【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种装置，包括：高压半导体开关，所述高压半导体开关包括第一端子、第二端子以及第三端子；以及驱动器，所述驱动器包括：第一开关，所述第一开关耦合到所述高压半导体开关的所述第三端子，并且所述第一开关耦合到地，所述第一开关基于第一控制信号而导通和关断；第二开关，所述第二开关耦合到所述高压半导体开关的所述第一端子，所述第二开关基于所述第一控制信号而导通和关断；第三开关，所述第三开关耦合到所述高压半导体开关的所述第一端子，并且所述第三开关耦合到地，所述第三开关基于第二控制信号而导通和关断；以及二极管，所述二极管包括阳极端子和阴极端子，所述二极管的所述阳极端子耦合到所述高压半导体开关的所述第三端子，并且所述二极管的所述阴极端子耦合到所述第二开关。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安德雷·B·马利宁，
申请(专利权)人：戴乐格半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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