【技术实现步骤摘要】
本技术涉及石英坩祸的成型棒结构，特别是一种用于制造侧壁局部高纯料石英坩祸的成型棒结构，即用于制造在熔融硅“液位线”(刻蚀线)部位具有高纯石英原料的石英坩祸。技术背景采用切克劳斯基(Czochralski)法拉制单晶娃时，石英玻璃i甘祸被用于容纳娃恪体。在此方法中，一粒具有预定取向的种晶被浸入熔体，然后缓缓拉出，种晶和熔体以不同方向旋转，种晶和熔体之间的表面张力使得熔体随种晶被拉出，所述熔体逐渐凝固，最终固化成一个不断生长的硅单晶。在拉制单晶硅的过程中，原料硅处于熔融状态，会与组成坩祸的二氧化硅发生如下反应:Si02+Si — 2Si0。生成的一氧化硅处于气态，并且此反应是可逆反应。在硅熔体液面下，由于一氧化硅难以释放，反应处于平衡状态，三种物质保持相对稳定，硅熔体对坩祸侵蚀造成影响很缓慢。而在硅熔体液面处，一氧化硅较容易被氩气保护气带走，促使反应向生成一氧化硅的方向进行。液面处的硅熔体与坩祸体相接处的地方，由于二氧化硅不断被反应消耗，而产生一条刻蚀线。由于刻蚀的不均匀性，刻蚀线附近会产生二氧化硅崩塌脱落而进入硅熔体的现象，在单晶硅生长过程中有几率进入硅晶...
【技术保护点】
一种用于制造侧壁局部高纯料石英坩埚的成型棒结构，其特征在于：所述成型棒的外轮廓由从上到下依次相接的直壁段、等腰梯形凸起段、支撑段组成，所述直壁段与成型坩埚的刻蚀线上部的料层的内轮廓重合，所述等腰梯形凸起段的对称轴相对于成型坩埚的底部的高度h为成型坩埚的刻蚀线中心的平均统计高度，所述等腰梯形凸起段的腰边与底边的夹角为45°，所述支撑段与成型坩埚的刻蚀线下部的料层的内轮廓相平行，且支撑段上端设有与等腰梯形凸起段的腰边相接并与该腰边延伸方向重合的过渡段。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮，韩东，祝立君，杜兴林，
申请(专利权)人：内蒙古欧晶石英有限公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古;15
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