【技术实现步骤摘要】
本技术属于晶体生长
，特别是涉及一种分子栗过滤装置。
技术介绍
碳化硅单晶生长炉的气路系统包含三个栗，分别为分子栗、机械栗、控压栗，其中分子栗与炉腔直接相连。在单晶生长过程中，通过气路向炉腔内输送特气时，残留在炉腔内装置上及保温毡上的杂质，会不可避免的随气流进入炉体，然后被吸附进生长坩祸内，作为杂质离子降低晶体质量。这些杂质随着气流进入炉腔，与炉腔内残留的粉尘等物质形成污染源，引起晶体质量下降；高温下，腔体内的石墨毡会产生石墨纤维，这些纤维也可通过气路进入分子栗，引起分子栗在高速抽气时沾污在旋片上造成栗体污染。从而导致噪声大、缩短分子栗使用寿命。甚至堵塞气路，这些纤维也作为下次生长时的污染源。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种分子栗过滤装置，用来保护分子栗自身，也为了消除气路中的进入炉体中的杂质。为了达到上述目的，本技术的技术方案如下:—种分子栗过滤装置，该过滤装置设置在连接分子栗与炉体的气路上，包括:第一滤网和第二滤网，在所述第一滤网和所述第二滤网之间设置有供气流通过的迷宫通道，所述迷宫通道的底部为杂质容留区域。进一步，所述第一滤网和所述第二滤网之间的距离为15mm。进一步，所述迷宫通道为由不在同一平面的两个隔板将气流通道隔成“S”型。在本技术中，挡板可以使进入管道的粉尘、颗粒及腔体中产生的石墨纤维等杂质沉积在过滤网内，同时过滤网也可以把杂质吸附在网上，保证分子栗不被污染，堵塞。采用本技术的分子栗过滤装置后，气流中携带的杂质及管道中的杂质绝大部分被拦截在炉腔外，保证了生长室内的洁净，减少了单晶生长中的引入杂质，...
【技术保护点】
一种分子泵过滤装置，其特征在于，该过滤装置设置在连接分子泵与炉体的气路上，包括：第一滤网和第二滤网，在所述第一滤网和所述第二滤网之间设置有供气流通过的迷宫通道，所述迷宫通道的底部为杂质容留区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩金波，靳丽婕，张云伟，
申请(专利权)人：北京世纪金光半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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