一种UHF波段微型微波滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种UHF波段微型微波滤波器，涉及一种微型微波滤波器，包括一个13层基板和以带状线结构实现的并联谐振单元，上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明专利技术具有易调试、重量轻、体积小、可靠性高、电性能好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，适用于相应微波频段的通信、卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微型微波滤波器，尤其涉及一种UHF波段微型微波滤波器。
技术介绍
近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对微波滤波器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。描述这种部件性能的主要指标有：通带工作频率范围、阻带频率范围、通带插入损耗、阻带衰减、通带输入/输出电压驻波比、插入相移和时延频率特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。低温共烧陶瓷是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部，同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。LTCC技术在成本、集成封装、布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计多样性和灵活性及高频性能等方面都显现出众多优点，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，便于内嵌无源器件，散热性好，可靠性高，耐高温，冲震等优点，利用LTCC技术，可以很好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。由于LTCC技术具有三维立体集成优势，在微波频段被广泛用来制造各种微波无源元件，实现无源元件的高度集成。基于LTCC工艺的叠层技术，可以实现三维集成，从而使各种微型微波滤波器具有尺寸小、重量轻、性能优、可靠性高、批量生产性能一致性好及低成本等诸多优点，利用其三维集成结构特点，可以实现微型微波滤波器。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种UHF波段微型微波滤波器，采用LTCC技术的带状线结构，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的微型微波滤波器。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种UHF波段微型微波滤波器，包括一个13层基板，所述13层基板从上至下依次设置第一接地层GND1、第二电容层GC2、第三接地层GND2、第四电容层GC4、第五接地层GND3、第六带状线层LZ2、第七带状线层LL1、第八带状线层LZ2、第九接地层GND4、第十电容层GC1、第十一接地层GND5、第十二电容层GC3和第十三接地层GND6；所述13层基板上设有输入端口P1、第一输入电感Lin1、第一级并联谐振单元L1、Via1、C1、第二级并联谐振单元L2、Via2、C2、第三级并联谐振单元L3、Via3、C3、第四级并联谐振单元L4、Via4、C4、第一输出电感Lout1、第一Z形级间耦合带状线Z1、第二Z形级间耦合带状线Z2、总地线和输出端口P2；第一级并联谐振单元包括第一带状线L1、第一接地电容C1和第一通孔Via1，第一带状线L1设于第七带状线层LL1上，第一接地电容C1设于第十电容层GC1上，第一带状线L1和第一接地电容C1通过第一通孔Via1连接；第二级并联谐振单元包括第二带状线L2、第二接地电容C2和第二通孔Via2，第二带状线L2设于第七带状线层LL1上，第二接地电容C2设于第二电容层GC2上，第二带状线L2和第二接地电容C2通过第二通孔Via2连接；第三级并联谐振单元包括第三带状线L3、第三接地电容C3和第三通孔Via3，第三带状线L3设于第七带状线层LL1上，第三接地电容C3设于第十二电容层GC3上，第三带状线L3和第三接地电容C3通过第三通孔Via3连接；第四级并联谐振单元包括第四带状线L4、第四接地电容C4和第四通孔Via4，第四带状线L4设于第七带状线层LL1上，第四接地电容C4设于第四电容层GC4上，第四带状线L4和第四接地电容C4通过第四通孔Via4连接；输入电感Lin设于第七带状线层LL1上，输入端口P1通过输入电感Lin连接第一带状线L1，输出电感Lout设于第七带状线层LL1上，输出端口P2通过输出电感Lout连接第四带状线L4，第一Z形级间耦合带状线Z1设在第六带状线层LZ2上，第二Z形级间耦合带状线Z2设在第八带状线层LZ2；第一带状线L1和第四带状线L4均为一端连接总地线另一端开路，并且连接总地线的连接端相同，第二带状线L2和第三带状线L3一端连接总地线另一端开路，并且连接总地线的连接端相同，第一带状线L1和第四带状线L4的连接总地线端方向与第二带状线L2和第三带状线L3的连接总地线端方向相反；第一Z形级间耦合带状线Z1两端均连接总地线，第二Z形级间耦合带状线Z2两端均连接总地线。所述一种UHF波段微型微波滤波器采用多层低温共烧陶瓷工艺制成。所述第一接地层GND1、第三接地层GND2、第五接地层GND3、第九接地层GND4、第十一接地层GND5和第十三接地层GND6均连接总地线。本专利技术所述的一种高性能滤波器模块，采用LTCC技术实现了通带带宽为2.2GHz-2.4GHz，输入端口回波损耗优于16dB，输出端口插入损耗优于2dB的微波滤波器；本专利技术采用LTCC技术，体积小、重量轻、成本低、可靠性高，并且电路实现结构简单，易于大批量生产。附图说明图1是本专利技术一种UHF波段微型微波滤波器的外形及内部结构示意图；图2是本专利技术一种UHF波段微型微波滤波器输出端口的幅频特性曲线；图3是本专利技术一种UHF波段微型微波滤波器输入端口的驻波特性曲线。具体实施方式如图1所示的一种UHF波段微型微波滤波器，包括一个13层基板，所述13层基板从上至下依次设置第一接地层GND1、第二电容层GC2、第三接地层GND2、第四电容层GC4、第五接地层GND3、第六带状线层LZ2、第七带状线层LL1、第八带状线层LZ2、第九接地层GND4、第十电容层GC1、第十一接地层GND5、第十二电容层GC3和第十三接地层GND6；所述13层基板上设有输入端口P1、第一输入电感Lin1、第一级并联谐振单元L1、Via1、C1、第二级并联谐振单元L2、Via2、C2、第三级并联谐振单元L3、Via3、C3、第四级并联谐振单元L4、Via4、C4、第一输出电感Lout1、第一Z形级间耦合带状线Z1、第二Z形级间耦合带状线Z2、总地线和输出端口P2；第一级并联谐振单元包括第一带状线L1、第一接地电容C1和第一通孔Via1，第一带状线L1设于第七带状线层LL1上，第一接地电容C1设于第十电容层GC1上，第一带状线L1和第一接地电容C1通过第一通孔Via1连接；第二级并联谐振单元包括第二带状线L2、第二接地电容C2和第二通孔Via2，第二带状线L2设于第七带状线层LL1上，第二接地电容C2设于第二电容层GC2上，第二带状线L2和第二接地电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种UHF波段微型微波滤波器，其特征在于：包括一个13层基板，所述13层基板从上至下依次设置第一接地层GND1、第二电容层GC2、第三接地层GND2、第四电容层GC4、第五接地层GND3、第六带状线层LZ2、第七带状线层LL1、第八带状线层LZ2、第九接地层GND4、第十电容层GC1、第十一接地层GND5、第十二电容层GC3和第十三接地层GND6；所述13层基板上设有输入端口P1、第一输入电感Lin1、第一级并联谐振单元L1、Via1、C1、第二级并联谐振单元L2、Via2、C2、第三级并联谐振单元L3、Via3、C3、第四级并联谐振单元L4、Via4、C4、第一输出电感Lout1、第一Z形级间耦合带状线Z1、第二Z形级间耦合带状线Z2、总地线和输出端口P2；第一级并联谐振单元包括第一带状线L1、第一接地电容C1和第一通孔Via1，第一带状线L1设于第七带状线层LL1上，第一接地电容C1设于第十电容层GC1上，第一带状线L1和第一接地电容C1通过第一通孔Via1连接；第二级并联谐振单元包括第二带状线L2、第二接地电容C2和第二通孔Via2，第二带状线L2设于第七带状线层LL1上，第二接地电容C2设于第二电容层GC2上，第二带状线L2和第二接地电容C2通过第二通孔Via2连接；第三级并联谐振单元包括第三带状线L3、第三接地电容C3和第三通孔Via3，第三带状线L3设于第七带状线层LL1上，第三接地电容C3设于第十二电容层GC3上，第三带状线L3和第三接地电容C3通过第三通孔Via3连接；第四级并联谐振单元包括第四带状线L4、第四接地电容C4和第四通孔Via4，第四带状线L4设于第七带状线层LL1上，第四接地电容C4设于第四电容层GC4上，第四带状线L4和第四接地电容C4通过第四通孔Via4连接；输入电感Lin设于第七带状线层LL1上，输入端口P1通过输入电感Lin连接第一带状线L1，输出电感Lout设于第七带状线层LL1上，输出端口P2通过输出电感Lout连接第四带状线L4，第一Z形级间耦合带状线Z1设在第六带状线层LZ2上，第二Z形级间耦合带状线Z2设在第八带状线层LZ2；第一带状线L1和第四带状线L4均为一端连接总地线另一端开路，并且连接总地线的连接端相同，第二带状线L2和第三带状线L3一端连接总地线另一端开路，并且连接总地线的连接端相同，第一带状线L1和第四带状线L4的连接总地线端方向与第二带状线L2和第三带状线L3的连接总地线端方向相反；第一Z形级间耦合带状线Z1两端均连接总地线，第二Z形级间耦合带状线Z2两端均连接总地线。...

【技术特征摘要】
1.一种UHF波段微型微波滤波器，其特征在于：包括一个13层基板，所述
13层基板从上至下依次设置第一接地层GND1、第二电容层GC2、第三接地层
GND2、第四电容层GC4、第五接地层GND3、第六带状线层LZ2、第七带状线层
LL1、第八带状线层LZ2、第九接地层GND4、第十电容层GC1、第十一接地层GND5、
第十二电容层GC3和第十三接地层GND6；
所述13层基板上设有输入端口P1、第一输入电感Lin1、第一级并联谐振
单元L1、Via1、C1、第二级并联谐振单元L2、Via2、C2、第三级并联谐振单元
L3、Via3、C3、第四级并联谐振单元L4、Via4、C4、第一输出电感Lout1、第
一Z形级间耦合带状线Z1、第二Z形级间耦合带状线Z2、总地线和输出端口P2；
第一级并联谐振单元包括第一带状线L1、第一接地电容C1和第一通孔
Via1，第一带状线L1设于第七带状线层LL1上，第一接地电容C1设于第十电
容层GC1上，第一带状线L1和第一接地电容C1通过第一通孔Via1连接；
第二级并联谐振单元包括第二带状线L2、第二接地电容C2和第二通孔
Via2，第二带状线L2设于第七带状线层LL1上，第二接地电容C2设于第二电
容层GC2上，第二带状线L2和第二接地电容C2通过第二通孔Via2连接；
第三级并联谐振单元包括第三带状线L3、第三接地电容C3和第三通孔
Via3，第三带状线L3设于第七带状线层LL1上，第三接地电容C3设于第十二
电容层GC3上，第三带...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴永胜，陈相治，
申请(专利权)人：戴永胜，陈相治，
类型：发明
国别省市：江苏;32