一种制备富受主型ZnO微米管的方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料和光学技术领域，是一种制备富受主型ZnO微米管的方法。其以ZnO粉末为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将该棒放入提拉旋转烧结炉中烧结为陶瓷棒；将陶瓷棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤素灯输出功率为900‑1050W/h，通入速率氧气/空气，保温一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出富受主型ZnO微米管，受主态长效稳定，为p型ZnO材料的制备提供了新的思路，同时该微米管尺寸较大，形貌完整，具有规则六边形截面，并且具有新颖的室温光致发光特性。

【技术实现步骤摘要】
201610366213

【技术保护点】
一种制备富受主型ZnO微米管的方法，其特征在于,包括下列步骤：(1)将ZnO粉料球磨烘干后过200目筛；(2)过200目筛后的粉料装入长条橡胶气球中压实、封闭、抽真空，在70MPa等静压下制成粗细、致密均匀的素坯棒；(3)将素坯棒在提拉旋转烧结炉中700℃保温10h烧结得到陶瓷棒；陶瓷棒直径为0.8‑1cm；(4)将陶瓷棒顶部磨成圆锥状，圆锥高度为0.5‑1cm，然后将陶瓷棒绑于光学浮区炉下旋转杆托槽处，安装上石英管，调节旋转杆使陶瓷棒处于卤素灯光聚焦区域，设置陶瓷棒旋转速率为10rpm，浮区炉卤素灯输出功率为900‑1050W/h，升温时间为0.5h，通入速率为2L/min的氧气/空气，保温时间为0.1‑2.5h，在陶瓷棒顶部逐渐生成ZnO微米管；(5)设置降温时间为0.3h，将生长的微米管冷却至室温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫胤洲，王强，蒋毅坚，曾勇，胡硕鹏，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11