一种晶片连续清洗烘干装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶片连续清洗烘干装置，由碱液喷淋装置、第一清水喷淋装置、活化剂喷淋装置、第二清水喷淋装置、酒精喷淋装置以及烘干装置依次排列组成；通过合理的结构布局，实现了晶片碱液清洗、清水漂洗、活化剂清洗、再次清水漂洗、酒精置换、热风烘干的连续操作；避免了现有人工分步操作带来的诸如晶片易损、污染环境等弊端；是一种清洗彻底、操作安全的装置。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶片生产装置，具体涉及一种晶片连续清洗烘干装置，用于晶片安全高效生产。
技术介绍
人造水晶棒经过切割、研磨、腐蚀等工序，加工成各种形状的晶片，晶片的频率和厚度成反比，晶片的外观、尺寸和形状对晶片的特性影响很大。晶片很薄，石英晶片(半成品)经过焊接电极，安装支架，封装外壳等工序加工成成品的电子元件--石英谐振器(简称晶体)。晶体是由石英晶片、支架、外壳等部分组成的。晶体的种类有49U、49S、UM、SMD(表面贴装)音叉晶体(表晶)。石英晶片和外围电路组成石英晶体器件。主要器件有：晶体滤波器、石英晶体振荡器(PXO)、温补晶振(TCXO)、压控振荡器、(VCXO)、温控振荡器(OCXO)。研磨是晶片加工不可或缺的一步，研磨时采用有机无机研磨剂，在研磨设备上研磨晶片；晶片研磨后需要清洗，以去除表面的研磨剂。现有清洗方式都是分别进行，全靠人工操作；导致清洗过程易损伤晶片，也存在污染环境、伤害工人的问题。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是提供一种晶片连续清洗烘干装置，可以均匀有效的清洗晶片表面带有中的蜡。为达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案是：一种晶片连续清洗烘干装置，由碱液喷淋装置、第一清水喷淋装置、活化剂喷淋装置、第二清水喷淋装置、酒精喷淋装置以及烘干装置依次排列组成；所述碱液喷淋装置包括碱液储罐、传送带以及碱液收集槽；所述碱液储罐设有碱液加热棒；所述碱液储罐底部设有碱液喷淋管；所述碱液喷淋管上设有测温设备以及碱液流量调节阀；所述传送带两侧设有碱液挡板；所述碱液收集槽位于传送带下方；所述碱液挡板安装于碱液收集槽的侧边上；所述第一清水喷淋装置包括第一清水喷淋管、第一网格型传送带以及第一清水收集槽；所述第一清水喷淋管上设有清水加热棒以及第一清水流量调节剂；所述第一清水收集槽位于第一网格型传送带下方；所述活化剂喷淋装置包括活化剂储罐、传送带以及活化剂收集槽；所述活化剂储罐底部设有活化剂喷淋管；所述活化剂收集槽位于传送带下方；所述活化剂喷淋管上设有活化剂流量调节阀；所述第二清水喷淋装置包括第二清水喷淋管、第二网格型传送带以及第二清水收集槽；所述第二清水喷淋管上设有第二清水流量调节剂；所述第二清水收集槽位于第二网格型传送带下方；所述酒精喷淋装置包括酒精储罐、传送带以及酒精收集槽；所述酒精储罐底部设有酒精喷淋管；所述酒精喷淋管上设有酒精流量调节阀；所述酒精收集槽位于传送带下方；所述烘干装置包括传送带、两块空心板以及抽风机；所述抽风机出风口通过空气管道与空心板连通；所述空气管道上设有加热棒；所述两块空心板位于传送带两侧，之间通过热风管道连通；所述空心板位于传送带的一侧设有吹气孔。本技术中，加热棒控制碱液的加热温度。碱液喷淋是晶片清洗过程中十分重要的一步，直接关系到能否去除晶片表面的有机研磨剂，从而严重影响晶片使用频率，最终关系到电子设备能否有效运行。而碱液温度是碱液喷淋的关键，高低都不行。本技术除了加热棒外，还利用温度测试设备实时监控碱液温度，测温设备为直插式热电偶测温仪，其体积小，由感温探头与温显屏组成，安装在碱液喷淋管上，探头伸入碱液喷淋管内，可以接触碱液，从而通过温显屏实时监控碱液温度；并且无需传输线，不会影响操作，达到简易、高效、准确监控碱液温度的效果。本技术中，液体收集槽包括碱液收集槽、清水收集槽以及活化剂收集槽，为了收集喷淋出、处理晶片后的对应液体，液体收集槽与对应传送带之间的距离、液体收集槽开口与传送带大小之间的关系不做限定，本领域技术人员可以根据场地大小、处理晶片的数量等实际情况自行选择，只要有效收集对应液体即可。碱液收集槽两个侧边上分别安装碱液挡板，从而使得传送带位于两个挡板之间，有效避免碱液喷淋时碱液溅出或者在传输过程中碱液溢至地面，溅出的碱液可以顺着碱液挡板流入碱液收集槽中。碱液挡板的高度、碱液挡板距离传送带的间隙大小不做限定，本领域技术人员可以自行选择，只要能够防止碱液溅出即可。其他装置不设置挡板，一是因为其他液体不会造成环境问题；二是因为通过喷淋流量的调节可以避免液体溅出；其实碱液喷淋过程也可不设置碱液挡板，但是为了确保环境安全、工人不受伤，本技术采用碱液挡板；至于挡板的高度，可以根据碱液喷淋力度、流量自行选择。本技术中，清水喷淋过程采用网格型传送带，为了快速实现清水冲洗，有利于清水冲除效果，喷淋的清水直接冲过晶片，及时从网格中流出，网格大小不做限定，根据晶片大小可以设计，只要不影响晶片运行即可；其他喷淋过程对传送带结构没有要求，可以为网格型，也可以非网格型，都可以有效清洗晶片。传送带的安装、运行属于现有技术。清水喷淋管可以直接与厂内自来水管接通；其他喷淋液体都设有储罐，比如碱液储罐、活化剂储罐、酒精储罐，储罐底部设置喷淋管。优选储罐都为漏斗形，上大下小，下部近似圆锥型，有利于液体流出、流尽。喷淋管的选择不做限定，常规喷淋管都适用，因为碱液、活化剂、酒精等浓度都很低，对材料没要求。烘干装置中，设置的吹气孔的数量根据设备大小而定，排列的总体原则为使得传送带上的晶片受气均匀；所述吹气孔的直径为1mm～1.5mm，根据需要，合理设置吹气孔孔径分布。加热棒对抽风机抽进的空气进行加热，然后输送至空心板，再由吹起孔吹至传送带；优选设置两根加热棒，保证烘干效果。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：1.本技术首次提供了一种连续晶片清洗烘干装置，通过合理的结构布局，实现了晶片碱液清洗、清水漂洗、活化剂清洗、再次清水漂洗、酒精置换、热风烘干的连续操作；避免了现有人工分步操作带来的诸如晶片易损、污染环境等弊端；是一种清洗彻底、操作安全的装置。2.本技术提供的晶片连续清洗烘干装置通过加热棒控制碱液储罐中碱液的温度，从而有利于高温反应去除晶片表面的有机研磨剂；特别在碱液喷淋管中设置温度监测设备，保障碱液温度合理可控，从而可以保证晶片使用频率；利用流动热风加热，使得晶片周围热量均匀，可以保证晶片在热处理时，受热均匀，增加产品的性能稳定性，最终利于电子设备有效运行。附图说明图1是实施例一中晶片连续清洗烘干装置的结构示意图；其中：碱液喷淋装置1、碱液储罐11、传送带12、碱液收集槽13、碱液加热棒14、碱液喷淋管15、直插式热电偶测温仪16、碱液流量调节阀17、碱液挡板18、第一清水喷淋装置2、第一清水本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片连续清洗烘干装置，其特征在于：所述晶片连续清洗烘干装置由碱液喷淋装置、第一清水喷淋装置、活化剂喷淋装置、第二清水喷淋装置、酒精喷淋装置以及烘干装置依次排列组成；所述碱液喷淋装置包括碱液储罐、传送带以及碱液收集槽；所述碱液储罐设有碱液加热棒；所述碱液储罐底部设有碱液喷淋管；所述碱液喷淋管上设有测温设备以及碱液流量调节阀；所述传送带两侧设有碱液挡板；所述碱液收集槽位于传送带下方；所述碱液挡板安装于碱液收集槽的侧边上；所述第一清水喷淋装置包括第一清水喷淋管、第一网格型传送带以及第一清水收集槽；所述第一清水喷淋管上设有清水加热棒以及第一清水流量调节剂；所述第一清水收集槽位于第一网格型传送带下方；所述活化剂喷淋装置包括活化剂储罐、传送带以及活化剂收集槽；所述活化剂储罐底部设有活化剂喷淋管；所述活化剂收集槽位于传送带下方；所述活化剂喷淋管上设有活化剂流量调节阀；所述第二清水喷淋装置包括第二清水喷淋管、第二网格型传送带以及第二清水收集槽；所述第二清水喷淋管上设有第二清水流量调节剂；所述第二清水收集槽位于第二网格型传送带下方；所述酒精喷淋装置包括酒精储罐、传送带以及酒精收集槽；所述酒精储罐底部设有酒精喷淋管；所述酒精喷淋管上设有酒精流量调节阀；所述酒精收集槽位于传送带下方；所述烘干装置包括传送带、两块空心板以及抽风机；所述抽风机出风口通过空气管道与空心板连通；所述空气管道上设有加热棒；所述两块空心板位于传送带两侧，之间通过热风管道连通；所述空心板位于传送带的一侧设有吹气孔。...

【技术特征摘要】
1.一种晶片连续清洗烘干装置，其特征在于：所述晶片连续清洗烘干
装置由碱液喷淋装置、第一清水喷淋装置、活化剂喷淋装置、第二清水喷淋
装置、酒精喷淋装置以及烘干装置依次排列组成；所述碱液喷淋装置包括碱
液储罐、传送带以及碱液收集槽；所述碱液储罐设有碱液加热棒；所述碱液
储罐底部设有碱液喷淋管；所述碱液喷淋管上设有测温设备以及碱液流量调
节阀；所述传送带两侧设有碱液挡板；所述碱液收集槽位于传送带下方；所
述碱液挡板安装于碱液收集槽的侧边上；所述第一清水喷淋装置包括第一清
水喷淋管、第一网格型传送带以及第一清水收集槽；所述第一清水喷淋管上
设有清水加热棒以及第一清水流量调节剂；所述第一清水收集槽位于第一网
格型传送带下方；所述活化剂喷淋装置包括活化剂储罐、传送带以及活化剂
收集槽；所述活化剂储罐底部设有活化剂喷淋管；所述活化剂收集槽位于传
送带下方；所述活化剂喷淋管上设有活化剂流量调节阀；所述第二清水喷淋
装置包括第二清水喷淋管、第二网格型传送带以及第二清水收集槽；所述第

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，
申请(专利权)人：苏州普锐晶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32