像素单元、成像系统及在像素单元中制作光学隔离结构的方法技术方案

本申请案涉及一种像素单元、成像系统及在像素单元中制作光学隔离结构的方法。像素单元包含光电二极管，所述光电二极管安置于半导体材料中以响应于经引导到所述光电二极管的入射光而积累图像电荷。全局快门栅极晶体管安置于所述半导体材料中且耦合到所述光电二极管以选择性地耗尽来自所述光电二极管的所述图像电荷。存储晶体管安置于所述半导体材料中以存储所述图像电荷。光学隔离结构安置于所述半导体材料中接近于所述存储晶体管以隔离所述存储晶体管的侧壁与所述半导体材料中的在所述存储晶体管外侧的杂散光及杂散电荷。所述光学隔离结构填充有钨。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般来说涉及半导体处理。更具体来说，本专利技术的实例与具有全局快门的图像传感器像素单元的半导体处理有关。
技术介绍
对于高速图像传感器，可使用全局快门来捕获快速移动的物体。全局快门通常使得图像传感器中的所有像素单元能够同时捕获图像。对于较慢移动的物体，使用较普通的滚动快门。滚动快门通常以一顺序捕获图像。举例来说，可依序启用二维(“2D”)像素单元阵列内的每一行，使得单个行内的每一像素单元同时捕获图像，但以滚动顺序启用每一行。如此，每一像素单元行在不同图像获取窗期间捕获图像。对于缓慢移动的物体，每一行之间的时间差可产生图像失真。对于快速移动的物体，滚动快门可导致沿着物体的移动轴的可感知伸长失真。为实施全局快门，存储电容器或存储晶体管可用于暂时存储由阵列中的每一像素单元获取的图像电荷同时其等待从像素单元阵列读出。当使用全局快门时，通常使用转移晶体管来将图像电荷从光电二极体转移到存储晶体管，且接着使用输出晶体管来将所存储图像电荷从存储晶体管转移到像素单元的读出节点。影响具有全局快门的图像传感器像素单元的性能的因素包含全局快门效率、暗电流、白色像素及图像滞后。一般来说，全本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元，其包括：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于经引导到所述光电二极管的入射光而积累图像电荷；全局快门栅极晶体管，其安置于所述半导体材料中且耦合到所述光电二极管以选择性地耗尽来自所述光电二极管的所述图像电荷；存储晶体管，其安置于所述半导体材料中以存储所述图像电荷；及光学隔离结构，其安置于所述半导体材料中接近于所述存储晶体管以隔离所述存储晶体管的侧壁与所述半导体材料中的在所述存储晶体管外侧的杂散光及杂散电荷，其中所述光学隔离结构填充有钨。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·嘉凯·梁，杨大江，
申请(专利权)人：全视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US