本实用新型专利技术公开了电场强度检测电路，包括天线TX、电容器C1、电容器C2、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、电阻器R4、电位器RP、二极管V1、二极管V2、三极管VT1、三极管VT2、发光二极管VD、开关S。所述天线TX连接二极管V1的正极，所述二极管V1的负极通过电容器C1连接地信号GND，所述天线TX还连接二极管V2的正极，所述二极管V2的负极连接三极管VT1的基极，所述二极管V2的负极还通过电容器C2连接电阻器R4的一端，所述二极管V2的负极还通过电阻器R1连接电阻器R4的一端。本实用新型专利技术的电路结构简单、成本低、使用功耗小、检测的灵敏度高、实用性高。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电场强度检测电路。
技术介绍
现有的电场强度检测电路，电路结构复杂、成本高、使用时功耗大、检测的灵敏度不高、实用性低，影响了人们的使用。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有产品中的不足，提供一种电路结构简单、成本低、使用功耗小、检测的灵敏度高、实用性高的电场强度检测电路。为了达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的:本技术的电场强度检测电路，包括天线TX、电容器C1、电容器C2、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、电阻器R4、电位器RP、二极管V1、二极管V2、三极管VT1、三极管VT2、发光二极管VD、开关S，天线TX连接二极管VI的正极，二极管VI的负极通过电容器C1连接地信号GND，天线TX还连接二极管V2的正极，二极管V2的负极连接三极管VT1的基极，二极管V2的负极还通过电容器C2连接电阻器R4的一端，二极管V2的负极还通过电阻器R1连接电阻器R4的一端，电阻器R4的一端通过电容器C1连接地信号GND，电容器R4的另一端连接电位器RP的滑动端，电位器RP的一个固定端通过开关S连接直流电源VCC，电位器RP的另一个固定端连接地信号GND，三极管VT1的集电极通过电阻器R2连接发光二极管VD的正极，三极管VT1的发射极连接三极管VT2的基极，三极管VT2的发射极连接地信号GND，三极管VT2的集电极通过电阻器R3连接发光二极管VD的负极，发光二极管VD的正极通过开关S连接直流电源VCC。本技术的直流电源VCC为6V。本技术的电阻器R1为100k Ω，电阻器R2为3kQ，电阻器R3为47 Ω，电阻器R4 为 3k Ω。本技术的电容器C1为lyF，电容器C2为10nF。本技术的三极管VT1和三极管VT2都为NPN型三极管。本技术的有益效果如下:电路结构简单、成本低、使用功耗小、检测的灵敏度尚、实用性尚。【附图说明】图1为本技术的电路原理示意图。【具体实施方式】下面结合说明书附图对本技术的技术方案作进一步说明:如图1所示，本技术的电场强度检测电路，包括天线TX、电容器C1、电容器C2、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、电阻器R4、电位器RP、二极管V1、二极管V2、三极管VT1、三极管VT2、发光二极管VD、开关S，天线TX连接二极管VI的正极，二极管VI的负极通过电容器C1连接地信号GND，天线TX还连接二极管V2的正极，二极管V2的负极连接三极管VT1的基极，二极管V2的负极还通过电容器C2连接电阻器R4的一端，二极管V2的负极还通过电阻器R1连接电阻器R4的一端，电阻器R4的一端通过电容器C1连接地信号GND，电容器R4的另一端连接电位器RP的滑动端，电位器RP的一个固定端通过开关S连接直流电源VCC，电位器RP的另一个固定端连接地信号GND，三极管VT1的集电极通过电阻器R2连接发光二极管VD的正极，三极管VT1的发射极连接三极管VT2的基极，三极管VT2的发射极连接地信号GND，三极管VT2的集电极通过电阻器R3连接发光二极管VD的负极，发光二极管VD的正极通过开关S连接直流电源VCC。本技术的直流电源VCC为6V。本技术的电阻器R1为1001^，电阻器1?2为31^，电阻器1?3为47 0，电阻器R4 为 3k Ω。本技术的电容器C1为lyF，电容器C2为10nF。本技术的三极管VT1和三极管VT2都为NPN型三极管。工作原理:采用先检波再将信号进行直流放大的方法，将天线TX靠近被测电器，由天线TX、二极管V1、电容C1构成的电路接收到高频信号，经二极管V2、电容器C2检波后产生直流电压，再经过三极管VT1和三极管VT2放大后，推动发光二极管VD发光指示，调节电位器RP的阻值大小，控制三极管VT1的基极电压，进而改变发光二极管VD的发光强弱，达到调节灵敏度的作用。电位器RP选用带电源开关的线性电位器，便于在制作时划出均匀的衰减刻度线，通过观察发光二极管VD的发光强度，并结合此时电位器RP所在的刻度数，即可判断被测电器是否工作以及被测电器的场强大小。本技术的电路结构简单、成本低、使用功耗小、检测的灵敏度高、实用性高。需要注意的是，以上列举的仅是本技术的一种具体实施例。显然，本技术不限于以上实施例，还可以有许多变形。总之，本领域的普通技术人员能从本技术公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本技术的保护范围。【主权项】1.电场强度检测电路，其特征在于，包括天线TX、电容器C1、电容器C2、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、电阻器R4、电位器RP、二极管V1、二极管V2、三极管VT1、三极管VT2、发光二极管VD、开关S，所述天线TX连接二极管VI的正极，所述二极管VI的负极通过电容器C1连接地信号GND，所述天线TX还连接二极管V2的正极，所述二极管V2的负极连接三极管VT1的基极，所述二极管V2的负极还通过电容器C2连接电阻器R4的一端，所述二极管V2的负极还通过电阻器R1连接电阻器R4的一端，所述电阻器R4的一端通过电容器C1连接地信号GND，所述电容器R4的另一端连接电位器RP的滑动端，所述电位器RP的一个固定端通过开关S连接直流电源VCC，所述电位器RP的另一个固定端连接地信号GND，所述三极管VT1的集电极通过电阻器R2连接发光二极管VD的正极，所述三极管VT1的发射极连接三极管VT2的基极，所述三极管VT2的发射极连接地信号GND，所述三极管VT2的集电极通过电阻器R3连接发光二极管VD的负极，所述发光二极管VD的正极通过开关S连接直流电源 VCC。2.根据权利要求1所述电场强度检测电路，其特征在于，所述直流电源VCC为6V。3.根据权利要求1所述电场强度检测电路，其特征在于，所述电阻器R1为lOOkQ，所述电阻器R2为3k Ω，所述电阻器R3为47 Ω，所述电阻器R4为3k Ω。4.根据权利要求1所述电场强度检测电路，其特征在于，所述电容器C1为1μ F，所述电容器C2为10nF。5.根据权利要求1所述电场强度检测电路，其特征在于，所述三极管VT1和三极管VT2都为NPN型三极管。【专利摘要】本技术公开了电场强度检测电路，包括天线TX、电容器C1、电容器C2、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、电阻器R4、电位器RP、二极管V1、二极管V2、三极管VT1、三极管VT2、发光二极管VD、开关S。所述天线TX连接二极管V1的正极，所述二极管V1的负极通过电容器C1连接地信号GND，所述天线TX还连接二极管V2的正极，所述二极管V2的负极连接三极管VT1的基极，所述二极管V2的负极还通过电容器C2连接电阻器R4的一端，所述二极管V2的负极还通过电阻器R1连接电阻器R4的一端。本技术的电路结构简单、成本低、使用功耗小、检测的灵敏度高、实用性高。【IPC分类】G01R29/12【公开号】CN205103320【申请号】CN201520779079【专利技术人】洪蔡罗 【申请人】洪蔡罗【公开日】2016年3月23日【申请日】2015年9月30日本文档来自技高网...
【技术保护点】
电场强度检测电路，其特征在于，包括天线TX、电容器C1、电容器C2、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、电阻器R4、电位器RP、二极管V1、二极管V2、三极管VT1、三极管VT2、发光二极管VD、开关S，所述天线TX连接二极管V1的正极，所述二极管V1的负极通过电容器C1连接地信号GND，所述天线TX还连接二极管V2的正极，所述二极管V2的负极连接三极管VT1的基极，所述二极管V2的负极还通过电容器C2连接电阻器R4的一端，所述二极管V2的负极还通过电阻器R1连接电阻器R4的一端，所述电阻器R4的一端通过电容器C1连接地信号GND，所述电容器R4的另一端连接电位器RP的滑动端，所述电位器RP的一个固定端通过开关S连接直流电源VCC，所述电位器RP的另一个固定端连接地信号GND，所述三极管VT1的集电极通过电阻器R2连接发光二极管VD的正极，所述三极管VT1的发射极连接三极管VT2的基极，所述三极管VT2的发射极连接地信号GND，所述三极管VT2的集电极通过电阻器R3连接发光二极管VD的负极，所述发光二极管VD的正极通过开关S连接直流电源VCC。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪蔡罗，
申请(专利权)人：洪蔡罗，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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