本实用新型专利技术公开一种抗高压LED灯板，包括基板以及安装于该基板的LED芯片，所述基板上具有正极端、负极端以及接地端，所述LED芯片电相接于正、负极端，该负极端通过一高压电容连接该接地端；藉此，该灯板除了设置可以使LED芯片点亮外的正极端、负极端，还增加接地端，让负极端与接地端之间通过一高压电容连接，此高压电容耐压必须大于500V，从而达到安规要求的500V耐高压测试，保证低电压LED不至于损坏。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种抗高压LED灯板，包括基板以及安装于该基板的LED芯片，所述基板上具有正极端、负极端以及接地端，所述LED芯片电相接于正、负极端，该负极端通过一高压电容连接该接地端；藉此，该灯板除了设置可以使LED芯片点亮外的正极端、负极端，还增加接地端，让负极端与接地端之间通过一高压电容连接，此高压电容耐压必须大于500V，从而达到安规要求的500V耐高压测试，保证低电压LED不至于损坏。【专利说明】—种抗高压LED灯板
本技术涉及LED灯领域技术，尤其是指一种抗高压LED灯板。
技术介绍
LED照明以具有节能环保，寿命长、高光效，加上国家政府的大力倡导和支持下LED照明灯具将逐步被人们所接受。随着LED照明产品技术不断更新与进步，LED将会取代传统光源，并在照明行业中得到普及，从而将引发照明光源的一场变革，这将会给LED制造和销售带来巨大的机遇和广阔的市场前景。 现有的LED用耐高压铝基板印制电路板在制作的时候，导热电路板的性能不是很理想。由于LED灯具在工作时会产生大量的热量，为了保证LED灯具正常稳定地工作、提高导热电路板的导热性能，现有LED灯具使用的导热电路板上，铜模与金属基层之间的导热绝缘层厚度很小。而导热绝缘层的厚度直接影响了导热电路板的绝缘耐压性能，导热绝缘层的厚度越小，导热电路板的绝缘耐压性能越差。因此，在对LED灯具进行认证安规高压测试时，由于导热电路板的绝缘耐压性能差，直接导致了 LED灯具的导热电路板被击穿，无法通过安规高压测试。
技术实现思路
有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种耐高压LED灯板，避免低压LED在高压测试时损坏。 为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案: 一种抗高压LED灯板，包括基板以及安装于该基板的LED芯片，所述基板上具有正极端、负极端以及接地端，所述LED芯片电相接于正、负极端，该负极端通过一高压电容连接该接地端。 优选的,所述负极端的电路上具有接点a,接地端的电路上具有接点b,该接点a和接点b位于用电负载LED芯片的前端,所述高压电容相接于该接点a和接点b之间。 优选的，所述高压电容的耐压值大于500V。 优选的，所述接地端具有铜箔层或锡层裸露于基板外。 优选的，所述基板是铝基板或陶瓷基板。 优选的，所述LED灯板是SMD型结构，其基板中具有反光杯，该反光杯中内装多个LED芯片，该LED芯片外封装混有荧光粉的固化树脂层或硅胶树脂层。 优选的，所述LED灯板是COB型结构，其基板上直接封装单粒LED芯片。 本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，该灯板除了设置可以使LED芯片点亮外的正极端、负极端，还增加接地端，让负极端与接地端之间通过一高压电容连接，此高压电容耐压必须大于500V，从而达到安规要求的500V耐高压测试,保证低电压LED不至于损坏。 为更清楚地阐述本技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术之实施例的SMD结构的示意图； 图2是本技术之实施例的COB结构的示意图； 图3是本技术之实施例的电路图。 附图标识说明: 10、基板11、正极端 12、负极端13、接地端 20、LED芯片 30、高压电容。 【具体实施方式】 请参照图1至图3所示，其显示出了本技术之较佳实施例的具体结构。一种抗高压LED灯板的设计主要是针对三类灯具:LED低压灯具、LED光源(SMD和C0B)与金属散热器之间安规要求的500V耐高压测试，以保证低电压LED不至于损坏。 该抗高压LED灯板包括有基板10以及安装于该基板10的LED芯片20。该LED灯板可以是SMD型(表面贴片式)或SMD型结构。以及，所述基板10可以采用铝基板，也可以采用陶瓷基板。当LED灯板制作为SMD型结构时，其基板10中具有反光杯，该反光杯中内装多个LED芯片20，该LED芯片20外封装混有荧光粉的固化树脂层或硅胶树脂层。当LED灯板制作为COB型结构，其基板10上直接封装单个LED芯片20。 本实施例中:所述基板10上具有正极端11、负极端12以及接地端13，所述LED芯片20电相接于正、负极端11、12，该负极端12通过一高压电容30连接该接地端13。 具体而言，如图3所示，所述负极端12的电路上具有接点a，接地端13的电路上具有接点b，该接点a和接点b位于用电负载LED芯片20的前端，所述高压电容30相接于该接点a和接点b之间。该高压电容30的耐压值大于500V，以达到安规要求的500V耐高压测试，保证低电压LED不至于损坏。 此外，所述接地端13具有铜箔层或锡层裸露于基板10外，使得接地端13通过金属导体(如螺丝或其它类似金属)与灯具金属外壳导通连接，利用高压电容30旁路高压。 综上所述，本技术的设计重点在于，该基板10除了设置可以使LED芯片20点亮外的正极端11、负极端12，还增加接地端13，让负极端12与接地端13之间通过一高压电容30连接，此高压电容30耐压必须大于500V，从而达到安规要求的500V耐高压测试，保证低电压LED不至于损坏。 以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。【权利要求】1.一种抗高压LED灯板，其特征在于:包括基板以及安装于该基板的LED芯片，所述基板上具有正极端、负极端以及接地端，所述LED芯片电相接于正、负极端，该负极端通过一高压电容连接该接地端。2.根据权利要求1所述的一种抗高压LED灯板，其特征在于:所述负极端的电路上具有接点a，接地端的电路上具有接点b，该接点a和接点b位于用电负载LED芯片的前端，所述高压电容相接于该接点a和接点b之间。3.根据权利要求1所述的一种抗高压LED灯板，其特征在于:所述高压电容的耐压值大于500V。4.根据权利要求1所述的一种抗高压LED灯板，其特征在于:所述接地端具有铜箔层或锡层裸露于基板外。5.根据权利要求1所述的一种抗高压LED灯板，其特征在于:所述基板是铝基板或陶瓷基板。6.根据权利要求1所述的一种抗高压LED灯板，其特征在于:所述LED灯板是SMD型结构，其基板中具有反光杯，该反光杯中内装多个LED芯片，该LED芯片外封装混有荧光粉的固化树脂层或硅胶树脂层。7.根据权利要求1所述的一种抗高压LED灯板，其特征在于:所述LED灯板是COB型结构，其基板上直接封装单粒LED芯片。【文档编号】F21Y101/02GK204084228SQ201420372990【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年7月7日 优先权日:2014年7月7日 【专利技术者】赵文兴 申请人:东莞高仪电子科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抗高压LED灯板，其特征在于：包括基板以及安装于该基板的LED芯片，所述基板上具有正极端、负极端以及接地端，所述LED芯片电相接于正、负极端，该负极端通过一高压电容连接该接地端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵文兴，
申请(专利权)人：东莞高仪电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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