一种触控装置，包含一盖板及两个叠置于盖板底面的触控感应单元。每一触控感应单元包含一基材及多个触控电极。触控电极相互间隔地设于基材上，用以产生触控感应讯号，并分别包括一绝缘层及多个纳米导电结构。绝缘层具绝缘性及透光性。纳米导电结构设置于绝缘层中，且各具有一彼此形成电连接并具有粗糙表面的金属主体。所述触控感应单元的其中一者的触控电极与所述触控感应单元的另一者的触控电极相互不平行，以分别呈现不同轴向的触控感应讯号。通过将纳米导电结构的金属主体配置为具有粗糙表面，能减缓金属主体的反光程度，使得光线照射到触控电极后不易形成明显的反光现象，而提升使用者观看触控装置的质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种触控感应单元及触控装置，特别是一种具有低反光性触控电极的触控感应单元及触控装置。
技术介绍
铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, I TO)是目前常见于制作触控面板的触控电极的透明导电材料。然而，由于铟锡氧化物的透光性与导电性表现仍不尽理想，且成本相对昂贵，目前已发展出通过纳米银等材料制作触控电极的技术。通过纳米银制作触控电极具有透光性高与导电性佳的优点，但由于纳米银的物理特性，于光线照射后容易产生明显反光，用户观看屏幕时容易察觉如淡牛奶色的雾状反光现象，而影响观赏影像的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能减缓触控电极的反光问题的触控感应单元。于是，本专利技术触控感应单兀，包含一基材及多个触控电极。触控电极设于该基材上，用以产生触控感应讯号，且各包括一具绝缘性及透光性的绝缘层及多个纳米导电结构。纳米导电结构设置于该绝缘层中，且各具有一金属主体，各该金属主体具有粗糙表面且彼此形成电连接。较佳地,各该金属主体的表面粗糙度介于2纳米至20纳米之间。较佳地，各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线。较佳地，各该金属主体的粗糙表面是由电子束蚀刻技术、离子束蚀刻技术或化学蚀刻技术加工而成。较佳地,该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。更佳地，该抗反射结构包括相互叠置的一第一光学层及一第二光学层，该第一光学层夹设于该基材与该第二光学层之间，且该第一光学层的折射率大于该第二光学层的折射率。较佳地，所述纳米导电结构还分别包括一吸光构造，所述吸光构造具低反光性，并分别设置于所述金属主体的表面。较佳地，各该金属主体为扭曲弯折的线状构造。较佳地，所述触控电极为间隔地设置于该基材上。或者是，所述触控电极的绝缘层彼此相连，且所述触控电极的纳米导电结构相互电性绝缘。本专利技术提出的另一触控感应单兀，包含一基材及多个触控电极。触控电极设于该基材上，用以产生触控感应讯号，且各包括一具绝缘性及透光性的绝缘层及多个纳米导电结构。多个纳米导电结构设置于该绝缘层中且彼此形成电连接，并分别各具有一金属主体及一吸光构造。该吸光构造具低反光性，并设置于该金属主体的表面。较佳地，各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线较佳地，该吸光构造为包覆该金属主体表面的抗反射层。较佳地，该吸光构造的材质为色料、硫化银或氧化铜。较佳地，该吸光构造是通过色料染色技术或化学合成技术，在该金属主体的表面制作而成。或者是，该吸光构造为附着在该金属主体表面的多个抗反射颗粒。较佳地，该吸光构造的材质为导电碳黑。较佳地,该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。更佳地，该抗反射结构包括相互叠置的一第一光学层及一第二光学层，该第一光学层夹设于该基材与该第二光学层之间，且该第一光学层的折射率大于该第二光学层的折射率。较佳地，各该金属主体为扭曲弯折的线状构造。较佳地，所述触控电极为间隔地设置于该基材上。或者是，所述触控电极的绝缘层彼此相连，且所述触控电极的纳米导电结构相互电性绝缘。本专利技术提出的再一触控感应单元，包括一基材及多个触控电极。触控电极设于该基材上，用以产生触控感应讯号，且各包括一具绝缘性及透光性的绝缘层及多个纳米导电结构。纳米导电结构设置于该绝缘层中，且各具有一金属主体，各该金属主体为扭曲弯折的线状构造且彼此形成电连接。较佳地，各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线。较佳地，各该金属主体的扭曲弯折形状，是通过对该金属主体的磁化处理并施以电场作用力或磁场作用力所加工而成。较佳地,该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。更佳地，该抗反射结构包括相互叠置的一第一光学层及一第二光学层，该第一光学层夹设于该基材与该第二光学层之间，且该第一光学层的折射率大于该第二光学层的折射率。较佳地，所述触控电极为间隔地设置于该基材上。或者是，所述触控电极的绝缘层彼此相连，且所述触控电极的纳米导电结构相互电性绝缘。本专利技术的另一目的，在提出一种使用前述触控感应单元的触控装置。于是，本专利技术触控装置包含一盖板及两个如前述的触控感应单元。所述触控感应单元叠置于该盖板的底面，且彼此的触控电极相互不平行。本专利技术的有益效果在于:本专利技术通过将纳米导电结构的金属主体配置为具有粗糙表面或/及具有扭曲弯折形状，或/及在金属主体的表面设置吸光构造，都能减缓金属主体的反光程度，使得光线照射到触控电极后不易形成明显的反光现象，而提升使用者观看触控装置的质量。【附图说明】图1是一侧视图，说明本专利技术触控装置的实施例；图2是图1的部分分解图；图3是一正视图，说明本专利技术第一触控感应单元的实施例；图4是一侧视图，说明本专利技术第一触控感应单兀的另一实施态样；图5是第一触控感应单元的触控电极的局部放大图；图6是触控电极的纳米导电结构的第一实施例；图7是触控电极的纳米导电结构的第二实施例；图8是触控电极的纳米导电结构的第三实施例；及图9是触控电极的纳米导电结构的第四实施例。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。第一实施例:参阅图1至图3，为本专利技术触控装置1的第一实施例。触控装置1能应用于移动电话、平板电脑等各式电子装置，其包含一盖板2、多层黏着层3、一第一触控感应单元4及一第二触控感应单元4'，并包含未图示的黑矩阵(black matrix，简称为BM)、金属导线等构造。盖板2为触控装置1的表层构造，其可采用玻璃等透明材质制作，但不以为限。第一触控感应单元4与第二触控感应单元4'分别通过黏着层3而叠置于盖板2的底面之下。第一触控感应单元4包括一基材5、一抗反射结构6及多个触控电极7，第二触控感应单元4'则包括一基材5'、一抗反射结构6'及多个触控电极7'。其中，第一触控感应单元4与第二触控感应单元4,的大部分结构类似，主要差异仅在于第一触控感应单元4的触控电极7与第二触控感应单元4'的触控电极7'相互不平行，两者分别呈现不同轴向的触控感应讯号。因此，后续关于第一触控感应单元4与第二触控感应单元4'的说明内容，仅以第一触控感应单元4为例进行说明。基材5以硬质的玻璃或可挠曲的聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,简称PET)等透光材质制作，用于承载抗反射结构6与触控电极7。抗反射结构6具有低反光性，其夹设于基材5与所述触控电极7之间，且其折射率介于基材5的折射率与触控电极7的折射率之间，能减少光线穿透第一触控感应单元4时产生的反射。此外，抗反射结构6还可以如图4般，包括相互叠置的一第一光学层61及一第二光学层62。第一光学层61夹设于基材5与第二光学层62之间，其折射率大于第二光学层62的折射率，可进一步增进第一触控感应单元4的抗反射效果。例如，本实施例中第一光学层61可采用五氧化二铌(Nb205)、氮化硅(SiNx)等材质制作，其较佳的折射率介于1.70至2.30之间；第二光学层62则能通过二氧化硅等材质制作，其较佳的折射率介于1.70至2.30之间。然而，在不同的实施态样中，抗反射结构6还能以三层以上的光学层进行实施，或者第一触控感应单元4也能省略抗反射结构6本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种触控感应单元，其特征在于，该触控感应单元包含：一基材；及多个触控电极，设于该基材上，用以产生触控感应讯号，所述触控电极各包括一绝缘层，具绝缘性及透光性，及多个纳米导电结构，设置于该绝缘层中，且各具有一金属主体，各该金属主体具有粗糙表面且彼此形成电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高国峯，林胜文，巫柏毅，吴湘婷，
申请(专利权)人：宸盛光电有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81
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