一种防静电的电容触摸屏制造技术

本实用新型专利技术适用于电容触摸屏技术领域，提供了一种防静电的电容触摸屏，其包括从上至下依次设置的盖板、水胶或光学胶层、上层激光银线、上层ITO以及玻璃基板。玻璃基板上设有下层ITO和下层激光银线层；下层激光银线层包括Ag电极走线、Ag地线以及第一Ag连接线。第一Ag连接线电连接于Ag电极走线与FPC金手指之间，Ag地线通过下层ITO与FPC金手指地线电连接。下层激光银线层还包括设置于下层ITO上的第二Ag连接线，其电连接于Ag地线与FPC金手指地线之间。本实用新型专利技术通过第二Ag连接线将Ag地线直接搭到FPC金手指地线上，电荷顺畅延着FPC金手指地线导走，避免了走线烧断，造成死机或区域触摸不灵的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电容触摸屏
，尤其涉及一种防静电的电容触摸屏。
技术介绍
投射式互感应式电容触摸屏一般采用两层ITO膜，形成矩阵式分布，以RX(感应)、TX(驱动)交叉分布作为电容矩阵，利用人体的电流感应进行工作的。人是接地物(即导电体)，给工作面通一个很低的电压，当用户触摸荧幕时，手指头吸收走一个很小的电流，通过对X轴(RX)、Y轴(TX)的扫描，检测到触碰位置的电容变化，进而计算出手指触碰点位置。如图1所示，为一种电容触摸屏结构:从下到上依次为盖板1、水胶2或光学胶(0CA，Optical Clear Adhesive)、上层激光银线3、上层IT04(Indium Tin Oxides，纳米铟锡金属氧化物)、玻璃基板5、下层IT06以及下层激光银线7。其中，下层激光银线7包括有Ag电极走线71以及Ag地线72。由于ITO的面电阻一般为80?100Ω，Ag的面电阻为0.4Ω，而触摸屏IC(Indicating Controller)对于图案走线的阻值要求一般15K Ω，所以ITO上面都铺有Ag电极走线，降低从V.A(View area)区到FPC(Flexible Printed Circuit)金手指的阻值。从图1中可看到，上层IT04和其Ag电极走线的四周被水胶2或OCA包裹，能够避免ESD(Electro-Static discharge)静电打进去。然而下层IT06和其Ag电极走线71由于没有被保护，ESD容易从侧面击打进去，这就需要地线及时的把ESD电荷导走。目前的技术如图2所示，Ag地线72左右避开FPC绑定位置2mm，Ag地线72通过下层IT06的部分区域作为连接区域，连接到FPC金手指8地线81，到了连接区域时电阻突然偏大导致静电电荷到了此处就积聚不能顺畅导出去释放掉。ESD电荷会窜到Ag电极走线71上把走线烧断，造成死机或区域触摸不灵。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种防静电的电容触摸屏，旨在解决现有技术中的电容触摸屏所存在的静电容易积聚，难以释放，从而导致走线烧断，造成死机或区域触摸不灵的问题。本技术是这样实现的，一种防静电的电容触摸屏，包括从上至下依次设置的盖板、水胶或光学胶层、上层激光银线、上层ITO以及玻璃基板，所述玻璃基板上设置有下层ITO以及下层激光银线层；所述下层激光银线层包括Ag电极走线、Ag地线以及第一 Ag连接线，所述第一Ag连接线电连接于所述Ag电极走线与FPC金手指之间，所述Ag地线通过下层ITO与所述FPC金手指地线电连接;所述下层激光银线层还包括第二 Ag连接线，所述第二 Ag连接线设置于所述下层ITO上，并且其电连接于所述Ag地线与所述FPC金手指地线之间。进一步地，所述第二Ag连接线由所述Ag地线往所述FPC金手指地线方向延伸而成。进一步地，所述第二Ag连接线的长*宽为0.4*0.2mm。本技术与现有技术相比，有益效果在于:本技术电容触摸屏，其通过第二Ag连接线将Ag地线直接搭到FPC金手指地线上，Ag地线与FPC金手指地线之间的连接区域的电阻值大大减小，使ESD电荷顺畅延着FPC金手指地线导走，避免激断Ag电极走线，有效地避免了走线烧断，造成死机或区域触摸不灵的问题。【附图说明】图1是一种电容触摸屏结构的纵向剖视示意图。图2是现有技术中的一种电容触摸屏结构的仰视示意图。图3是本技术实施例提供的一种防静电的电容触摸屏结构的仰视示意图。【具体实施方式】为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参见图1及图3，为本技术的一较佳实施例，一种防静电的电容触摸屏，包括从上至下依次设置的盖板1、水胶2或光学胶层、上层激光银线3、上层IT04以及玻璃基板5;玻璃基板5上设置有下层IT06以及下层激光银线层7;其中，下层激光银线层7包括Ag电极走线71、Ag地线72、第一 Ag连接线73以及第二 Ag连接线74。第一Ag连接线73电连接于Ag电极走线71与FPC金手指8之间，Ag地线72通过下层IT06与FPC金手指地线81电连接。第二 Ag连接线74设置于下层IT06上，并且其电连接于Ag地线72与FPC金手指地线81之间。本实施例的电容触摸屏通过第二Ag连接线74将Ag地线72直接搭到FPC金手指地线81上，Ag地线72与FPC金手指地线81之间的连接区域的电阻值大大减小，使ESD电荷顺畅延着FPC金手指地线81导走，避免激断Ag电极走线71，有效地避免了走线烧断，造成死机或区域触摸不灵的问题。具体地，上述第二Ag连接线74由Ag地线72往FPC金手指地线81方向延伸而成。第二Ag连接线74的长*宽优选为0.4*0.2mm，该尺寸可保证第二Ag连接线74的接触面积，可使电阻值从现有技术中的0.2kΩ降低到3 Ω，使ESD电荷顺畅地沿着FPC金手指地线81导走。本实施例的电容触摸屏通过改善走线设计，提升了产品的抗ESD性能，同时又不影响生产效率和广品良率。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种防静电的电容触摸屏，包括从上至下依次设置的盖板、水胶或光学胶层、上层激光银线、上层ITO以及玻璃基板，所述玻璃基板上设置有下层ITO以及下层激光银线层;所述下层激光银线层包括Ag电极走线、Ag地线以及第一 Ag连接线，所述第一 Ag连接线电连接于所述Ag电极走线与FPC金手指之间，所述Ag地线通过下层ITO与所述FPC金手指地线电连接；其特征在于，所述下层激光银线层还包括第二Ag连接线，所述第二Ag连接线设置于所述下层ITO上，并且其电连接于所述Ag地线与所述FPC金手指地线之间。2.如权利要求1所述的防静电的电容触摸屏，其特征在于，所述第二Ag连接线由所述Ag地线往所述FPC金手指地线方向延伸而成。3.如权利要求1所述的防静电的电容触摸屏，其特征在于，所述第二Ag连接线的长*宽为0.4*0.2mmο【专利摘要】本技术适用于电容触摸屏
，提供了一种防静电的电容触摸屏，其包括从上至下依次设置的盖板、水胶或光学胶层、上层激光银线、上层ITO以及玻璃基板。玻璃基板上设有下层ITO和下层激光银线层；下层激光银线层包括Ag电极走线、Ag地线以及第一Ag连接线。第一Ag连接线电连接于Ag电极走线与FPC金手指之间，Ag地线通过下层ITO与FPC金手指地线电连接。下层激光银线层还包括设置于下层ITO上的第二Ag连接线，其电连接于Ag地线与FPC金手指地线之间。本技术通过第二Ag连接线将Ag地线直接搭到FPC金手指地线上，电荷顺畅延着FPC金手指地线导走，避免了走线烧断，造成死机或区域触摸不灵的问题。【IPC分类】G06F3/044【公开号】CN205334443【申请号】CN201620064905【专利技术人】陈文威, 刘思明 【申请人】深圳秋田微电子有限公司【公开日】2016年6月22日【申请日】201本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防静电的电容触摸屏，包括从上至下依次设置的盖板、水胶或光学胶层、上层激光银线、上层ITO以及玻璃基板，所述玻璃基板上设置有下层ITO以及下层激光银线层；所述下层激光银线层包括Ag电极走线、Ag地线以及第一Ag连接线，所述第一Ag连接线电连接于所述Ag电极走线与FPC金手指之间，所述Ag地线通过下层ITO与所述FPC金手指地线电连接；其特征在于，所述下层激光银线层还包括第二Ag连接线，所述第二Ag连接线设置于所述下层ITO上，并且其电连接于所述Ag地线与所述FPC金手指地线之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文威，刘思明，
申请(专利权)人：深圳秋田微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44