纳米CuSbS2材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米CuSbS2材料的制备方法，将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐，球磨罐密封后放入在手套箱里，充满惰性气体除去原材料中的氧气；将球磨罐安装在球磨机上进行机械球磨，30min后得到半导体化合物CuSbS2纳米晶。所制得的二硫锑铜纳米晶化学成分均匀、结构单一，表面没有杂质等覆盖物，很好的显示了材料的本征物理性能。由于其良好的光电性能，使其能成为一种可实用化的光电器件材料，如可用于红外探测、红外遥感、红外传感等领域。此外具有制备工艺简单、原料易得且价格便宜、属于对环境友好型，且可实现大批量生产等优点。

【技术实现步骤摘要】
201610300035

【技术保护点】
CuSbS2纳米晶体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐，球磨罐密封后放入在手套箱里，充满惰性气体除去原材料中的氧气；2)将球磨罐安装在球磨机上进行机械球磨，调整球磨机马达的运转速率为1200r/min以上，30min后得到半导体化合物CuSbS2纳米晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭国龙，徐期树，盛号号，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42