半导体装置制造方法及图纸

技术编号:12773285 阅读:75 留言:0更新日期:2016-01-27 16:59
本发明专利技术公开了一种半导体装置,包括多个熔丝闩锁电路、一电压监视电路及一闩锁控制电路。熔丝闩锁电路依序传递一第一控制电压及一第二控制电压。熔丝闩锁电路分别依据一熔丝开关的导通状态决定一预设数据电压,并且分别依据第一控制电压及第二控制电压输出对应的预设数据电压。电压监视电路接收这些熔丝闩锁电路所传送的第一控制电压及第二控制电压,且对应地提供一控制回馈电压。闩锁控制电路提供第一控制电压至这些熔丝闩锁电路,并且依据控制回馈电压提供第二控制电压至这些熔丝闩锁电路。本发明专利技术能降低半导体装置的误动作的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置,且特别涉及一种具有熔丝开关的半导体装置。
技术介绍
近年来,半导体装置的电路复杂度越来越高,由于电路运作的需求,半导体装置通常经由多个熔丝闩锁电路提供需调整或设定的的参数,例如内部时序、供给电压电平、芯片识别码、维修信息等。因此,如何使熔丝闩锁电路在开机时正常运作成为设计半导体装置的一个重点。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体装置,可降低半导体装置的误动作的可能性。本专利技术的半导体装置,包括多个熔丝闩锁电路、一电压监视电路及一闩锁控制电路。熔丝闩锁电路分别具有一熔丝开关。熔丝闩锁电路共同接收一第一控制电压及一第二控制电压且依序传递第一控制电压及第二控制电压。熔丝闩锁电路分别依据熔丝开关的导通状态决定一预设数据电压,并且依据第一控制电压及第二控制电压输出预设数据电压。电压监视电路耦接这些熔丝闩锁电路的一最后熔丝闩锁电路,以接收第一控制电压及第二控制电压,且对应地提供一控制回馈电压。闩锁控制电路耦接这些熔丝闩锁电路及电压...
半导体装置

【技术保护点】
一种半导体装置,包括:多个熔丝闩锁电路,分别具有一熔丝开关,该些熔丝闩锁电路共同接收一第一控制电压及一第二控制电压且依序传递该第一控制电压及该第二控制电压,该些熔丝闩锁电路分别依据该熔丝开关的导通状态决定一预设数据电压,并且依据该第一控制电压及该第二控制电压输出该预设数据电压;一电压监视电路,耦接该些熔丝闩锁电路的一最后熔丝闩锁电路,以接收该第一控制电压及该第二控制电压,且对应地提供一控制回馈电压;以及一闩锁控制电路,耦接该些熔丝闩锁电路及该电压监视电路,以接收该控制回馈电压,该闩锁控制电路提供该第一控制电压至该些熔丝闩锁电路,并且依据该控制回馈电压提供该第二控制电压至该些熔丝闩锁电路。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,包括:
多个熔丝闩锁电路,分别具有一熔丝开关,该些熔丝闩锁电路共同接收
一第一控制电压及一第二控制电压且依序传递该第一控制电压及该第二控制
电压,该些熔丝闩锁电路分别依据该熔丝开关的导通状态决定一预设数据电
压,并且依据该第一控制电压及该第二控制电压输出该预设数据电压;
一电压监视电路,耦接该些熔丝闩锁电路的一最后熔丝闩锁电路,以接
收该第一控制电压及该第二控制电压,且对应地提供一控制回馈电压;以及
一闩锁控制电路,耦接该些熔丝闩锁电路及该电压监视电路,以接收该
控制回馈电压,该闩锁控制电路提供该第一控制电压至该些熔丝闩锁电路,
并且依据该控制回馈电压提供该第二控制电压至该些熔丝闩锁电路。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中该电压监视电路的电路结构相
同于该些熔丝闩锁电路的电路结构。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其中该电压监视电路与该些熔丝闩
锁电路分别包括:
一电压预设单元,具有该熔丝开关且接收该第一控制电压及该第二控制
电压,以及提供一第一参考电压,该电压预单元依据该第一控制电压对一第
一参考电压进行预充电,且依据该熔丝开关的导通状态及该第二控制电压设
定该第一参考电压;
一电压锁定单元,耦接该电压预设单元以接收该第一参考电压,以提供
一第二参考电压;以及
一电压输出单元,耦接该电压锁定单元以接收该第二参考电压,以提供
该预设数据电压或该控制回馈电压。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中该第二参考电压反相于该第一
参考电压,该预设数据电压反相于该第二参考电压。
5.如权利要求3所述的半导体装置,其中该电压预设单元包括:
一第一晶体管,该第一晶体管的一第一端接收一电源电压,该第一晶体
管的一控制端接收该第一控制电压,该第一晶体管的一第二端提供该第一参
考电压;
一第二晶体管,该第二晶体管的一第一端耦接该第一晶体管的该第二端,
该第二晶体管的一控制端接收该第二控制电压;以及
该熔丝开关,耦接该第二晶体管的一第二端与一接地电压之间。
6.如权利要求3所述的半导体装置,其中该电压锁定单元包括:
一第三晶体管,该第三晶体管的一第一端接收一电源电压,该第三晶体
管的一控制端接收该第二参考电压,该第三晶体管的一第二端耦接该第一参
考电压;
一第四晶体管,该第四晶体管的一第一端耦接该第三晶体管的该第二端,

【专利技术属性】
技术研发人员:赖志菁
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1