一种有效增加PN结结面积的芯片结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种可以有效增加PN结结面积的芯片结构及其制造方法，属于半导体技术领域。其芯片结构包括芯片本体，芯片本体包括衬底层以及在衬底层其中一面或两面同时掺杂形成与衬底层导电类型相反的重掺杂层，重掺杂层与衬底层相交处形成PN结，PN结裸露处覆盖有钝化层，芯片本体的上下表面均覆盖有金属层；所述PN结为若干呈U型的曲面结正反首尾相连而成，其中U型曲面结的中部为平面结。本发明专利技术通过将原有的平面PN结设计为由多个具有U型结构构成的曲面结，在不增加原有芯片本体尺寸的前提下，有效增大了PN结的面积，从而在不增加制造成本的基础上达到增大芯片额定电流的目的。

【技术实现步骤摘要】
201610409498

【技术保护点】
一种有效增加PN结结面积的芯片结构，其特征在于：包括芯片本体，芯片本体包括衬底层以及在衬底层其中一面或两面同时掺杂形成与衬底层导电类型相反的重掺杂层，重掺杂层与衬底层相交处形成PN结，PN结裸露处覆盖有钝化层，芯片本体的上下表面均覆盖有金属层；所述PN结为若干呈U型的曲面结正反首尾相连而成，其中U型曲面结的中部为平面结。

【技术特征摘要】
1.一种有效增加PN结结面积的芯片结构，其特征在于：包括芯片本体，芯片本体包括衬底层以及在衬底层其中一面或两面同时掺杂形成与衬底层导电类型相反的重掺杂层，重掺杂层与衬底层相交处形成PN结，PN结裸露处覆盖有钝化层，芯片本体的上下表面均覆盖有金属层；所述PN结为若干呈U型的曲面结正反首尾相连而成，其中U型曲面结的中部为平面结。2.根据权利要求1所述的一种有效增加PN结结面积的芯片结构，其特征在于：所述芯片本体的上表面设有凸台，凸台表面等距间隔设有若干凹坑，PN结裸露于凸台的侧面，凸台的侧面以及凸台边缘覆盖有钝化层。3.根据权利要求1所述的一种有效增加PN结结面积的芯片结构，其特征在于：所述芯片本体的上表面和下表面均设有凸台，上表面凸台和下表面凸台的表面对称设有等距间隔的若干凹坑，第一PN结裸露于上表面凸台的侧面，第二PN结裸露于下表面凸台的侧面，上表面凸台的侧面以及凸台的边缘覆盖有钝化层，下表面凸台的侧面以及凸台的边缘覆盖有钝化层。4.根据权利要求2或3所述的一种有效增加PN结结面积的芯片结构，其特征在于：所述凹坑的横截面形状为方形或圆形或六边形或环形。5.根据权利要求1所述的一种有效增加PN结结面积的芯片结构，其特征在于：所述芯片本体的上下表面均为平面结构，PN结裸露于其中一个表面上。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢晓东，保爱林，
申请(专利权)人：浙江明德微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33