一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统技术方案

本发明专利技术涉及一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统，其包括：依次排列的波荡器光源、多个反射聚焦镜、掩膜光栅、具有光阑孔的级选光阑、具有观察孔的样品台、铝膜以及CCD探测器。本发明专利技术通过在掩膜光栅与样品之间增设级选光阑，并通过CCD探测器确保掩膜光栅与级选光阑的位置对准，从而使级选光阑能够可靠遮挡经过掩膜光栅分束产生的0级光，避免该0级光照射到样品上，以使样品上产生的±1级衍射光相干区域的周围不存在0级光区域，由此即可通过移动样品台实现样品上的有效曝光区域的大面积拼接。同时本发明专利技术还通过采用反射聚焦镜以及铝膜对X射线进行滤波，从而使得CCD探测器能够清楚观察到掩膜光栅与级选光阑的相对位置，从而即可确保两者的对准精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统。
技术介绍
X射线干涉光刻(XIL)是利用两束或多束相干X光束的干涉条纹对光刻胶进行曝光的新型先进微、纳加工技术，可以开展几十甚至十几个纳米周期的纳米结构加工，其原理如图1所示，掩模光栅I’把一束X射线分成多束相干光束，并在衬底2’上的光刻胶3’处产生干涉条纹，从而形成曝光图形。XIL技术适用于制备周期为10nm以下的大面积纳米周期结构(即曝光图形)，与其他光刻等方法相比，可以更可靠地获得大面积、高质量的亚50nm的高密度周期性纳米结构，在纳米电子学、微纳光学、纳米生物学、纳米器件与材料、光子晶体等研究领域有着广泛的应用。对于单次曝光而言，利用XIL技术得到的曝光图形面积与掩模光栅面积有关。若想得到小周期的纳米结构，那么掩模光栅的面积就会受到一定的限制，目前用于XIL制备小周期曝光图形的掩模光栅的面积最大为400 μπιΧ400 μπι，因此曝光图形面积最大即为400 μmX400 μm0与电子束曝光等技术相比，XIL单次曝光得到的图形面积已经很大了，但是对于某些研究领域而言却依然不够。以光子晶体为例，小周期大面积的光子晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统，其特征在于，所述系统包括：依次排列的波荡器光源、多个反射聚焦镜、掩膜光栅、具有光阑孔的级选光阑、具有观察孔的样品台、铝膜以及CCD探测器；其中，所述多个反射聚焦镜被配置为用于将所述波荡器光源发出的X射线滤波反射后传输至所述掩膜光栅；所述掩膜光栅被配置为用于对所述X射线进行分束，并产生0级光和±1级衍射光；所述级选光阑被配置为用于遮挡所述0级光并供所述±1级衍射光穿过所述光阑孔后照射在所述样品台上；所述CCD探测器被配置为用于观察通过所述观察孔并经过所述铝膜滤波的光束以监测所述级选光阑是否遮挡住所述0级光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛超凡，吴衍青，刘海岗，杨树敏，王连升，赵俊，邰仁忠，
申请(专利权)人：中国科学院上海应用物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31