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太阳能发电装置制造方法及图纸

技术编号:13537246 阅读:81 留言:0更新日期:2016-08-17 09:45
本发明专利技术公开了一种太阳能发电装置,包括多个薄膜太阳能电池、M个N型半导体、M个P型半导体、导热水管、蓄电池单元、控制器单元、4M个温度传感器、水泵、N个电控阀门、N个水管;所述的N型半导体、P型半导体均呈“工”字型;所述的导热水管的截面呈方形;所述的N个水管的长度不相同,长度范围在5米到200米之间;所述的N型半导体和P型半导体间隔排列,并且相邻的N型半导体和P型半导体之间串联;所述的多个薄膜太阳能电池串联,然后与N型半导体和P型半导体串联,最后给蓄电池单元充电;本发明专利技术将太阳能发电和温差发电有效的结合,提供了一种利用太阳能和地热能的非常有效技术方案,发电效率更高。

【技术实现步骤摘要】
201610297171

【技术保护点】
太阳能发电系统,其特征在于,包括多个太阳能发电装置;所述的太阳能发电装置包括多个薄膜太阳能电池、M个N型半导体、M个P型半导体、导热水管、蓄电池单元、控制器单元、4M个温度传感器、水泵、N个电控阀门、N个水管;其中,M≥6,N≥3;所述的N型半导体、P型半导体均呈“工”字型;所述的导热水管的截面呈方形;所述的N个水管的长度不相同,长度范围在5米到200米之间;所述的N型半导体和P型半导体间隔排列,并且相邻的N型半导体和P型半导体之间串联;所述的多个薄膜太阳能电池串联,然后与N型半导体和P型半导体串联,最后给蓄电池单元充电;多个薄膜太阳能电池设置于N型半导体、P型半导体的上表面,并且薄膜太阳能电池与N型半导体、P型半导体的接触面绝缘;所述的导热水管的外表面与N型半导体、P型半导体的下表面绝缘接触;N型半导体、P型半导体的上表面和下表面均设置温度传感器,温度传感器与控制器单元电连接;所述的N个水管均垂直于地面,并且设置于地面以下;所述的水管分别通过电控阀门连接水泵的进水口,水泵的出水口连接导热水管的进水口;所述的电控阀门的控制端均连接控制器单元的IO端口,同时控制器单元控制水泵的启动和停止。所有太阳能发电装置的蓄电池单元并联后通过DC/AC单元连接电网。...

【技术特征摘要】
1.太阳能发电系统,其特征在于,包括多个太阳能发电装置;所述的太阳能发电装置包括多个薄膜太阳能电池、M个N型半导体、M个P型半导体、导热水管、蓄电池单元、控制器单元、4M个温度传感器、水泵、N个电控阀门、N个水管;其中,M≥6,N≥3;所述的N型半导体、P型半导体均呈“工”字型;所述的导热水管的截面呈方形;所述的N个水管的长度不相同,长度范围在5米到200米之间;所述的N型半导体和P型半导体间隔排列,并且相邻的N型半导体和P型半导体之间串联;所述的多个薄膜太阳能电池串联,然后与N型半导体和P型半导体串联,最后给蓄电池单元充电;多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:俞亮芽
申请(专利权)人:俞亮芽
类型:发明
国别省市:安徽;34

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