一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种印刷型高分辨率显示器件及其制作方法。本发明专利技术在像素bank的制作过程中，对像素发光区域进行全曝光，相同颜色子像素相邻区域进行半曝光，不同颜色子像素相连区域不曝光，通过刻蚀、显影等处理将像素bank图案化，其中相同颜色子像素相连区域的像素bank较薄，定义子像素发光区域，不同颜色子像素相连区域bank较厚，定义印刷工艺中的墨水沉积区域，从而成倍的增大墨水的沉积区域，可以有效减小各子像素的面积，结合像素bank表面疏水处理，实现印刷型高分辨显示器的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
采用溶液加工制作0LED以及QLED显示器的方法，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现0LED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。在印刷工艺中，由于受设备精度以及液滴尺寸的影响，对于传统的RGB Stripe(RGB条状)排列的像素结构，很难实现高分辨率显示器件的制备。当显示器件的分辨率达到200 ppi时，各子像素的宽度会减小到42 μm，同时由于像素界定层的存在，子像素的真实宽度会进一步减小到35 μ m左右，而对于10 pL体积的墨水，其直径就达27 μ m。如果再进一步提高分辨率，子像素尺寸会进一步减小，所以就很难控制各子像素内墨水相互独立而不溢出像素。中国专利(CN 104009066A)中公开了一种像素排布结构，如图1所示，该像素排布结构是由像素单元100排列组成，通过将相连像素的子像素共用Mask(掩膜)上的开口，从而有效提高显示器件的分辨率。但是，在印刷工艺中，单纯的引入这种像素排布结构，随着分辨率的增大，各子像素内的墨水还是会因像素尺寸变小而溢出像素坑，与相邻不同颜色的子像素发生颜色串扰，引起显示器件显示效果下降，因此在印刷工艺中直接应用这种结构，还是无法减小子像素的尺寸同时保持不同颜色子像素间沉积墨水的相互独立，因此这种像素结构无法实现高分辨率显示器的印刷工艺的制作。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供，旨在解决现有的印刷工艺难以进一步提高显示器分辨率的问题。本专利技术的技术方案如下: 一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法，其中，包括步骤: A1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的薄膜层，然后在薄膜层上形成一层光阻层； A2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光，其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光，随后进行显影以将光阻层图案化； A3、通过光阻掩膜对薄膜层进行刻蚀，将全曝光区域全部刻蚀至露出像素电极，将半曝光区域部分刻蚀至残留部分薄膜层，未曝光区域未被刻蚀，随后剥离光阻层，从而形成所需的厚度不一的像素bank ； A4、对完成上述步骤的TFT基板进行清洗，随之对其进行表面疏水处理，形成疏水的像素bank表面； A5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，最后沉积电极，并对器件进行封装。一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法，其中，包括步骤: B1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的光阻层； B2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光，其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光； B3、随后进行显影处理，将全曝光区域光阻层全部去除，露出像素电极，半曝光区域光阻层部分去除，未曝光区域光阻层不变，从而形成所需的厚度不一的像素bank ; B4、对完成上述步骤的TFT基板进行清洗，随之对其进行表面疏水处理，形成疏水的像素bank表面； B5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，最后沉积电极，并对器件进行封装。所述的制作方法，其中，不同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为1000nm_3000nm。所述的制作方法，其中，相同颜色子像素相连区域的像素bank的厚度为100nm_500nmo 所述的制作方法，其中，所述步骤A4或B4中，对TFT基板进行表面氟化疏水处理。所述的制作方法，其中，所述TFT基板上的像素结构包括三种颜色的子像素构成的多个像素单元；每一像素单元由三种子像素成品字型排列形成正方形结构。所述的制作方法，其中，所述子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。—种印刷型高分辨率显示器件，其中，采用如上所述的制作方法制成。有益效果:本专利技术在像素bank (像素界定层)的制作过程中，对像素发光区域进行全曝光，相同颜色子像素相邻区域进行半曝光，不同颜色子像素相连区域不曝光，通过刻蚀、显影等处理将像素bank图案化，其中相同颜色子像素相连区域的像素bank较薄，定义子像素发光区域，不同颜色子像素相连区域bank较厚，定义印刷工艺中的墨水沉积区域，从而成倍的增大墨水的沉积区域，可以有效减小各子像素的面积，结合像素bank表面疏水处理，实现印刷型高分辨显示器的制作。【附图说明】图1为现有技术中的像素结构的排列结构示意图。图2为本专利技术的一种印刷型高分辨率显示器件制作方法实施例1的流程图。图3为本专利技术的实施例1的具体流程示意图。图4为本专利技术的一种印刷型高分辨率显示器件制作方法实施例2的流程图。图5为本专利技术的实施例2的具体流程示意图。图6为实施例1和实施例2中印刷了红、绿、蓝子像素的效果图。【具体实施方式】本专利技术提供，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术是采用半曝光工艺一次性形成不同区域厚度不同的像素bank结构，简化了像素bank的制作工艺，结合像素bank表面的疏水处理，从而实现高分辨率显示器件的印刷工艺制作。实施例1: 一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法，结合图2和图3所示，其包括步骤: 51、在具有图案化底电极13的TFT基板10(其上具有TFT阵列11、钝化平坦层12和图案化底电极13)上形成一层用于制作像素bank的薄膜层14，然后在薄膜层14上形成一层光阻层15 ; 52、通过曝光掩膜对光阻层15进行曝光，其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光，随后进行显影以将光阻层15图案化；全曝光是将光阻层15全部去除，半曝光是将光阻层15部分去除以保留一层薄的光阻层15，不曝光则是保留全部的光阻层15。S3、通过光阻掩膜对薄膜层14进行刻蚀，将全曝光区域全部刻蚀至露出像素电极，将半曝光区域部分刻蚀至残留部分薄膜层，未曝光区域未被刻蚀，随后剥离光阻层15，从而形成所需的厚度不一的像素bank ;其中的全曝光区域由于没有光阻层15的保护所以被全部刻蚀露出底电极，半曝光区域由于有一层薄的光阻层15保护而被部分刻蚀，最后残留一层较薄的像素bank，未曝光区域由于有光阻层15的保护而没有被刻蚀。S4、对完成上述步骤的TFT基板10进行清洗，随之对其进行表面疏水处理，形成疏水的像素bank表面；该疏水处理可以是表面氟化疏水处理以得到疏水表面。S5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，最后沉积电极(顶电极)，并对器件进行封装。在本实施例图案化的像素bank中，不同颜色子像素相连区域的较厚的像素bank厚度为1000nm-3000nm，相同颜色子像素相连区域的较薄的像素bank厚度为100nm-5当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种印刷型高分辨率显示器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：A1、在具有图案化底电极的TFT基板上形成一层用于制作像素bank的薄膜层，然后在薄膜层上形成一层光阻层；A2、通过曝光掩膜对光阻层进行曝光，其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光，随后进行显影以将光阻层图案化；A3、通过光阻掩膜对薄膜层进行刻蚀，将全曝光区域全部刻蚀至露出像素电极，将半曝光区域部分刻蚀至残留部分薄膜层，未曝光区域未被刻蚀，随后剥离光阻层，从而形成所需的厚度不一的像素bank；A4、对完成上述步骤的TFT基板进行清洗，随之对其进行表面疏水处理，形成疏水的像素bank表面；A5、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，最后沉积电极，并对器件进行封装。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44