一种同轴结构数据线制造技术

本发明专利技术公开一种同轴结构数据线，包括：Vbus芯线、第一高速信号线对、第二高速信号线对、低速信号线对、屏蔽层、接地层及包覆层。第一高速信号线对、第二高速信号线对及低速信号线对依次卷绕于Vbus芯线上。屏蔽层包覆第一高速信号线对、第二高速信号线对及低速信号线对。接地层包覆屏蔽层。包覆层包覆接地层。第一高速信号线对包括SSTXp1芯线及SSTXn1芯线。第二高速信号线对包括SSRXp1芯线及SSRXn1芯线。低速信号线对包括Dp1芯线及Dn1芯线。本发明专利技术的同轴结构数据线通过相邻两条同轴线组成的差分信号对来进行数据传输，从而使传输信号更加稳定，线材尺寸更小、结构更加圆整，从而满足现代社会对USB数据线产品的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种同轴结构数据线
本专利技术涉及电线电缆领域，特别是涉及一种同轴结构数据线。
技术介绍
关于现在市场电子产品的USB数据线的传输方式，目前市场上的电子产品的USB数据线主要为Type-A转Type-B或者是Type-A转Type-MicroB或是Type-A转Type-A结构。这样的USB数据线传输方式造成市场中USB线材种类繁多，且各种数据线之间又不可兼容使用，在使用时USB数据线端口需分正反面，在无形中浪费了宝贵时间，这对于现在高速发展的社会来说是急需解决的问题。在现有的USB数据线中都是两芯芯线对绞、接地线、绕包屏蔽层组成差分信号对来进行传输，且现有的USB数据线在电源线压降以及电源线额定电流方面无法满足USB协会最新USB3.1标准中Type-C的要求，因此面临着淘汰的危机。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种使用了相邻两条同轴线代替两芯对绞芯线的同轴结构数据线，以使得信号传输更稳定，从而满足现代社会对数据线的要求。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种同轴结构数据线，包括：Vbus芯线、第一高速信号线对、第二高速信号线对、低速信号线对、屏蔽层、接地层及包覆层；所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对依次卷绕于所述Vbus芯线上；所述屏蔽层包覆所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对；所述接地层包覆所述屏蔽层；所述包覆层包覆所述接地层；所述第一高速信号线对包括SSTXp1芯线及SSTXn1芯线；所述第二高速信号线对包括SSRXp1芯线及SSRXn1芯线；所述低速信号线对包括Dp1芯线及Dn1芯线。在其中一个实施例中，所述SSTXp1芯线、SSTXn1芯线分别具有：导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。在其中一个实施例中，所述SSRXp1芯线、SSRXn1芯线分别具有：导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。在其中一个实施例中，所述Dp1芯线、Dn1芯线分别具有：导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。在其中一个实施例中，所述SSTXp1芯线、SSTXn1芯线、SSRXp1芯线、SSRXn1芯线、Dp1芯线及Dn1芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。在其中一个实施例中，所述SSTXn1芯线、SSTXp1芯线、SSRXp1芯线、SSRXn1芯线、Dp1芯线及Dn1芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。在其中一个实施例中，所述SSTXp1芯线、SSTXn1芯线、SSRXn1芯线、SSRXp1芯线、Dp1芯线及Dn1芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。在其中一个实施例中，所述SSTXp1芯线、SSTXn1芯线、SSRXp1芯线、SSRXn1芯线、Dn1芯线及Dp1芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。在其中一个实施例中，所述SSTXn1芯线、SSTXp1芯线、SSRXn1芯线、SSRXp1芯线、Dp1芯线及Dn1芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。在其中一个实施例中，所述SSTXn1芯线、SSTXp1芯线、SSRXn1芯线、SSRXp1芯线、Dn1芯线及Dp1芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。与现有技术相比，本专利技术使用了第一高速信号线对及第二高速信号线对组成的差分信号对来进行数据传输，代替了传统的两芯对绞芯线、接地线、绕包屏蔽层组成的差分信号对来进行数据传输的方式，使传输信号更加的稳定，各线材的尺寸更小，组合结构更加圆整，组合成的线材产品更加柔软且具有弹性，从而满足了现代社会对USB数据线产品的要求。附图说明图1为本专利技术一实施例中的同轴结构数据线的横截面示意图；图2为图1所示的同轴结构数据线的各条SSTXp1芯线、SSTXn1芯线、SSRXp1芯线、SSRXn1芯线、Dp1芯线、Dn1芯线的横截面示意图。具体实施方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示为本专利技术一实施例中的同轴结构数据线10的横截面示意图，其中，Vbus是指连接到电子产品中的电源正极，SSTXp1及SSTXn1是指连接到电子产品中USB3.1信号线对，SSRXp1及SSRXn1是指连接到电子产品中USB3.1信号线对，Dp1及Dn1是指连接到电子产品中的USB2.0信号线对。同轴结构数据线10包括：Vbus芯线100、第一高速信号线对200、第二高速信号线对300、低速信号线对400、屏蔽层500、接地层600及包覆层700。第一高速信号线对200、第二高速信号线对300及低速信号线对400依次卷绕于Vbus芯线100上。屏蔽层500包覆第一高速信号线对200、第二高速信号线对300及低速信号线对400。接地层600包覆屏蔽层500，包覆层700包覆接地层600。第一高速信号线对200包括SSTXp1芯线210及SSTXn1芯线220，第二高速信号线对300包括SSRXp1芯线310及SSRXn1芯线320，低速信号线对400包括Dp1芯线410及Dn1芯线420。本专利技术通过第一高速信号线对200、第二高速信号线对300及低速信号线对400依次卷绕于Vbus芯线100上，并使用屏蔽层500、接地层600及包覆层700依次进行包裹，组成新的USB数据线。在本专利技术的同轴结构数据线10中，第一高速信号线对200的SSTXp1芯线210及SSTXn1芯线220位置可进行交换，第二高速信号线对300的SSRXp1芯线310及SSRXn1芯线320位置可进行交换，低速信号线对400的Dp1芯线410及Dn1芯线420位置可进行交换。因此，本专利技术的同轴结构数据线10具有以下排列组合方式：1、SSTXp1芯线210、SSTXn1芯线220、SSRXp1芯线310、SSRXn1芯线320、Dp1芯线410及Dn1芯线420依次卷绕于Vbus芯线设置；2、SSTXn1芯线220、SSTXp1芯线210、SSRXp1芯线310、SSRXn1芯线320、Dp1芯线410及Dn1芯线420依次卷绕于Vbus芯线设置；3、SSTXp1芯线210、SSTXn1芯线220、SSRXn1芯线320、SSRXp1芯线310、Dp1芯线410及Dn1芯线420依次卷绕于Vbus芯线设置；4、SSTXp1芯线210、SSTXn1芯线220、SSRXp1芯线310、SSRXn1芯线320、Dn1芯线420及Dp1芯线410依次卷绕于Vbus芯线设置；5、SSTXn1芯线220、SSTXp1芯线210、SSRXn1芯线320、SSRXp1芯线310、Dp1芯线410及Dn1芯线420依次卷绕于Vbus芯线设置；6、SSTXn1芯线220、SSTXp1芯线210、SSRXn1芯线320、SSRXp1芯线310、Dn1芯线420及Dp1芯线410依次卷绕于Vbus芯线设置。如图2所示，其为图1所示的同轴结构数据线10的各条SSTXp1芯线210、SSTXn1芯线220、SSRXp1芯线310、SSRXn1芯线320、Dp1芯线410、Dn1芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴结构数据线，其特征在于，包括：Vbus芯线、第一高速信号线对、第二高速信号线对、低速信号线对、屏蔽层、接地层及包覆层；所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对依次卷绕于所述Vbus芯线上；所述屏蔽层包覆所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对；所述接地层包覆所述屏蔽层；所述包覆层包覆所述接地层；所述第一高速信号线对包括SSTXp1芯线及SSTXn1芯线；所述第二高速信号线对包括SSRXp1芯线及SSRXn1芯线；所述低速信号线对包括Dp1芯线及Dn1芯线。

【技术特征摘要】
1.一种同轴结构数据线，其特征在于，包括：Vbus芯线、第一高速信号线对、第二高速信号线对、低速信号线对、屏蔽层、接地层及包覆层；所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对依次卷绕于所述Vbus芯线上；所述屏蔽层包覆所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对；所述接地层包覆所述屏蔽层；所述包覆层包覆所述接地层；所述第一高速信号线对包括SSTXp1芯线及SSTXn1芯线；所述第二高速信号线对包...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑俊超，刘丽萍，郭云，
申请(专利权)人：惠州乐庭电子线缆有限公司，乐庭电线工业惠州有限公司，深圳市沃尔特种线缆有限公司，深圳市沃尔核材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44