一种微波功率管用氮化铝基板及其制造方法技术

本发明专利技术是一种微波功率管用氮化铝基板，其结构表层金属布线；孔侧壁金属化；底面接地满金属化，在表层金属化上进行多管芯的焊接与互联，通过孔侧壁金属化与底面满金属化满足接地的需求；利用多层共烧工艺，选用氮化铝陶瓷作为陶瓷基体材料，钨作为金属化材料，采用孔侧壁金属化工艺形成上下层间互联，采用化学镀镍、化学镀金工艺对表层钨金属线路层进行镀覆。优点：相对于有机基板不足10W/mK及氧化铝基板30W/mK左右的热导率，该基板的热导率提高至170W/mK，能够满足高功率密度微波器件的封装需求。并且采用孔侧壁金属化工艺与化学镀镍、化学镀金工艺，适合高效率批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是，乃是针对SiC功率管或GaN功率管的高功率密度微波基板制造方法，属于微波功率管

技术介绍
随着SiC功率管或GaN功率管的迅速发展，器件的发热量迅速增加，会造成器件温度迅速升高，从而影响芯片的工作状态。因此，对互联基板散热性提出了更高的要求。而目前普遍使用较广的以高分子为基材以及氧化铝陶瓷为基材的两类基板，而随着器件功率的不断增大，两类基板已经很难满足使用要求。对于高分子类基板，其由于成本低，便于成型，在封装互联领域应用最为广泛。但是其热导率低也非常的低，一般该类型热导率都低于lW/mK。一些高分子基板会通过在树脂中添加氮化铝粉体等进行改性，但是热导率都低于10W/mK。因此，对于SiC功率管或GaN功率管而言，越来越难以满足其使用要求。对于氧化铝陶瓷基板，也是比较成熟的封装互联产品。其热导率一般在30W/mK左右。相对高分子基板，其热导率有了较大提升，能够满足一部分微波功率管的使用。但是，随着微波功率管的功率进一步提高，器件的体积不断缩小，单位功率密度迅速增加，30W/mK热导率也不能满足其使用。一些器件，采用氧化铝陶瓷加钨铜底座等方式，改进其散热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波功率管用氮化铝基板，其特征是表层金属布线；孔侧壁金属化；底面接地满金属化，在表层金属化上进行多管芯的焊接与互联，通过孔侧壁金属化与底面满金属化满足接地的需求，基板上的管芯发热量，通过氮化铝陶瓷，能够有效传递出去，以保证工作状态下的温度稳定性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈寰贝，夏庆水，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32