二次电池保护电路及装置、电池组及数据写入方法制造方法及图纸

二次电池保护电路及装置、电池组及数据写入方法，在一个端子能够共用电源电压输入和存储器写入电压输入。二次电池保护电路具备：二次电池保护电路的电源端子；保护动作电路，其监视二次电池的状态，根据二次电池的状态生成对二次电池和负载间的电流路径进行通断控制的信号；非易失性存储器，其通过向电源端子输入的写入电压能写入决定二次电池保护电路的规格的参数数据；电压生成电路，其根据向电源端子输入的输入电压生成向低耐压电路供给的供给电压，低耐压电路的耐压比被供给写入电压的高耐压电路的耐压低；控制电路，其根据向电源端子输入的输入电压、经电源端子检测二次电池的状态的保护动作电路的保护状态，使向存储器的写入成为可能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二次电池保护电路、二次电池保护装置、电池组以及数据写入方法。
技术介绍
以往，已知保护二次电池的二次电池保护电路(例如，参照专利文献1)。在专利文献1的图2中公开了包含闪速只读存储器(FlashROM)和用于生成闪速只读存储器的写入电压的升压电路的结构的电池组。根据专利文献1，闪速只读存储器需要比通常动作的电源电压高的写入电压，因此在内部设有将电源电压升压到写入电压的升压电路，但提出了芯片面积由于升压电路而增大的问题，并记载了改善该问题的方法。需要根据二次电池的种类或搭载有二次电池保护电路的产品的种类，定制二次电池保护电路的规格。因此，为了能够与多个不同的规格相对应，针对二次电池或产品的每个种类开发二次电池保护电路的结构时，容易使开发的准备时间和成本增加。因此，为了能够以共同的电路结构对应多个不同的规格，考虑如下的结构：具备写入用于决定规格的各种参数等的数据的存储器，根据从该存储器读出的参数数据设定规格。根据该结构，通过变更存储在存储器中的参数数据的内容，能够通过共同的电路结构变更规格。例如，将作为规格之一的过充电检测电压中设定的设定电压值存储在存储器的情况下，通过变更该设定电压值，能够通过共同的电路结构变更过充电检测电压的电压值。各种参数是过充电检测阈值电压、过放电检测阈值电压、过电流检测阈值电压、短路检测阈值电压以及与检测它们的情况下的各检测对应的延迟时间等。此外，为了吸收所设定的各种阈值电压的各个体差(制造偏差)而进行了微调的情况下，也将该微调数据等写入到相同的存储器中。另一方面，为了将用于决定二次电池保护电路的规格的参数数据写入到非易失性存储器中，需要向非易失性存储器供给比二次电池保护电路和非易失性存储器的通常的动作电压(通常的电源电压)高的写入电压。因此，具有对电源电压进行升压来生成写入电压，或设置专用端子从外部接受写入电压的供给某种方法。但是，在前者的方法中，存在芯片面积按升压电路的安装面积相应变大的问题，并且独立于二次电池保护电路的电源端子，向二次电池保护电路追加用于输入写入电压的专用的写入端子时，二次电池保护电路的总端子数量增加。专利文献1：日本特开2012-173063号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种不增加电路面积且不设置追加的端子，而能够进行向存储器的写入的技术。在一种方案中，提供一种保护二次电池的二次电池保护电路，其具备：所述二次电池保护电路的电源端子；保护动作电路，其监视所述二次电池的状态，根据所述二次电池的状态生成对所述二次电池和负载间的电流路径进行接通断开控制的信号；非易失性存储器，其通过向所述电源端子输入的写入电压，能够写入用于决定所述二次电池保护电路的规格的参数数据；电压生成电路，其根据向所述电源端子输入的输入电压，生成向低耐压电路供给的供给电压，所述低耐压电路的耐压比被供给所述写入电压的高耐压电路的耐压低；以及控制电路，其根据向所述电源端子输入的输入电压、经由所述电源端子检测所述二次电池的状态的所述保护动作电路的保护状态，使向所述存储器的写入成为可能。根据一种方式，在一个端子能够共用电源电压输入和存储器写入电压输入。附图说明图1是表示二次电池保护电路的一例的结构图。图2是表示二次电池保护电路的动作的一例的时序图。图3是表示二次电池保护电路的动作的一例的流程图。图4是表示电压生成电路的一例的结构图。图5是表示电压生成电路的其他一例的结构图。图6是表示向电源端子输入的输入电压与由电压生成电路生成的电压的关系的一例的图。图7是表示非易失性存储器的一例的结构图。图8是表示开关的一例的结构图。图9是表示写入动作的一例的时序图。图10是表示读写控制电路的一例的结构图。图11是表示电池组的一例的结构图。图12是表示电池组的其他一例的结构图。符号说明14数据输入端子15时钟输入端子21异常检测电路22过充电检测电路27过放电检测电路32放电过电流检测电路35充电过电流检测电路38短路检测电路44逻辑电路60存储器61写入防止电路62存储单元电路63周边电路64写入电路65读出电路66移位寄存器69存储元件74触发器77保护位80读写控制电路98保护动作电路99、99A、99B调节器100、101电池组110、111二次电池保护装置120、121二次电池保护电路191、195输出晶体管210写入许可电路220写入电压检测电路具体实施方式以下，按照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。图1是表示保护电路120的一例的结构图。保护电路120是保护二次电池的二次电池保护电路的一例。保护电路120例如具备存储器60和保护动作电路98。存储器60是通过向保护电路120的电源端子91输入的写入电压，能够写入用于决定保护电路120的规格的参数数据的非易失性存储器的一例。电源端子91是输入保护电路120的电源电压的端子，并且也是输入为了向存储器60写入参数数据而需要的写入电压的端子。作为存储器60的具体例，可以列举OTPROM(OneTimeProgrammableROM，一次可编程只读存储器)、EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableROM，可擦除可编程只读存储器)等。保护动作电路98是基于从存储器60读出的参数数据，进行二次电池的保护动作的保护动作电路的一例。保护动作电路98例如监视二次电池的状态，并基于二次电池的状态生成对二次电池与负载间的电流路径(电源路径)进行接通断开控制的信号，由此进行二次电池的保护动作。作为参数数据的具体例，可以列举过充电检测电压Vdet1、过充电恢复电压Vrel1、过放电检测电压Vdet2、过放电恢复电压Vrel2、放电过电流检测电压Vdet3、充电过电流检测电压Vdet4、短路检测电压Vshort、待机阈值电压Vstb等设定用阈值电压数据。此外，作为参数的具体例，可以列举过充电检测延迟时间tVdet1、过充电恢复延迟时间tVrel1、过放电检测延迟时间tVdet2、过放电恢复延迟时间tVrel2、放电过电流检测延迟时间tVdet3、放电过电流恢复延迟时间tVrel3、放电过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二次电池保护电路，其保护二次电池，该二次电池保护电路的特征在于，具备：所述二次电池保护电路的电源端子；保护动作电路，其监视所述二次电池的状态，根据所述二次电池的状态生成对所述二次电池和负载间的电流路径进行接通断开控制的信号；非易失性存储器，其通过向所述电源端子输入的写入电压，能够写入用于控制所述二次电池保护电路的动作的数据；电压生成电路，其根据向所述电源端子输入的输入电压，生成向低耐压电路供给的供给电压，所述低耐压电路的耐压比被供给所述写入电压的高耐压电路的耐压低；以及控制电路，其根据向所述电源端子输入的输入电压和经由所述电源端子检测所述二次电池的状态的所述保护动作电路的保护状态，使向所述存储器的写入成为可能。

【技术特征摘要】
2014.12.26 JP 2014-2641391.一种二次电池保护电路，其保护二次电池，该二次电池保护电路的特
征在于，具备：
所述二次电池保护电路的电源端子；
保护动作电路，其监视所述二次电池的状态，根据所述二次电池的状态生
成对所述二次电池和负载间的电流路径进行接通断开控制的信号；
非易失性存储器，其通过向所述电源端子输入的写入电压，能够写入用于
控制所述二次电池保护电路的动作的数据；
电压生成电路，其根据向所述电源端子输入的输入电压，生成向低耐压电
路供给的供给电压，所述低耐压电路的耐压比被供给所述写入电压的高耐压电
路的耐压低；以及
控制电路，其根据向所述电源端子输入的输入电压和经由所述电源端子检
测所述二次电池的状态的所述保护动作电路的保护状态，使向所述存储器的写
入成为可能。
2.根据权利要求1所述的二次电池保护电路，其特征在于，
将所述二次电池的过充电的检测用阈值电压设定成比所述写入电压低，
所述二次电池的过充电保护状态是如下的状态，即：所述保护动作电路根
据所述阈值电压检测出所述二次电池的过充电，在经过预定的延迟时间后输出
保护状态信号，断开所述二次电池和所述负载间的电流路径来进行所述二次电
池的过充电保护。
3.根据权利要求2所述的二次电池保护电路，其特征在于，
在所述输入电压比能够进行所述写入电压的判定的判定电压高，且所述保
护动作电路为所述过充电保护状态的情况下，所述控制电路使向所述存储器的
写入成为可能。
4.根据权利要求1至3中的任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：影山僚大，武田贵志，村野公一，板垣孝俊，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP