导电结构及其制造方法技术

本申请文件涉及用于通过改善吸光度并防止导电层的反射来改善所述导电层的隐蔽性能而不会影响所述导电层的导电性的发明专利技术。为此，根据本发明专利技术的导电结构包括：基板，导电层，以及设置于所述导电层的一个表面上的暗化层，所述暗化层包含由CUxOyNz表示的铜和氮氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请要求享有于2013年11月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0141349号的优先权和权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。本申请文件涉及一种导电结构体及制造该导电结构体的方法。
技术介绍
根据信号的检测方法，触屏面板通常被分为如下几类。换句话说，其类型包括当施加直流电压时通过电流或电压值的变化感应压力按压位置的电阻型；当施加交流电压时利用电容耦合的电容型；以及当施加磁场时感应所选位置的电压变化的电磁型。随着近来对大面积触屏面板的需求的增长，已需要开发出实现具有优异的能见度同时降低电极电阻的大触屏面板的技术。[现有技术]韩国公开专利公报第10-2010-0007605号
技术实现思路
[技术问题]本申请的一个目的在于提供一种能够用于触屏面板并且即使在高温和高湿环境中也能够保持优异的能见度同时降低电极电阻的导电结构体。另外，本申请的另一个目的在于提供一种制造所述导电结构体的方法。本申请的目的并不仅限于以上所述的技术目的，从以下的说明中本领域的技术人员将会清楚地理解其它未被提及的目的。[技术方案]本申请的一个实施方式提供了一种导电结构体，其包括：基板；设置于所述基板上的导电层；以及设置于所述导电层的至少一个表面上的暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：制备导电层；在所述导电层的至少一个表面上形成暗化层；以及将所述导电层或所述暗化层与基板层压，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：在基板上形成导电层；以及在形成所述导电层之前，在形成所述导电层之后，或者在形成所述导电层之前及之后，形成暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：在基板上形成导电图形；以及在形成所述导电图形之前，在形成所述导电图形之后，或者在形成所述导电图形之前及之后，形成暗化图形，其中，所述暗化图形包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的触屏面板。本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的显示装置。本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的太阳能电池。[有益效果]根据本申请的一个实施方式的导电结构体可防止导电层所导致的反射而不会影响所述导电层的导电性，且可通过改善吸光率来提高所述导电层的隐蔽性能。另外，利用根据本申请的一个实施方式的导电结构体可开发出具有改进的能见度的触屏面板以及包含所述触屏面板的显示装置和太阳能电池。附图说明图1至图3各自为本申请的一个实施方式，且为图示了包含导电层和暗化层的导电结构体的层压结构的示意图。图4至图6各自为本申请的一个实施方式，且为图示了包含导电图形层和暗化图形层的导电结构体的层压结构的示意图。图7为根据实验实施例1测定实施例和对比实施例的初始光反射率的曲线图。图8为经过120小时之后根据实验实施例1测定实施例和对比实施例的光反射率的曲线图。图9为显示出根据实验实施例2-1的实施例1的初始光反射率及其经过120小时之后的光反射率的曲线图。图10为显示出根据实验实施例2-2的对比实施例3的初始光反射率及其经过48小时和148小时之后的光反射率的曲线图。具体实施方式在本申请中，一个部件位于另一个部件“之上”的描述不但包括所述一个部件紧邻所述另一个部件的情况，还包括两个部件之间还存在再一个部件的情况。在本申请中，某个部分“包含/包括”某个构件的描述意指能够进一步包含/包括其它的构件，且除非有相反的特别规定，否则不排除其它的构件。下文中，将更加详细地描述本申请。在本申请文件中，显示装置为共同指代电视、电脑监视器等的术语，且包括形成图像的显示元件和支撑所述显示元件的外壳。所述显示元件的实例包括等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在所述显示元件中，可设置用于获得图像的RGB像素图形和额外的滤光器。与此同时，对于显示装置，随着智能手机、平板PC、IPTV等的传播的加速，对于人手直接变成输入设备而无需单独的输入设备(如键盘或遥控器)的触控功能的需求也在逐步地增长。另外，还需要能够书写的多点触控功能以及特定点位的识别。目前大部分的触屏面板(TSP)是在透明导电ITO薄膜的基础上商业化的，但存在的问题是，当用于大面积触屏面板时，由于透明ITO电极本身相对高的表面电阻(最小150Ω/□，NittoDenko公司制造的ELECRYSTA产品)导致的RC延迟，使得触摸识别速度变得更低，而且，需要引入额外的补偿芯片以克服此问题。本申请的专利技术人研究了用金属微图形来替代透明ITO薄膜的技术。针对上述问题，本专利技术的专利技术人发现，当采用Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu等具有高电导率的金属薄膜作为触屏面板的电极时，由于相对于外界光的高反射率和雾度值而可能会产生眩光等，以及当要获得特定形状的微电极图形时，由于高反射率而在能见度方面图形易于被人眼识别的问题。另外，本专利技术的专利技术人还发现，在制造工艺中需要价格高昂的对象，或者所述工艺通常可能是复杂的。因此，本申请的一个实施方式将提供一种导电结构体，其可显示出与采用现有基于ITO的透明导电薄膜层的触屏面板的差异，且可被用于具有改善的金属微图形电极的隐蔽性能并相对于外界光具有改善的反射和衍射性能的触屏面板中。在本申请文件中，“导电性”指的是电导率。另外，在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电结构体，其包括：基板；设置于所述基板上的导电层；以及设置于所述导电层的至少一个表面上的暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x‑3z)]<0.1。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.20 KR 10-2013-01413491.一种导电结构体，其包括：
基板；
设置于所述基板上的导电层；以及
设置于所述导电层的至少一个表面上的暗化层，
其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含
量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
2.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述硝酸铜具有0.16以下的y+z值。
3.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层在85℃和85RH的环境下经过120小
时之后在380nm至780nm的波长范围内具有20％以下的平均光反射率变化。
4.权利要求1所述的导电结构体，其中，在具有大于或等于380nm且小于或等于780nm的
波长区域的光中，所述暗化层的消光系数k大于或等于0.2且小于或等于1.5。
5.权利要求1所述的导电结构体，其中，在具有大于或等于380nm且小于或等于780nm的
波长区域的光中，所述暗化层的折射率n大于或等于2且小于或等于3.3。
6.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的全反射率为20％以下。
7.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层的厚度大于或等于0.1nm且小于或
等于400nm。
8.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层的厚度大于或等于0.1nm且小于或
等于60nm。
9.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层的厚度为0.01μm至10μm。
10.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层为图形化的导电图形层，以及所述
暗化层为图形化的暗化图形层。
11.权利要求10所述的导电结构体，其中，所述导电图形层中的图形线宽为10μm以下。
12.权利要求10所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的表面电阻大于或等于1Ω/
□且小于或等于300Ω/□。
13.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自金属、金属合金、金属氧
化物和金属氮化物中的一种或两种以上的材料，且所述材料具有1×10-6Ω·cm至30×10-6Ω·cm的电阻率。
14.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni，它
们的氧化物和它们的氮化物中的一种或两种以上。
15.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的结构选自基板/暗化层/导
电层的结构、基...

【专利技术属性】
技术研发人员：林振炯，章盛晧，李一何，金起焕，金容赞，尹晶焕，朴赞亨，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR