衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高、并使制造生产能力提高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。所述衬底处理装置包括：处理室，收纳衬底；衬底支承部，载置所述衬底；第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；以及流导调节部，具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或第二气体中任一方的排气流导。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。
技术介绍
随着大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit:以下简称为LSI)的高集成化，电路图案的微细化在不断发展。为了在狭小的面积上集成大量半导体器件，必须将器件的尺寸形成得很小，因此，就必须缩小所要形成的图案的宽度和间隔。由于近几年的微细化，对于埋入微细结构，尤其是向纵向很深、或横向很窄的空隙结构(槽)内埋入氧化物，用CVD法进行的埋入方法正逐渐达到技术上的极限。另外，由于晶体管的微细化，要求形成薄且均匀的栅绝缘膜和栅电极。进一步地，为了提高半导体器件的生产率，要求缩短每一张衬底的处理时间。另外，为了提高半导体器件的生产率，要求提高对衬底的整个面内的处理均匀性。
技术实现思路
近几年的以LS1、DRAM(动态随机存取存储器、Dynamic Random Access Memory)和闪存(Flash Memory)为代表的半导体器件的最小加工尺寸变得比30nm的宽度还小，而且膜厚也变得很薄，在保持品质的同时，微细化、制造生产能力(through-put)的提高和对衬底的处理均匀性的提高变得越来越难。本专利技术的目的在于，提供一种能够使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高、并使制造生产能力提高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。根据本专利技术的一方案，提供一种衬底处理装置，包括:处理室，收纳衬底；衬底支承部，载置所述衬底；第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；以及流导调节部，设有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或第二气体中任一方的排气流导。根据本专利技术的另一方案，提供一种具有均压部的半导体器件的制造方法，包括:将衬底收纳到处理室内的工序；将所述衬底载置到所述衬底支承部上的工序；向所述衬底供给第一气体的工序；向所述衬底供给第二气体的工序；以及，具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或所述第二气体中任一方的排气流导的工序。根据本专利技术的又一方案，提供一种气体整流部，设置在具备设有支承衬底的衬底支承部的处理室的衬底处理装置上，包括:开口，供向所述衬底供给的第一气体和第二气体通过；和流导调节部，设有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体。专利技术效果根据本专利技术的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部，能够使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高，并使制造生产能力提高。【附图说明】图1是一个实施方式的衬底处理装置的示意性结构图。图2是表示一个实施方式的衬底载置台与气体整流部的位置关系的示意图。图3是一个实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。图4是一个实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。图5是一个实施方式的控制器的示意性结构图。图6是一个实施方式的衬底处理工序的流程图。图7是一个实施方式的衬底处理工序的顺序图。图8是其他实施方式的衬底处理工序的顺序图。图9是其他实施方式的衬底处理工序的顺序图。图10是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。图11是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。图12是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。图13是其他实施方式的气体整流部的结构例。图14是其他实施方式的气体整流部支承机构的结构例。图15是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。附图标记说明200-晶片(衬底)、201-处理室、202-处理容器、212-衬底载置台、213-加热器、221-排气口(第一排气部)、234-气体整流部、231-盖、250-远程等离子体单元(激励部)【具体实施方式】以下，对本专利技术的实施方式进行说明。〈第一实施方式〉以下，根据附图对第一实施方式进行说明。(1)衬底处理装置的结构首先，对第一实施方式的衬底处理装置进行说明。对本实施方式的处理装置100进行说明。衬底处理装置100是形成绝缘膜或金属膜等的单元，如图1所示，构成为单片式衬底处理装置。如图1所示，衬底处理装置100具有处理容器202。处理容器202例如构成为横截面为圆形且扁平的密闭容器。另外，处理容器202例如由铝(A1)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成。在处理容器202内，形成有对作为衬底的硅晶片等晶片200进行处理的处理空间(处理室)201、输送空间203。处理容器202由上部容器202a与下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板204。将由上部容器202a包围而成的空间、即分隔板204上方的空间称为处理空间201，将由下部容器202b包围而成的空间、SP分隔板204下方的空间称为输送空间203。在下部容器202b的侧面上，设置有与闸阀205邻接的衬底输送出入口 206。晶片200经由衬底输送出入口 206而在与未图示的输送室之间移动。在下部容器202b的底部，设置有多个升降销207。进一步地，下部容器202b为接地电位。在处理空间201内，设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要包括载置晶片200的载置面211、表面上具有载置面211的载置台212、和内置于衬底载置台212内的作为加热部的加热器213。在衬底载置台212上的与升降销207对应的位置上分别设置有供升降销207贯通的贯通孔214。衬底载置台212由轴217支承。轴217贯穿处理容器202的底部，并进一步在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218动作并使轴217及支承台212升降，能够使载置于载置面211上的晶片200升降。此外，轴217下端部的周围由波纹管(bellows) 219包覆，从而将处理空间201内保持气密。在输送晶片200时，衬底载置台212下降到衬底支承台以使载置面211达到衬底输送出入口 206的位置(晶片输送位置)，在处理晶片200时，如图1所示，晶片200上升到处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。具体来说，在使衬底载置台212下降到晶片输送位置之后，变成升降销207的上端部从载置面211的上表面突出，且升降销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升到晶片处理位置之后，变成升降销207从载置面211的上表面埋入，且载置面211从下方支承晶片200。此外，升降销207由于与晶片200直接接触，所以例如优选为由石英、氧化招等材料形成。(排气系统)在处理空间201 (上部容器202a)的内壁上，设置有作为排出处理空间201的气氛的第一排气部的排气口 221。在排气口 221上连接有排气管222，在排气管222上依次串联连接有将处理空间201内部控制在规定压力的APC(Auto Pressure Controller、自动压力控制器)等压力调节器223、真空栗224。主要由排气口 221、排气管222、和压力调节器223构成排气系统(排气线路)220。此外，还可以将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，包括：处理室，包含收纳衬底的处理空间；衬底支承部，设于所述处理室，具有载置所述衬底的衬底载置台；第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；气体导入口，设于所述处理室，从所述第一气体供给部或所述第二气体供给部导入气体；整流部，设于所述气体导入口与所述处理空间之间，具有供从所述气体导入口供给的气体穿过的开口；气体流路，与所述开口连通，在所述整流部与所述衬底载置台的外周之间沿圆周方向构成；气体均压部，至少具有2个以上的气体均压空间；吹扫气体供给部，以使吹扫气体的供给量不同的方式分别对所述气体均压空间进行供给；以及流导调节部，设有所述气体均压部，在与所述衬底载置台的外周端的一部分对应的气体流路的高度比与所述外周端的其他部分对应的气体流路的高度高的情况下，所述流导调节部对经由一方的所述气体均压空间向所述外周端的一部分供给的吹扫气体的供给量进行调节，以使其大于经由另一方所述气体均压空间向所述外周端的其他部分供给的吹扫气体的供给量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野内英博，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP