一种验证后仿真提取文件正确性的方法技术

本发明专利技术提供了一种验证后仿真提取文件正确性的方法，包括：a)针对待验证模型，绘制第一验证版图，调整所述模型参数，使其得到的特征参数与测试参数相同；b)在所述第一验证版图上增加正确性验证模块，得到第二验证版图；c)分别对第一和第二验证版图进行仿真，并提取特征参数；d)将第二验证版图的特征参数与第一验证版图的特征参数进行对比，如果二者的差值位于误差容限的范围之内，则认为后仿真文件正确。本发明专利技术在原验证版图的基础上增加正确性验证模块，将布局布线时引入的寄生参数对仿真结果的影响转化为验证版图特征参数的变化，从而可以方便的根据特征参数的变化判断后仿真提取文件的正确性，有效弥补了现有技术的不足。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及IC器件提参建模领域，尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路技术的发展和越来越广泛的应用，集成电路设计时必须考虑其高可靠性、高性能、低成本的要求，人们对IC CAD软件统计容差分析、优化设计、成品率、成本分析及可靠性预测的功能和精度要求也越来越高。而在IC CAD软件中，MOSFET的器件模型是将IC设计和IC产品功能与性能联系起来的关键纽带。伴随着集成器件尺寸越来越小，集成规模越来越大，集成电路工序越来越复杂，对器件模型的精度要求也越来越高。当今一个精确的MOSFET模型无疑已成为IC CAD设计者首要解决的问题，一直也是国际上研究的重点和热点。MOSFET模型一般需要验证电路进行验证，然而电路验证时必然会引入布局布线所带来的寄生参数的影响，如果仿真结果与测试结果不同，就很难区分是模型精度不够还是版图后仿真提取的精度不够。所以有必要对后仿真提取文件的正确性进行验证，只有在保证后仿真提取文件正确的基础上，才能在依据验证电路对模型进行微调，使得模型的精度同时满足器件与电路的要求。
技术实现思路
为了有效的解决上述问题，本专利技术提供了，能够简单有效的对后仿真提取文件进行验证。该方法包括:a)针对待验证模型，绘制第一验证版图(100)，调整模型参数，使其得到的特征参数与测试参数相同；b)在所述第一验证版图(100)上增加正确性验证模块(200)，得到第二验证版图；c)分别对第一和第二验证版图进行仿真，并提取特征参数；d)将第二验证版图的特征参数与第一验证版图的特征参数进行对比，如果二者的差值位于误差容限的范围之内，则认为后仿真文件正确。根据本专利技术的其中一个方面，在步骤b)中，所述正确性验证模块(200)包括负载电容。根据本专利技术的其中一个方面，所述负载电容包括铝和有源区。根据本专利技术的其中一个方面，在步骤c)中，所述正特征参数包括环振周期。根据本专利技术的其中一个方面，在步骤d)中，所述误差容限的范围为不超过第一验证版图仿真得到的特征参数的5%。本专利技术提出了，该方法通过在原验证版图的基础上增加正确性验证模块，将布局布线时引入的寄生参数对仿真结果的影响转化为验证版图特征参数(如环振周期)的变化，从而可以方便的根据特征参数的变化判断后仿真提取文件的正确性，有效弥补了现有技术的不足。【附图说明】通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1 (a)和图1 (b)分别为本专利技术的一个实施例中的第一和第二验证版图的结构示意图。附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的实施例作详细描述。下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。本专利技术提供了，能够简单有效的对后仿真提取文件进行验证。下面将结合附图对该方法进行详细说明。首先，针对待验证模型，绘制第一验证版图(100)，如图1(a)所示，并调整所述模型参数，使其仿真得到的特征参数与测试参数完全相同。此处的特征参数为表征版图性能的关键性参数，如环振周期等。接下来，在所述第一验证版图(100)上增加正确性验证模块(200)，得到第二验证版图。具体的，所述正确性验证模块(200)包括且不限于负载电容。根据本专利技术的其中一个方面，所述负载电容包括铝和有源区。如图1(b)所示，在第一验证版图(100)的基础上添加正确性验证模块(200)，本实施例中，所述正确性验证模块(200)为由铝和有源形成的寄生电容。接下来，对添加正确性验证模块(200)之后得到的第二验证版图进行仿真，并提取其特征参数，此处的特征参数与对第一验证版图提取的参数相同的表征版图性能的关键性参数，如环振周期等。最后，将第二验证版图的特征参数与第一验证版图的特征参数进行对比，如果二者的差值位于误差容限的范围之内，则认为后仿真文件正确。其中，优选的，所述误差容限的范围为不超过第一验证版图仿真得到的特征参数的5%。根据本专利技术的一个实施例，所述正确性验证模块(200)为铝与有源区，其单位面积电容为5X 10 nF/um2，现有技术中，仪器能够测到的可靠的电容则在皮法量级以上，因此如果直接测量电容，则需要画IX 15Um2的电容才能得到较准确的测量结果，需要占用很大的面积。通过本专利技术提供的测量方法，如图1(b)所示，在验证版图中引入寄生电容，比如仅引入1500um2的电容，则电路的环振周期则从6.9ns变化为7.4ns，可以通过示波器很明显的测量出来，从而方便的判断后仿真提取文件的正确性。本专利技术提供的验证后仿真提取文件正确性的方法，在原验证版图的基础上增加正确性验证模块，将布局布线时引入的寄生参数对仿真结果的影响转化为验证版图特征参数(如环振周期)的变化，从而可以方便的根据特征参数的变化判断后仿真提取文件的正确性，有效弥补了现有技术的不足。上述实施例为本专利技术较佳的实施方式，但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.，包括: a)针对待验证模型，绘制第一验证版图(100)，调整所述模型参数，使其得到的特征参数与测试参数相同； b)在所述第一验证版图(100)上增加正确性验证模块(200)，得到第二验证版图； c)分别对第一和第二验证版图进行仿真，并提取特征参数； d)将第二验证版图的特征参数与第一验证版图的特征参数进行对比，如果二者的差值位于误差容限的范围之内，则认为后仿真文件正确。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)中，所述正确性验证模块(200)包括负载电容。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述负载电容包括铝和有源区。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)中，所述正特征参数包括环振周期。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤d)中，所述误差容限的范围为不超过第一验证版图仿真得到的特征参数的5%。【专利摘要】本专利技术提供了，包括：a)针对待验证模型，绘制第一验证版图，调整所述模型参数，使其得到的特征参数与测试参数相同；b)在所述第一验证版图上增加正确性验证模块，得到第二验证版图；c)分别对第一和第二验证版图进行仿真，并提取特征参数；d)将第二验证版图的特征参数与第一验证版图的特征参数进行对比，如果二者的差值位于误差容限的范围之内，则认为后仿真文件正确。本专利技术在原验证版图的基础上增加正确性验证模块，将布局布线时引入的寄生参数对仿真结果的影响转化为验证版图特征参数的变化，从而可以方便的根据特征参数的变化判断后仿真提取文件的正确性，有效弥补了现有技术的不足。【IPC分类】G06F17/50【公开号】CN105205257【申请号】CN201510605490【本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种验证后仿真提取文件正确性的方法，包括：a)针对待验证模型，绘制第一验证版图(100)，调整所述模型参数，使其得到的特征参数与测试参数相同；b)在所述第一验证版图(100)上增加正确性验证模块(200)，得到第二验证版图；c)分别对第一和第二验证版图进行仿真，并提取特征参数；d)将第二验证版图的特征参数与第一验证版图的特征参数进行对比，如果二者的差值位于误差容限的范围之内，则认为后仿真文件正确。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卜建辉，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11