本发明专利技术提供了一种小型双电源控制开关，包括控制芯片、三极管和双向可控硅，主电源通过控制芯片、主三极管和主双向可控硅控制电机正转；备用电源通过控制芯片、备三极管和备双向可控硅控制电机反转。本发明专利技术采用三极管和可控硅对双电源进行控制，可以有效地减少空间的占用，缩小PCB板的面积的同时使得产品可以更加小巧，同时可控硅的重量轻，可以让产品可携带性更好；三极管控制速度快，一般在数百ns甚至更短，可以在短时间接受信号完成通断，这在需要快速通断的电路中能起到很好的作用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电控
，尤其是涉及一种小型双电源控制开关。
技术介绍
现有技术中，小型双电源控制开关多采用机械结构的开关器件，体积大、比较笨重，寿命有限，响应时间长，线路结构较复杂，所以如何设计一种体积小、重量轻、响应时间短、线路简单、节约成本的电机用小型双电源控制开关成为本领域技术人员研究的课题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提出一种体积小、重量轻、响应时间短、线路简单、节约成本的电机用小型双电源控制开关。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的:—种小型双电源控制开关，包括主电源部分和备用电源部分，CPU控制所述主电源部分的主三极管的基极，所述主三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述主三极管的发射极接主双向可控硅的控制极，所述主双向可控硅导通时电机正转;所述CPU控制所述备用电源部分的备三极管的基极，所述备三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述备三极管的发射极接备双向可控硅的控制极，所述备双向可控硅导通时电机反转。所述三极管型号为9014。所述可控硅型号为BTA12-800B。所述CPU 的型号为 STM8S005K6。相对于现有技术，本专利技术所述的小型双电源控制开关具有以下优势:1.变压器及继电器占据面积比率过大的问题一直以来都是需要解决的。本专利技术采用三极管和可控硅对双电源进行控制，可以有效地减少空间的占用，缩小PCB板的面积的同时使得产品可以更加小巧，同时可控硅的重量轻，可以让产品可携带性更好。 2.三极管控制速度快，一般在数百ns甚至更短，可以在短时间接受信号完成通断，这在需要快速通断的电路中能起到很好的作用。3.传统变压器和继电器属于功率器件，在使用的时候存在烧坏电机的现象，且其过于笨重并且更换维修相当繁琐，使用可控硅代替继电器之后可以在去除继电器的同时将变压器拿掉，这不但大大减少了控制器整体的重量，还降低了维修操作的难度，整个PCB板几乎可以全部使用贴片元件，剩余的直插式元件在流水线作业时会简便许多，提高产量并降低隐患。4.本专利技术还可以省去一个吸收反向电动势的二极管，可以减少元件的使用，从而降低出错的概率及成本。【附图说明】构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为本专利技术的工作原理图；图2为本专利技术的工作流程图。【具体实施方式】需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。一种小型双电源控制开关，包括主电源部分和备用电源部分，CPU控制所述主电源部分的主三极管的基极，所述主三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述主三极管的发射极接主双向可控硅的控制极，所述主双向可控硅导通时电机正转;所述CPU控制所述备用电源部分的备三极管的基极，所述备三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述备三极管的发射极接备双向可控硅的控制极，所述备双向可控硅导通时电机反转。所述三极管型号为9014。所述可控硅型号为BTA12-800B。所述CPU 的型号为 STM8S005K6。本专利技术具有以下优势:1.本专利技术采用三极管和可控硅对双电源进行控制，可以有效地减少空间的占用，缩小PCB板的面积的同时使得产品可以更加小巧，同时可控硅的重量轻，可以让产品可携带性更好；2.三极管控制速度快，一般在数百ns甚至更短，可以在短时间接受信号完成通断，这在需要快速通断的电路中能起到很好的作用。3.本专利技术省去了笨重的变压器，这会大大降低PCB板的重量，并且可控硅可以是贴片元件，在取消掉继电器和变压器之后，整个PCB板几乎可以全部使用贴片元件，剩余的直插式元件在流水线作业时会简便许多，提高产量并降低隐患。4.本专利技术还可以省去一个吸收反向电动势的二极管，可以减少元件的使用，从而降低出错的概率及成本。控制过程:CPU根据检测结果，如果电机需要正转，则控制主电源部分的主三极管触发主双向可控硅导通，电机正转，如果电机需要反转，则控制备用电源部分的备三极管触发备双向可控硅导通，电机反转。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种小型双电源控制开关，其特征在于:包括主电源部分和备用电源部分，CPU控制所述主电源部分的主三极管的基极，所述主三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述主三极管的发射极接主双向可控硅的控制极，所述主双向可控硅导通时电机正转;所述CPU控制所述备用电源部分的备三极管的基极，所述备三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述备三极管的发射极接备双向可控硅的控制极，所述备双向可控硅导通时电机反转。2.根据权利要求1所述的小型双电源控制开关，其特征在于:所述三极管型号为9014。3.根据权利要求1或2所述的小型双电源控制开关，其特征在于:所述可控硅型号为BTA12-800B。4.根据权利要求1或2所述的小型双电源控制开关，其特征在于:所述CPU的型号为STM8S005K6。【专利摘要】本专利技术提供了一种小型双电源控制开关，包括控制芯片、三极管和双向可控硅，主电源通过控制芯片、主三极管和主双向可控硅控制电机正转；备用电源通过控制芯片、备三极管和备双向可控硅控制电机反转。本专利技术采用三极管和可控硅对双电源进行控制，可以有效地减少空间的占用，缩小PCB板的面积的同时使得产品可以更加小巧，同时可控硅的重量轻，可以让产品可携带性更好；三极管控制速度快，一般在数百ns甚至更短，可以在短时间接受信号完成通断，这在需要快速通断的电路中能起到很好的作用。【IPC分类】G05B19/042【公开号】CN105446235【申请号】CN201511034722【专利技术人】尹维冠 【申请人】天津拓晟科技发展有限公司【公开日】2016年3月30日【申请日】2015年12月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种小型双电源控制开关，其特征在于：包括主电源部分和备用电源部分，CPU控制所述主电源部分的主三极管的基极，所述主三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述主三极管的发射极接主双向可控硅的控制极，所述主双向可控硅导通时电机正转；所述CPU控制所述备用电源部分的备三极管的基极，所述备三极管的集电极经过一电阻接5V电源，所述备三极管的发射极接备双向可控硅的控制极，所述备双向可控硅导通时电机反转。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尹维冠，
申请(专利权)人：天津拓晟科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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