当前位置: 首页 > 专利查询>东南大学专利>正文

栅缝地同轴馈电电容加载阶跃阻抗的三极化槽缝天线制造技术

技术编号:13494034 阅读:41 留言:0更新日期:2016-08-07 16:49
栅缝地同轴馈电电容加载阶跃阻抗的三极化槽缝天线涉及一种缝隙天线,该天线由三个相互垂直放置单极化天线(13)组成;每个天线(13)包括介质基板(1)、介质基板(1)上金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);金属地(2)上有辐射槽缝(3)和多条平行栅缝(6);辐射槽缝(3)两端短路;辐射槽缝(3)中部有数个电容(7)并联跨接在其边缘,形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)其余部分是高阻槽缝(9),同轴馈线(4)外导体(5)与金属地(2)相连,同轴馈线(4)末端内导体(12)跨过高阻槽缝(9)在其边缘(11),与金属地(2)连接。该天线多频带工作,可减少天线尺寸、交叉极化、遮挡和改善隔离。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种栅缝地同轴馈电电容加载阶跃阻抗的三极化槽缝天线,其特征在于该天线包括三个相互垂直放置的单极化的栅缝地电容加载阶跃阻抗天线(13);每个单极化的栅缝地电容加载阶跃阻抗天线(13)包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接;金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列,栅缝(6)的形状是矩形,栅缝位于辐射槽缝(3)的四周,栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直;栅缝(6)的一端短路;栅缝(6)的另一端开路,位于介质基板(1)的边缘;辐射槽缝(3)的两端短路;在辐射槽缝(3)中间部分,有数个电容(7)并联跨接在辐射槽缝(3)的两个边缘,使得辐射槽缝(3)中间部分的特性阻抗变低,形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9),高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3),产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带;金属化过孔(7)穿越介质基板(1),一头与金属地(2)相连,另一头在介质基板(1)的另一面;同轴馈线(4)的一端是天线的端口(10),同轴馈线(4)另一端的内导体(12)跨过高阻槽缝(9),在高阻槽缝(9)的边缘(11),与金属地(2)连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵洪新庄莹殷晓星
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1