SIM卡装置及用于SIM卡的ECC纠错模块制造方法及图纸

技术编号:13301464 阅读:42 留言:0更新日期:2016-07-09 18:54
本发明专利技术公开了一种SIM卡装置,包括:Nand Flash控制器,数据缓存模块;Nand Flash控制器包括:Nand Flash ECC接口控制器,ECC纠错模块;ECC纠错模块,包括伴随式计算模块、BM迭代模块和错误位置计算模块;Nand Flash ECC接口控制器,用于实现AHB总线与片外Nand Flash之间以及AHB总线与ECC纠错模块之间的数据交互;伴随式计算模块,用于计算接收码字的伴随式的系数;BM迭代模块,用于确定求解最终错误位置的错误位置多项式;错误位置计算模块,用于求解错误位置多项式,获得错误位置的值;数据缓存模块,用于存储每页Nand Flash的数据。本发明专利技术还公开了一种用于SIM卡的ECC纠错模块。本发明专利技术能有效减小芯片面积。

【技术实现步骤摘要】
201410753529

【技术保护点】
一种SIM卡装置,其特征在于,包括:一Nand Flash控制器,与所述Nand Flash控制器相连接的一数据缓存模块;所述Nand Flash控制器,包括:一Nand Flash ECC接口控制器,与所述Nand Flash ECC接口控制器相连接的ECC纠错模块;所述ECC纠错模块,包括一伴随式计算模块、一BM迭代模块和一错误位置计算模块;所述Nand Flash ECC接口控制器,用于实现AHB总线与片外Nand Flash之间以及AHB总线与ECC纠错模块之间的数据交互;所述伴随式计算模块,用于计算接收码字的伴随式的系数,以备在计算错误位置多项式的迭代算法中使用;所述BM迭代模块,与...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘晓燕
申请(专利权)人:上海华虹集成电路有限责任公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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