所述固定架固定于所述池体的边缘,所述透光罩体为双层结构。可选地,所述透光罩体包括外层、内层和介于外层和内层之间的集热腔,
该外层为透光板,用于吸收外界的太阳光;该内层为集热板,该集热腔形成于该透光板和集热板之间。与现有技术相比,本技术具有以下优点:首先,本技术的温棚池设置有梯度池底结构,梯度池底的多个水平池底相当于多个换热区域,低温富锂碳酸盐型卤水进入池体后会沿着池体的长度方向自左向右依次进入各个换热区域,由于多个水平池底的面积自左向右依次逐渐减小,因此,进入第一个水平池底的低温富锂碳酸盐型卤水会迅速进行大面积、大范围的换热反应,从而低温富锂碳酸盐型卤水的温度会迅速升高,这样碳酸锂也会迅速结晶析出;随着卤水继续沿池体长度方向向出水口方向流动,卤水温度也会逐渐升高,碳酸锂也会在各个水平池底陆续析出;当卤水流动至靠近出水口的多个水平池底区域时,由于靠近出水口多个水平池底面积比较小,且深度较深,此区域的温度比较高而稳定,因此低温富锂碳酸盐型卤水大部分是在此区域进行结晶析出。显然,这样梯度池底的结构设计,使得低温富锂碳酸盐型卤水进入温棚池后快速换热、快速升温,从而快速得到碳酸锂结晶体,大大提升碳酸锂的析出速率。其次,温棚池设置有透光罩,其透光罩体为双层结构,具有很好的集热、蓄热效果,且可避免外部风沙等杂质引入池体,避免碳酸锂结晶体中引入杂质。最后,由于温棚池中池体的阶梯池底的结构设计以及透光罩的结合利用,使得温棚池内相对于外界保持较高的温度,通常情况下,在中国西部高原地区设置本技术的温棚池,无论季节如何变化,温棚池内的温度相对于外界温度高出30℃~50℃。在中国西部高原地区,温棚池内的温度全年可以维持在20℃~80℃之间。这样,利用此温棚池从富锂碳酸盐型卤水中进行碳酸锂盐的沉积工艺可以在一年中任何时候进行操作,即可以全年运行。附图说明图1为本技术的温棚池的示意图。图2为本技术的温棚池的横截面示意图。图3为现有技术的太阳池。温棚池 1池体 10透光罩 20第一池壁 11第二池壁 12第三池壁 13水平池底 14斜面 15入水口 16出水口 17碳酸锂结晶体 30具体实施方式为使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,对本技术进行详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。本技术提供一种用于将碳酸盐型硼锂盐湖卤水中有益元素进行提取的温棚池1。温棚池1的工作原理:盐湖卤水在蒸发结晶过程中,各种盐逐步达到其饱和溶解度后从卤水中结晶析出。在碳酸盐型硼锂盐湖卤水中,碳酸锂是具有负温度效应溶解度的盐,其它盐具有正温度效应,因此,可在碳酸锂即将达到其饱和溶解度时,将卤水引入温棚中使其升高温度,这时候,不论其它盐类在升高温度前是否达到饱和,都将由于温度升高而溶解度升高,在卤水中更加远离其溶解度,因此不会结晶析出;碳酸锂则从饱和达到更高的过饱和度,
从而大量结晶析出。一般来讲,20~30℃的温度差会造成碳酸锂30%左右的溶解度差,即在盐田中接近饱和的碳酸锂卤水,经过温棚池后,将结晶析出30%左右的碳酸锂,且温度差越大,碳酸锂的结晶析出率越高。经过温棚池后再次进入盐田的卤水其碳酸锂由于温度降低,溶解度增大,只有蒸发掉碳酸锂在温棚中的析出率部分后才会再次达到饱和,而其它盐在温度降低后的蒸发浓缩过程中,结晶析出。因此,通过多次温棚池过程,温棚中收获碳酸锂,盐田中收获硼砂、氯化钾等其它盐。从理论上说,温棚池中会得到纯的碳酸锂,但由于温棚中存在蒸发,会有部分盐析出,降低获得的碳酸锂的品位。从实践看,温棚系统与系统外温差常年可保持在30℃~50℃,因此,温棚可全年用于生产碳酸锂。下面结合温棚池1的结构对温棚池1的功能及作用进行详细描述。如图1所示,温棚池1包括用于容纳卤水的池体10以及用于集热、保温的透光罩20,透光罩20密封池体10的开口,从而,温棚池1形成一个密封的结构。池体10具有特定的宽度和深度特征,即,沿池体10的长度方向,池体10本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种温棚池,其特征在于,该温棚池包括池体和与该池体密封连接的透光罩,该池体包括池壁和梯度池底,该梯度池底包括多个水平池底和多个与所述多个水平池底倾斜的斜面。

【技术特征摘要】
1.一种温棚池,其特征在于,该温棚池包括池体和与该池体密封连接的透光罩,该池体包括池壁和梯度池底,该梯度池底包括多个水平池底和多个与所述多个水平池底倾斜的斜面。2.如权利要求1所述的温棚池,其特征在于:所述池体包括第一池壁、与该第一池壁相对的第二池壁、连接该第一池壁和第二池壁的两个第三池壁,所述第一池壁的宽度大于所述第二池壁的宽度,所述第二池壁的深度大于所述第一池壁的深度。3.如权利要求2所述的温棚池,其特征在于:所述池体的深度自第一池壁到第二池壁的方向逐渐变深。4.如权利要求2所述的温棚池,其特征在于:所述第一池壁设置多个入水口,所述第二池壁设置多个出水口。5.如权利要求4所述的温棚池,其特征在于:所述池体具有多个靠近入水口区域的由大面积水平池底形成的大面积浅池,所述池体具有多个靠近出水口区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员:董亚萍李武曾云朱贤麟刘鑫胡斌李东东高丹丹边绍菊彭娇玉杨小平黄维农
申请(专利权)人:中国科学院青海盐湖研究所西藏国能矿业发展有限公司
类型:新型
国别省市:青海;63

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