本发明专利技术提供一种增亮阻隔膜及具有该增亮阻隔膜的量子点膜、背光模组，增亮阻隔膜包括基材层，依次层设在基材层顶面上的无机镀层、聚合物层，以及设置在基材层底面的增亮层，增亮层呈连续式三角棱柱结构分布。本发明专利技术所述的增亮阻隔膜层结构简单，增亮效果好，其应用到背光模组中，背光模组中可无需棱镜膜聚光增亮。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及导电膜
，尤其涉及一种增亮阻隔膜及具有该增亮阻隔膜的量 子点膜、背光模组。
技术介绍
请参阅图1，所示为用于液晶显示器背后的一种较常见的侧光式LED背光源，包括 导光板1，依次层设在导光板1上的第一扩散膜2、量子点膜3、棱镜膜4与第二扩散膜5,以及 设置在导光板1 一侧的LED光源6。第一扩散膜2与第二扩散膜5可对透过的光线做散射处理， 让光分布更加均匀，量子点膜3用于提供量子点，可以在LED发出的光的激发下发光。量子点 发出的光与LED发出的光经混合可以形成白光，增强液晶显示器的显示效果。量子点膜3包 括量子点层301及设置在量子点层301两侧的阻隔膜层302,量子点层301为含有量子点的聚 合物层，量子点需对氧气和水密封，通过阻隔膜层302以阻隔氧气与水。目前常用的阻隔膜 结构如图2所示，包括基材层201，设置在基材层201表面的SiN x层202或SiOy层202,以及设置 在SiNx层202或SiO y层202上的聚合物层203,基材层201底面进一步包括一背涂层204。上述 阻隔膜中采用SiNx层时，阻隔效果佳，然光线透过率低，色偏严重;上述阻隔膜中采用SiO y层 时，透過率高，低色偏，然密著差。此外，由于量子点膜3的聚光性不佳，经过量子点膜3后需 经过棱镜膜4聚光增亮，使得侧光式LED背光源层结构相对较复杂，且棱镜膜4的增光效果不 理想。
技术实现思路
鉴于以上所述，本专利技术研发一种透过率高、低色偏、阻隔效果佳的增亮阻隔膜。 -种增亮阻隔膜，具有基材层，依次层设在基材层顶面上的无机镀层、聚合物层， 以及设置在基材层底面的增亮层，所述无机镀层采用SiNjl、SiO y层交互堆叠的复合式无机 层，X取值1至4/3之间，y取值1.8至2之间，增亮层呈连续式三角棱柱结构分布。 进一步地，所述SiNx层的厚度在3nm至40nm之间，SiOy层厚度在20nm至120nm之间。 进一步地，所述SiNx层厚度介于5nm-20nm，Si0y层厚度介于30nm-90nm。 进一步地，所述无机层总厚度介于5-200nm之间。 进一步地，所述聚合物层采用掺杂无机粒子的有机涂层。 进一步地，所述无机粒子选用氧化硅、氧化钛、氧化铝颗粒、氧化锆颗粒、氧化锑颗 粒或氧化锌颗粒粒子。 进一步地，所述基材层顶面上形成有N层无机镀层与聚合物层组成的复合层，5 层，更佳地为3层。 进一步地，所述基材层与无机层之间形成有一平滑涂层，平滑涂层表面粗糙度小 于 7nm〇 进一步地，所述三角棱柱底面宽度介于12-60um之间，优选为23-55nm之间，顶角介 于60-120度之间，优选为80-100度之间。 此外，本专利技术有必要提供一种具有所述增亮阻隔膜的量子点膜。 -种量子点膜，包括量子点层以及设置在量子点层两侧的阻隔膜，量子点层两侧 阻隔膜至少一侧选用所述的增亮阻隔膜。 再有，本专利技术有必要提供一种具有所述增亮阻隔膜的侧光式LED背光源。 一种侧光式LED背光源，包括导光板，依次层设在导光板上的第一扩散膜、量子点 膜与第二扩散膜，以及设置在导光板一侧的led光源，所述量子点膜包括量子点层以及设置 在量子点层两侧的阻隔膜，量子点层两侧阻隔膜至少一侧选用所述的增亮阻隔膜。 本专利技术的有益效果，增亮阻隔膜增亮阻隔膜的基材层一表面上的无机层采用SiNx 层、SiOy层交互堆叠的复合式无机层，通过在基材另一表面设置增亮层，增亮层采用连续式 三角棱柱结构分布，可起到聚光效果，提高了亮度。【附图说明】 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下 面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，描述中的附图仅仅是对 应于本专利技术的具体实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下， 在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为现有侧光式LED背光源的结构示意图； 图2为现有阻隔膜的层结构示意图； 图3为本专利技术提供的一种的侧光式LED背光源的结构示意图； 图4为图3所示的侧光式LED背光源的量子点膜的层结构示意图； 图5为本专利技术提供另一种量子点膜的层结构示意图； 图6为本专利技术提供第三种量子点膜的层结构示意图； 图7为本专利技术量子点膜的增亮层的三角棱柱结构截面图； 图8为本专利技术提供具有所述增亮阻隔膜的另一种的侧光式LED背光源的结构示意 图； 图9为本专利技术提供具有所述增亮阻隔膜的第三种的侧光式LED背光源的结构示意 图。【具体实施方式】 为了详细阐述本专利技术为达成预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合本发 明实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的 实施例仅仅是本专利技术的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付出创造性劳动的前 提下，本专利技术的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将参考附图并结合实施例 来详细说明本专利技术。请参阅图3,一种侧光式LED背光源，包括导光板10,依次层设在导光板10上的第一 扩散膜20、量子点膜30、棱镜膜40、与第二扩散膜50,以及设置在导光板10-侧的LED光源 601Ε?光源60发出光线经过第一扩散膜20后，均匀进入量子点膜30,量子点膜30提供量子 点，在LED发出的光的激发下发光，并且连同LED的光线进入棱镜膜40、棱镜膜40聚光增亮后 进入第二扩散膜50,第二扩散膜50对透过的光线做散射处理，让光射出分布更加均匀。 量子点膜30包括量子点层31以及设置在量子点层31两侧的阻隔膜，其中一侧选用 普通阻隔膜32,另一侧制作增亮阻隔膜33,量子点膜30的普通阻隔膜31的一侧邻接第一扩 散膜20，量子点膜30的增亮阻隔膜33的一侧邻接棱镜膜40。 请参阅图4,增亮阻隔膜33的第一较佳实施例，包括基材层331、依次形成在基材层 331-表面上的无机镀层332、聚合物层333,以及形成在基材层331另一表面的增亮层334。 基材层331材质选用PET、PEN、PC、COP或⑶C任一种或几种的组合，优选PET基材层。基材层 331厚度12-260um之间。无机镀层332采用SiNx层、SiOy层交互堆叠的复合式无机层，X取值1至4/3之间，y取 值1.8至2之间。无机层总厚度需介于5-200nm之间，优选lO-lSOnnuSiNx层通过以派镀或蒸 镀方式形成在基材层331表面，N与Si的比例需控制在x= 1-4/3之间，才能达到Si与N的完整 键结状态。SiNx层厚度在3nm-40nm之间，较佳地选择在3nm-20nm之间，最佳为5nm_20nm之 间。SiO y层通过溅射法、真空蒸镀法、离子镀法或等离子体CVD法制作在SiNx层12表面，0与Si 比例需控制在y = l .8-2之间，若y低于1.8贝ij会造成折射率偏高，影响整体光学设计。SiOy层 厚度20nm-120nm间，较佳地选择在30nm-120nm之间，最佳为在30nm-90nm之间。聚合物层333为有机涂层或掺杂无机粒子的有机层。有机层材料为:丙烯酸酯类树 月旨、有机硅氧烷树脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有机硅树脂或环氧树脂。无机粒 子主要为氧化硅、氧化钛粒子。聚合物层333厚度为0 · 3um-lOum之间，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种增亮阻隔膜(33)，具有基材层(331)，其特征在于：增亮阻隔膜(33)包括依次层设在基材层(331)顶面上的无机镀层(332)、聚合物层(333)，以及设置在基材层(331)底面的增亮层(334)，所述无机镀层(332)采用SiNx层、SiOy层交互堆叠的复合式无机层，x取值1至4/3之间，y取值1.8至2之间，增亮层(334)呈连续式三角棱柱结构分布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡文玮，
申请(专利权)人：汕头万顺包装材料股份有限公司，汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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