一种电源兼容电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电源兼容电路，其包括交直流输入源、直流源输出端，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、滤波电容、第一运放U1、第一电源、上拉电阻R3和第五MOS管Q5，本发明专利技术针对现有电子设备对电源兼容性的不足，发明专利技术了一种新型自适应切换及高效率整流电路，当不同外设的电源与地极性相反或者输入电源为交流时，可以通过该电路实现自动的识别切换及交流电源高效率整流。本发明专利技术作为一种电源兼容电路，广泛适用于电源领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源领域，尤其涉及一种电源兼容电路。
技术介绍
电源适配器插头等很多插入电子设备的接口由于标准、生产厂家不同，极性和类型也可能会不同。传统的交流和直流输入在同一个端口的电源，一般是通过开关来切换，这样带来的问题是运行维护不方便，需要人为的管理，增加人力成本，而且很可能会发生操作失误而导致电源或者设备损坏，电源的可靠性也得不到保障。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种新型自适应切换及高效率整流的电源兼容电路。本专利技术所采用的技术方案是：一种电源兼容电路，其包括交直流输入源Ui、直流源输出端，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和滤波电容，所述第一MOS管的漏极与第三MOS管漏极连接，所述第二MOS管的漏极与第四MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极连接，所述第三MOS管的源极与第四MOS管的源极连接，所述滤波电容的一端与第二MOS管的源极连接，另一端与第三MOS管的源极连接，所述交直流输入源Ui的一端与第一MOS管的漏极连接，其另一端与第二MOS管的漏极连接，直流源输出端的一端与第一MOS管的源极连接，其另一端与第三MOS管的源极连接；所述第一MOS管和第二MOS管为P沟道MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管为N沟道MOS管；所述第一MOS管的栅极和第三MOS管的栅极连接并与交直流输入源Ui的一端连接，所述第二MOS管的栅极和第四MOS管的栅极连接并与交直流输入源Ui的另一端连接。进一步，其还包括第一运放、第一电源和第五MOS管，所述第一运放的输入端与交直流输入源Ui连接，其输出端与第五MOS管的栅极连接，所述第五MOS管的栅极与第二MOS管的栅极连接，所述第五MOS管的漏极与第一MOS管的栅极连接，所述第五MOS管的源极与地连接，所述上拉电阻与第五MOS管的漏极连接，其另一端与第一电源连接。进一步，所述第五MOS管为N沟道MOS管。进一步，其还包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与第一MOS管的漏极连接，其另一端与第一MOS管的栅极连接，所述第二电阻的一端与第二MOS管的漏极连接，其另一端与第二MOS管的栅极连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术针对现有电子设备对电源兼容性的不足，专利技术了一种新型自适应切换及高效率整流电路，当不同外设的电源与地极性相反或者输入电源为交流时，可以通过该电路实现自动的识别切换及交流电源高效率整流。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明：图1是本专利技术一实施例的原理图；图2是本专利技术另一实施例的原理图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。实施例1如图1所示，一种电源兼容电路，其包括交直流输入源Ui、直流源输出端，第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4和滤波电容，所述第一MOS管Q1的漏极与第三MOS管Q3漏极连接，所述第二MOS管Q2的漏极与第四MOS管Q4的漏极连接，所述第一MOS管Q1的源极与第二MOS管Q2的源极连接，所述第三MOS管Q3的源极与第四MOS管Q4的源极连接，所述滤波电容的一端与第二MOS管Q2的源极连接，另一端与第三MOS管Q3的源极连接，所述交直流输入源Ui的一端与第一MOS管Q1的漏极连接，其另一端与第二MOS管Q2的漏极连接，直流源输出端的一端与第一MOS管Q1的源极连接，其另一端与第三MOS管Q3的源极连接；所述第一MOS管Q1和第二MOS管Q2为P沟道MOS管，所述第三MOS管Q3和第四MOS管Q4为N沟道MOS管；所述第一MOS管Q1的栅极和第三MOS管Q3的栅极连接并与交直流输入源Ui的一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极和第四MOS管Q4的栅极连接并与交直流输入源Ui的另一端连接。其工作原理为：交直流输入源Ui的1脚为正，2脚为负时，交直流输入源1脚的正电压控制MOS管Q1、Q3关闭，2脚的负电压控制Q2、Q4打开；当UI的2脚为正，1脚为负时，1脚的负电压控制MOS管Q1、Q3打开，2脚的正电压控制Q2、Q4关闭；通过MOS管的开关控制实现对电源的正负自动的识别切换。实施例2如图2所示，其还包括第一运放U1、第一电源、上拉电阻R3和第五MOS管Q5，所述第一运放U1的输入端与交直流输入源Ui连接，其输出端与第五MOS管Q5的栅极连接，所述第五MOS管Q5的栅极与第二MOS管Q2的栅极连接，所述第五MOS管Q5的漏极与第一MOS管Q1的栅极连接，所述第五MOS管Q5的源极与地连接，所述上拉电阻R3与第五MOS管Q5的漏极连接，其另一端与第一电源连接。其工作原理为：通过上图中Q1、Q2、Q3、Q4四个MOS管的体二极管整流出一个稳定的直流电源给前端的运放和MOS管Q5提供电源或者通过其他外部电源供电也可以，然后当交直流输入源Ui的1脚为正2脚为负电压时，运放和Q5控制MOS管Q1、Q3关闭，Q2、Q4打开；当交直流输入源Ui的2脚为正1脚为负电压时，运放和Q5控制MOS管Q1、Q3打开，Q2、Q4关闭，持续不断地进行上述整流过程；利用MOS管的低导通阻抗，实现了高效率的整流。进一步作为优选的实施方式，所述第五MOS管Q5为N沟道MOS管。进一步作为优选的实施方式，所述电源兼容电路还包括：第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1的一端与第一MOS管Q1的漏极连接，其另一端与第一MOS管Q1的栅极连接，所述第二电阻R2的一端与第二MOS管Q2的漏极连接，其另一端与第二MOS管Q2的栅极连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术针对现有电子设备对电源兼容性的不足，专利技术了一种新型自适应切换及高效率整流电路，当不同外设的电源与地极性相反或者输入电源为交流时，可以通过该电路实现自动的识别切换及交流电源高效率整流。以上是对本专利技术的较佳实施进行了具体说明，但本专利技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本专利技术精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源兼容电路，其特征在于：其包括交直流输入源(Ui) 、直流源输出端，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和滤波电容，所述第一MOS管的漏极与第三MOS管漏极连接，所述第二MOS管的漏极与第四MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极连接，所述第三MOS管的源极与第四MOS管的源极连接，所述滤波电容的一端与第二MOS管的源极连接，另一端与第三MOS管的源极连接，所述交直流输入源 (Ui)的一端与第一MOS管的漏极连接，其另一端与第二MOS管的漏极连接，直流源输出端的一端与第一MOS管的源极连接，其另一端与第三MOS管的源极连接；所述第一MOS管和第二MOS管为P沟道MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管为N沟道MOS管；所述第一MOS管的栅极和第三MOS管的栅极连接并与交直流输入源 (Ui)的一端连接，所述第二MOS管的栅极和第四MOS管的栅极连接并与交直流输入源 (Ui)的另一端连接。

【技术特征摘要】
1.一种电源兼容电路，其特征在于：其包括交直流输入源(Ui)、直流源输出端，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和滤波电容，所述第一MOS管的漏极与第三MOS管漏极连接，所述第二MOS管的漏极与第四MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极连接，所述第三MOS管的源极与第四MOS管的源极连接，所述滤波电容的一端与第二MOS管的源极连接，另一端与第三MOS管的源极连接，所述交直流输入源(Ui)的一端与第一MOS管的漏极连接，其另一端与第二MOS管的漏极连接，直流源输出端的一端与第一MOS管的源极连接，其另一端与第三MOS管的源极连接；
所述第一MOS管和第二MOS管为P沟道MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管为N沟道MOS管；
所述第一MOS管的栅极和第三MOS管的栅极连接并与交直流输入源(Ui)的一端连接，所述第二MOS管的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：向阳，黄如星，
申请(专利权)人：深圳市新国都支付技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44