一种内嵌式自电容触控基板及面板制造技术

本实用新型专利技术公开了内嵌式自电容触控基板及面板，利用自电容复用的原理复用公共电极作为自电容电极，将第三导电层设置于垂直于玻璃基板所在平面的方向上的公共电极层、所述像素电极层两层结构之外，且在垂直于玻璃基板所在平面的方向上的第二导电层、第三导电层之间增加一ITO层。通过上述方式，本实用新型专利技术可以实现降低显示单元驱动电压，并减少功耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及触控
，特别涉及一种内嵌式自电容触控基板及面板。
技术介绍
在液晶显示
，内嵌式(In-cell)触控屏因在显示屏内部与ITO一体形成，在减少显示屏的厚度及提高穿透率方面拥有显著的优势。能够实现更薄的机身和较佳的用户体验，适用领域广泛，用户群不断增多。内嵌式触控屏主要分为自电容和互电容两种方式。自电容是指在玻璃表面用ITO制作成横向与纵向电极阵列，这些横向和纵向的电极分别与地构成的电容，也就是电极对地的电容。当手指触摸到电容屏时，手指的电容将会叠加到触控屏的屏体电容上，使屏体电容量增加。通过检测到的电压的变化，检测触控点的具体位置。现有技术中，内嵌式自电容触控面板中公共电极层与像素电极层之间厚度较大，电容容量随之变大，同样电场情况下需要的显示单元驱动电压增大，功耗增加。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是针对现有技术中存在的显示单元驱动电压较大的问题，提供一种内嵌式自电容触控基板及面板，用于解决现有技术中显示单元驱动电压较大，功耗增加的问题。为了解决上述技术问题，本技术提供的一个技术方案是：提供一种内嵌式自电容触控基板，包括：玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层；公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层设置于玻璃基板上，且均不同层设置；第一导电层、第二导电层其中之一连接像素电极层，并且r>第一导电层、第二导电层是驱动像素电极层的开关元件的构成部分；公共电极层与像素电极层沿玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，第三导电层在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于公共电极层、像素电极层两层结构之外，并连接公共电极以作为自电容触控的信号线。其中，第三导电层位于公共电极层、像素电极层两层结构与玻璃基板之间。其中，第一导电层、第二导电层以及第三导电层均为金属导电层，且在玻璃基板上沿垂直于玻璃基板所在平面的方向上依序间隔设置。其中，内嵌式自电容触控基板进一步包括在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于第二导电层、第三导电层之间的ITO层，ITO层与第三导电层接触。其中，第二导电层包括分别作为开关元件输入端、开关元件输出端的第一电极部分、第二电极部分，第二电极部分与公共电极层、第三导电层均沿玻璃基板所在平面的方向错开，并且连接像素电极。为了解决上述技术问题，本技术提供的另一个技术方案是：提供一种内嵌式自电容触控面板，包括：间隔设置的第一基板和第二基板，第一基板位于用户触控操作一侧；第二基板包括玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层；公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层设置于玻璃基板的朝向第一基板一侧，且均不同层设置；第一导电层、第二导电层其中之一连接像素电极层，并且第一导电层、第二导电层是驱动像素电极层的开关元件的构成部分；公共电极层与像素电极层沿玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，第三导电层在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于公共电极层、像素电极层两层结构之外，并连接公共电极以作为自电容触控的信号线。其中，第一导电层、第二导电层以及第三导电层均为金属导电层，且在玻璃基板上沿垂直于玻璃基板所在平面的方向上依序间隔设置；内嵌式自电容触控基板进一步包括在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于第二导电层、第三导电层之间的ITO层，ITO层与第三导电层接触。其中，第二导电层包括分别作为开关元件输入端、开关元件输出端的第一电极部分、第二电极部分，第二电极部分与公共电极层、第三导电层均沿玻璃基板所在平面的方向错开，并且连接像素电极。以上可知，第三导电层并不位于垂直于玻璃基板所在平面的方向上的公共电极层和像素电极层之间，而位于公共电极层、像素电极层两层结构之外，使得公共电极层和像素电极层之间在垂直于玻璃基板所在平面的方向上的距离变小，使得公共电极层与像素电极层之间的电容值降低，在相同电场下驱动公共电极与像素电极的电压降低。由此，实现显示单元驱动电压和功耗的降低。附图说明图1是本技术内嵌式自电容触控基板第一实施例的部分截面示意图；图2是本技术内嵌式自电容触控基板第二实施例的部分截面示意图；图3是本技术内嵌式自电容触控面板第一实施例的部分截面示意图；图4是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第一实施例的流程图；图5是按照图4所示方法制作的内嵌式自电容触控基板的部分截面示意图；图6是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的遮挡层形成示意图；图7是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的半导体层层形成示意图；图8是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的半导体层掺杂示意图；图9是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第二绝缘层、第一导电层的形成示意图；图10是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的抗压复合层形成示意图；图11是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第二导电层形成示意图；图12是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第三导电层和ITO层成膜示意图；图13是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第三导电层和ITO层图形化示意图；图14是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第一绝缘层图形化示意图；图15是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的ITP层形成示意图；图16是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的公共电极层形成示意图；图17本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的自电容示意图；图18是本技术内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的PV层和公共电极层形成示意图。具体实施方式参阅图1，本技术内嵌式自电容触控基板的第一实施例包括：玻璃基板110、公共电极层160、像素电极层150、第一导电层120、第二导电层130以及第三导电层140；公共电极层160、像素电极层150、第一导电层120、第二导电层130以及第三导电层140设置于玻璃基板110上，且均不同层设置；第一导电层120、第二导电层130其中之一连接像素电极层150，并且第一导电层120、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内嵌式自电容触控基板，其特征在于，包括：玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层；所述公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层设置于所述玻璃基板上，且均不同层设置；所述第一导电层、第二导电层其中之一连接所述像素电极层，并且所述第一导电层、第二导电层是驱动所述像素电极层的开关元件的构成部分；所述公共电极层与所述像素电极层沿所述玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，所述第三导电层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上位于所述公共电极层、所述像素电极层两层结构之外，并连接所述公共电极以作为所述自电容触控的信号线。

【技术特征摘要】
1.一种内嵌式自电容触控基板，其特征在于，
包括：玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导
电层以及第三导电层；
所述公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三
导电层设置于所述玻璃基板上，且均不同层设置；
所述第一导电层、第二导电层其中之一连接所述像素电极层，并且
所述第一导电层、第二导电层是驱动所述像素电极层的开关元件的构成
部分；
所述公共电极层与所述像素电极层沿所述玻璃基板所在平面的方
向至少部分错开，所述第三导电层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方
向上位于所述公共电极层、所述像素电极层两层结构之外，并连接所述
公共电极以作为所述自电容触控的信号线。
2.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控基板，其特征在于，
所述第三导电层位于所述公共电极层、所述像素电极层两层结构与
所述玻璃基板之间。
3.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控基板，其特征在于，
所述第一导电层、第二导电层以及第三导电层均为金属导电层，且
在所述玻璃基板上沿垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上依序间隔
设置。
4.根据权利要求3所述的内嵌式自电容触控基板，其特征在于，
所述内嵌式自电容触控基板进一步包括在垂直于所述玻璃基板所
在平面的方向上位于所述第二导电层、第三导电层之间的ITO层，所述
ITO层与所述第三导电层接触。
5.根据权利要求3所述的内嵌式自电容触控基板，其特征在于，
所述第二导电层包括分别作为所述开关元件输入端、开关元件输出
端的第一电极部分、第二电极部分，所述第二电极部分与所述公共电极
层、所述第三导电层均沿所述玻璃基板所在平面的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹尚操，肖军城，陈归，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42