应用在超材料制备中的光刻仪制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用在超材料制备中的光刻仪，该光刻仪包括：用于将接收的激光束分为两束以上相干光并输出的分束器；用于接收并调整两束以上相干光中的至少一束第一相干光的相位并对调整相位后的至少一束第一相干光进行输出的普克尔斯盒；其中，普克尔斯盒所输出的至少一束第一相干光与分束器所输出的未被普克尔斯盒接收调整的第二相干光在基板上发生干涉从而在基板上形成微结构图案。本实用新型专利技术通过采用激光干涉形成的周期性图案，能够简化制造工艺；通过采用普克尔斯盒进行光程差调节，使得光相干光在干涉处的光强度高形成干涉图案，并实现干涉图案的精准移动，不仅提高了制备效率还提高了图案的制造精准度。

【技术实现步骤摘要】
201620270066

【技术保护点】
一种应用在超材料制备中的光刻仪，其特征在于，包括：用于将接收的激光束分为两束以上相干光并输出的分束器；用于接收并调整所述两束以上相干光中的至少一束第一相干光的相位并对调整相位后的所述至少一束第一相干光进行输出的普克尔斯盒；其中，所述普克尔斯盒所输出的所述至少一束第一相干光与所述分束器所输出的未被所述普克尔斯盒接收调整的第二相干光在基板上发生干涉从而在基板上形成微结构图案。

【技术特征摘要】
1.一种应用在超材料制备中的光刻仪，其特征在于，包括：
用于将接收的激光束分为两束以上相干光并输出的分束器；
用于接收并调整所述两束以上相干光中的至少一束第一相干光的相位
并对调整相位后的所述至少一束第一相干光进行输出的普克尔斯盒；
其中，所述普克尔斯盒所输出的所述至少一束第一相干光与所述分束
器所输出的未被所述普克尔斯盒接收调整的第二相干光在基板上发生干涉
从而在基板上形成微结构图案。
2.根据权利要求1所述的光刻仪，其特征在于，进一步包括：
在所述至少一束第一相干光与所述第二相干光在所述基板上发生干涉
时用于控制所述基板移动从而在所述基板上形成所述微结构图案的第一控
制器。
3.根据权利要求1所述的光刻仪，其特征在于，进一步包括：
用于接收所述第二相干光作衰减处理并将衰减处理后的第二相干光输
出至所述基板上的光衰减器。
4.根据权利要求3所述的光刻仪，其特征在于，进一步包括：
用于对所述普克尔斯盒输出的所述第一相干光和对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44