基于信号滤波可调及温度检测的电涡流缓速器测试系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于信号滤波可调及温度检测的电涡流缓速器测试系统，包括电涡流缓速器，其特征在于，还包括分别与电涡流缓速器相连接的驱动器、温度传感器、电流变送器和扭矩传感器，分别与温度传感器、电流变送器和扭矩传感器相连接的处理单元，以及分别与驱动器和处理单元相连接的上位计算机；所述处理单元则由单片机，与单片机相连接的模数转换单元、电流/电压转换单元、CAN通讯单元和信号滤波可调单元，与模数转换单元相连接的温度信号放大单元等组成。本发明专利技术设置有信号滤波可调单元，其可对转换后的扭矩信号进行滤波处理，因此该转换后的扭矩信号不会受到来自系统自身或外界的干扰因素的影响，如此则可以提高本发明专利技术的测试精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电涡流缓速器测试系统，具体是指一种基于信号滤波可调及温度检测的电涡流缓速器测试系统。
技术介绍
电涡流缓速器是一种汽车辅助制动装置，俗称电刹，主要应用于大型客车、城市公交车辆及重型卡车。该装置安装在汽车驱动桥与变速箱之间，通过电磁感应原理实现无接触制动。电涡流缓速器测试系统是针对出厂前的电涡流缓速器的性能进行检测，从而确保合格的电涡流缓速器才能在市场上流通，因此拥有良好性能的电涡流缓速器测试系统则显得优为重要。然而，传统的电涡流缓速器测试系统无法对电涡流缓速器的工作温度进行精确的检测，从而导致测试人员无法准确的对电涡流缓速器的性能进行评估。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统的电涡流缓速器测试系统无法对电涡流缓速器的工作温度进行精确检测的缺陷，提供一种基于信号滤波可调及温度检测的电涡流缓速器测试系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:基于信号滤波可调及温度检测的电涡流缓速器测试系统，包括电涡流缓速器，分别与电涡流缓速器相连接的驱动器、温度传感器、电流变送器和扭矩传感器，分别与温度传感器、电流变送器和扭矩传感器相连接的处理单元，以及分别与驱动器和处理单元相连接的上位计算机；所述处理单元则由单片机，与单片机相连接的模数转换单元、电流/电压转换单元、CAN通讯单元和信号滤波可调单元，与模数转换单元相连接的温度信号放大单元，与信号滤波可调单元相连接的A/D转换单元，与A/D转换单元相连接的扭矩信号放大单元组成；所述温度信号放大单元还与温度传感器相连接，电流/电压转换单元则与电流变送器相连接，扭矩信号放大单元则还与扭矩传感器相连接，CAN通讯单元则通过CAN总线与上位计算机相连接；所述信号滤波可调单元由三极管VT7，三极管VT8，正极经极性电容C15后与三极管VT8的基极相连接、负极则经电阻R9后形成该信号滤波可调单元的输入端的极性电容C16，N极与极性电容C16的正极相连接、P极则顺次经电阻R13和电阻R9后与极性电容C16的负极相连接的二极管D5，正极与三极管VT8的基极相连接、负极则经电位器R12后与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C14，N极形成该信号滤波可调单元的输出端、P极则经电阻R15后与三极管VT7的基极相连接的二极管D6，一端与三极管VT7的基极相连接、另一端则经电阻R9后与极性电容C16的负极相连接的电阻R14，串接在二极管D6的N极和三极管VT8的集电极之间的电阻R11，一端与三极管VT8的发射极相连接、另一端接地的电阻R10，正极与三极管VT8的发射极相连接、负极接地的极性电容C17，以及N极与二极管D6的N极相连接、P极接地的稳压二极管D7组成；所述电位器R12的控制端则与二极管D6的P极相连接；所述三极管VT7的集电极则与二极管D5的P极相连接；所述信号滤波可调单元的输入端与A/D转换单元的输出端相连接、其输出端则与单片机相连接。所述的模数转换单元由处理芯片U1，三极管VT5，三极管VT6，晶闸管D4，场效应管M0S，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端则形成该模数转换单元的输入端的电阻R5，正极与处理芯片Ul的VDD管脚相连接、负极接地的电容C11，N极经二极管D3后与晶闸管D4的P极相连接、P极则与三极管VT5的集电极相连接的二极管D2，正极与处理芯片U的OUTA管脚相连接、负极则与电容Cl I的负极相连接的电容C12，负极与场效应管MOS的漏极相连接、正极则经电阻R6后与晶闸管D4的N极相连接的电容C13，一端与处理芯片Ul的REF管脚相连接、另一端则与场效应管MOS的漏极相连接的电阻R7，以及一端与处理芯片Ul的OUTB管脚相连接、另一端则与场效应管MOS的漏极相连接的电阻R8组成；所述处理芯片Ul的CS管脚与三极管VT6的发射极相连接、其SCLK管脚则与三极管VT5的基极相连接、其GND管脚则与电容Cll的负极相连接、其OUTA管脚则与场效应管MOS的栅极相连接、DIN管脚则与晶闸管D4的控制端相连接；所述三极管VT6的基极与三极管VT5的发射极相连接、其集电极接地；所述场效应管MOS的漏极形成该模数转换单元的输出端其与单片机相连接、其源极则接地；所述模数转换单元的输入端与温度信号放大单元的输出端相连接。进一步的，所述的A/D转换单元由信号采集电路，与信号采集电路输出端相连接的转换电路组成；所述信号采集电路的输入端与扭矩信号放大单元的输出端相连接，所述转换电路的输出端与信号滤波可调单元的输入端相连接。所述的信号采集电路由三极管VT1，负极与三极管VTl的发射极相连接、正极则形成该信号采集电路的输入端的电容C2，与电容C2相并联的电容Cl，正极与电容C2的正极相连接、负极则与三极管VTl的基极相连接的电容C3，正极与三极管VTl的集电极相连接、负极则接地的电容C6，以及P极与电容C6的负极相连接、N极则与转换电路相连接的二极管Dl组成；所述三极管VTl的发射极还与转换电路相连接。所述的转换电路由转换芯片U，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极与转换芯片U的VPOS管脚相连接、负极接地的电容C4，与电容C4相并联的电容C5，正极与三极管VT2的基极相连接、负极接地的电容C8，与电容C8相并联的电容C7，负极与三极管VT2的发射极相连接、正极则与三极管VT3的集电极相连接的电容C9，负极与三极管VT3的基极相连接的同时接地、正极则与三极管VT3的集电极相连接的电容C10，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端则与转换芯片U的VOUT管脚相连接的电阻Rl，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端则经电阻R2后接地的电阻R3，以及串接在三极管VT4的发射极和基极之间的电阻R4组成；所述转换芯片U的VPOS管脚接+5V电压、其VINP管脚则与三极管VTl的发射极相连接、其COMM管脚和GNEG管脚则均与二极管Dl的N极相连接、其VNEG管脚则与三极管VT2的基极相连接的同时接-5V电压、其GPOS管脚和VOUT管脚以及FDBK管脚则均与三极管VT2的发射极相连接；所述三极管VT2的集电极接地；所述三极管VT4的集电极与三极管VT3的集电极相连接、其基极则与电阻R3和电阻R2的连接点相连接；所述转换芯片U的VOUT管脚则形成该转换电路的输出端。为了达到更好的实施效果，所述的转换芯片U优选为AD603集成芯片，所述的处理芯片Ul则优选为MAX522集成芯片来实现。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(1)本专利技术可自动完成测试流程，无需人工校验、记录，降低了测试人员的劳动强度，提高了测试效率，并且避免测试过程中出现误判或记录错误等现像而影响测试人员对电涡流缓速器性能的评估。(2)本专利技术较现有技术相比，其对电涡流缓速器的工作温度检测的精度更高，从而使测试人员对电涡流缓速器性能评估更准确。(3)本专利技术设置有信号滤波可调单元，其可对转换后的扭矩信号进行滤波处理，因此该转换后的扭矩信号不会受到来自系统自身或外界的干扰因素的影响，如此则可以提高本专利技术的测试精度。(4)本专利技术结构简单，成本低廉，适于广泛推广。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构框图。图2为本专利技术的处理单元的结构图。图3为本专利技术的A/D转换单元的电路结构图。图4为本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于信号滤波可调及温度检测的电涡流缓速器测试系统，包括电涡流缓速器，其特征在于，还包括分别与电涡流缓速器相连接的驱动器、温度传感器、电流变送器和扭矩传感器，分别与温度传感器、电流变送器和扭矩传感器相连接的处理单元，以及分别与驱动器和处理单元相连接的上位计算机；所述处理单元则由单片机，与单片机相连接的模数转换单元、电流/电压转换单元、CAN通讯单元和信号滤波可调单元，与模数转换单元相连接的温度信号放大单元，与信号滤波可调单元相连接的A/D转换单元，与A/D转换单元相连接的扭矩信号放大单元组成；所述温度信号放大单元还与温度传感器相连接，电流/电压转换单元则与电流变送器相连接，扭矩信号放大单元则还与扭矩传感器相连接，CAN通讯单元则通过CAN总线与上位计算机相连接；所述信号滤波可调单元由三极管VT7，三极管VT8，正极经极性电容C15后与三极管VT8的基极相连接、负极则经电阻R9后形成该信号滤波可调单元的输入端的极性电容C16，N极与极性电容C16的正极相连接、P极则顺次经电阻R13和电阻R9后与极性电容C16的负极相连接的二极管D5，正极与三极管VT8的基极相连接、负极则经电位器R12后与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C14，N极形成该信号滤波可调单元的输出端、P极则经电阻R15后与三极管VT7的基极相连接的二极管D6，一端与三极管VT7的基极相连接、另一端则经电阻R9后与极性电容C16的负极相连接的电阻R14，串接在二极管D6的N极和三极管VT8的集电极之间的电阻R11，一端与三极管VT8的发射极相连接、另一端接地的电阻R10，正极与三极管VT8的发射极相连接、负极接地的极性电容C17，以及N极与二极管D6的N极相连接、P极接地的稳压二极管D7组成；所述电位器R12的控制端则与二极管D6的P极相连接；所述三极管VT7的集电极则与二极管D5的P极相连接；所述信号滤波可调单元的输入端与A/D转换单元的输出端相连接、其输出端则与单片机相连接；所述的模数转换单元由处理芯片U1，三极管VT5，三极管VT6，晶闸管D4，场效应管MOS，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端则形成该模数转换单元的输入端的电阻R5，正极与处理芯片U1的VDD管脚相连接、负极接地的电容C11，N极经二极管D3后与晶闸管D4的P极相连接、P极则与三极管VT5的集电极相连接的二极管D2，正极与处理芯片U的OUTA管脚相连接、负极则与电容C11的负极相连接的电容C12，负极与场效应管MOS的漏极相连接、正极则经电阻R6后与晶闸管D4的N极相连接的电容C13，一端与处理芯片U1的REF管脚相连接、另一端则与场效应管MOS的漏极相连接的电阻R7，以及一端与处理芯片U1的OUTB管脚相连接、另一端则与场效应管MOS的漏极相连接的电阻R8组成；所述处理芯片U1的CS管脚与三极管VT6的发射极相连接、其SCLK管脚则与三极管VT5的基极相连接、其GND管脚则与电容C11的负极相连接、其OUTA管脚则与场效应管MOS的栅极相连接、DIN管脚则与晶闸管D4的控制端相连接；所述三极管VT6的基极与三极管VT5的发射极相连接、其集电极接地；所述场效应管MOS的漏极形成该模数转换单元的输出端其与单片机相连接、其源极则接地；所述模数转换单元的输入端与温度信号放大单元的输出端相连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仁学，
申请(专利权)人：成都科瑞信科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51