本发明专利技术公开一种纤维状量子点发光二极管及其制备方法，所述纤维状量子点发光二极管为正装结构纤维状量子点发光二极管，其中，所述正装结构纤维状量子点发光二极管由内而外依次包括：纤维衬底、将纤维衬底表面平坦化的平坦层、第一阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第一阴极层。本发明专利技术通过采用纤维衬底作为衬底，在纤维衬底表面上涂覆一层平坦层将纤维衬底表面平坦化，随后在平坦层上制作量子点发光二极管，从而形成纤维状量子点发光二极管，所述纤维状量子点发光二极管相对于平面状量子点发光二极管更易集成到穿戴式电子产品中，使未来发光可穿戴电子产品成为可能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子点发光二极管
，尤其涉及。
技术介绍
量子点(QD)，又称半导体纳米晶体，是一种新型的半导体纳米材料。由于其尺寸小于体材料的激子波尔半径，因此表现出强的量子限域效应，使它们具有独特的光致和电致发光性能。相比于其他荧光材料，量子点具有量子产率高、稳定性好、高色纯度、发光颜色易调等优良的光学特性。量子点发光二极管(QLED)是使用量子点材料作为发光层的一种电致发光器件，继承了量子点材料的优良光学特性，在显示以及照明领域具有重要的商业应用价值，已引起了广泛的关注，其效率和性能得到了飞速提升。目前QLED的开发研究中，使用的器件结构基本采用平面叠层结构，如图1所示，由衬底1、阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6和阴极层7平面叠层而成的正装结构平面状量子点发光二极管，这是平板显示以及照明领域较为常用的结构。随着科学文明的发展，穿戴式电子产品可能成为未来的发展趋势，而这种平面结构的QLED很难集成到穿戴式的电子产品中。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供，旨在解决现有平面结构的QLED很难集成到穿戴式的电子产品中的问题。本专利技术的技术方案如下: 一种纤维状量子点发光二极管，所述纤维状量子点发光二极管为正装结构纤维状量子点发光二极管，其中，所述正装结构纤维状量子点发光二极管由内而外依次包括:纤维衬底、将纤维衬底表面平坦化的平坦层、第一阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第一阴极层。一种纤维状量子点发光二极管，所述纤维状量子点发光二极管为倒装结构纤维状量子点发光二极管，其中，所述倒装结构纤维状量子点发光二极管由内而外依次包括:纤维衬底、将纤维衬底表面平坦化的平坦层、第二阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二阳极层。所述的纤维状量子点发光二极管，其中，所述纤维衬底的材料为聚合物纤维、玻璃纤维、碳纤维或玄武岩纤维。 所述的纤维状量子点发光二极管，其中，所述平坦层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯或聚酰亚胺。所述的纤维状量子点发光二极管，其中，所述第一阳极层与第二阴极层的材料均为反射金属电极，其中，所述金属为Al、Ag、Au或它们的合金。所述的纤维状量子点发光二极管，其中，所述第一阴极层与第二阳极层的材料均为透明导电金属氧化物、石墨烯、碳纳米管和导电聚合物中的一种或多种。所述的纤维状量子点发光二极管，其中，所述空穴注入层的材料为PED0T:PSS、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2中的一种或多种；所述空穴传输层的材料为 Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA 中的一种或多种。所述的纤维状量子点发光二极管，其中，所述量子点发光层为I1-VI族化合物半导体及其核壳结构或II1-V或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构；所述电子传输层的材料为 ZnO、Ti02、SnO、Zr02、Ta203、AlZnO、ZnSnO 和 InSnO 中的一种或多种。一种如上所述的纤维状量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤: A、沉积平坦层于纤维衬底表面上； B、接着沉积第一阳极层于平坦层表面上； C、随后依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层于第一阳极层表面上； D、最后沉积第一阴极层于电子传输层表面上，得到正装结构纤维状量子点发光二极管。一种如上所述的纤维状量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤: A、沉积平坦层于纤维衬底表面上； B、接着沉积第二阴极层于平坦层表面上； C、随后依次沉积电子传输层、量子点发光层、空穴传输层以及空穴注入层于第二阴极层表面上； D、最后沉积第二阳极层于空穴注入层表面上，得到倒装结构纤维状量子点发光二极管。有益效果:本专利技术采用纤维衬底为衬底，在纤维衬底表面上涂覆一层平坦层将纤维衬底表面平坦化，随后在平坦层表面上制作量子点发光二极管，从而形成纤维状量子点发光二极管。本专利技术所述纤维状量子点发光二极管相对于平面状量子点发光二极管更易集成到穿戴式电子产品中，使未来发光可穿戴电子产品成为可能。【附图说明】图1为现有技术的一种正装结构平面状量子点发光二极管的结构示意图。图2为本专利技术一种正装结构纤维状量子点发光二极管的第一视角结构示意图。图3为本专利技术一种正装结构纤维状量子点发光二极管的第二视角结构示意图。图4为本专利技术一种倒装结构纤维状量子点发光二极管的第一视角结构示意图。图5为本专利技术一种倒装结构纤维状量子点发光二极管的第二视角结构示意图。【具体实施方式】本专利技术提供，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术纤维状量子点发光二极管包括两类结构:正装结构纤维状量子点发光二极管和倒装结构纤维状量子点发光二极管。本专利技术的一种纤维状量子点发光二极管，所述纤维状量子点发光二极管为正装结构纤维状量子点发光二极管，其中，如图2和图3所示，所述正装结构纤维状量子点发光二极管由内而外依次包括:纤维衬底10、将纤维衬底10表面平坦化的平坦层11、第一阳极层12、空穴注入层13、空穴传输层14、量子点发光层15、电子传输层16以及第一阴极层17。本专利技术的一种纤维状量子点发光二极管，所述纤维状量子点发光二极管为倒装结构纤维状量子点发光二极管，其中，如图4和图5所示，所述倒装结构纤维状量子点发光二极管由内而外依次包括:纤维衬底20、将纤维衬底20表面平坦化的平坦层21、第二阴极层22、电子传输层23、量子点发光层24、空穴传输层25、空穴注入层26以及第二阳极层27。本专利技术的核心改进之处在于:采用纤维衬底为衬底，在纤维衬底表面上面涂覆一层平坦层将纤维衬底表面平坦化，随后在平坦层表面上制作量子点发光二极管，从而形成纤维状量子点发光二极管。本专利技术所述纤维状量子点发光二极管相对于平面状量子点发光二极管更易集成到穿戴式电子产品中，使未来发光可穿戴电子产品成为可能。进一步地，所述纤维衬底的材料可以为聚合物纤维、玻璃纤维、碳纤维或玄武岩纤维。优选地，所述纤维衬底的材料为聚合物纤维。所述平坦层的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯或聚酰亚胺。优选地，所述平坦层的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯。本专利技术采用上述纤维衬底作为衬底，然后在纤维衬底表面上涂覆一层平坦层将纤维衬底表面平坦化。由于这种纤维衬底形状较为特殊，而浸渍法提拉工艺适用于各种形状的衬底，因此，本专利技术采用浸渍法提拉工艺可以在纤维衬底表面均匀沉积量子点发光二极管的各功能层，最终得到纤维状量子点发光二极管。进一步地，所述第一阳极层与第二阴极层的材料均为反射金属电极，其中，所述金属可以为Al、Ag、Au或它们的合金。进一步地，所述第一阴极层与第二阳极层的材料均为透明导电金属氧化物、石墨烯、碳纳米管和导电聚合物中的一种或多种。进一步地，所述空穴注入层的材料可以为PED0T:PSS、氧化钼、氧化银、氧化妈、氧化铬、MoS2, WS2, MoSe2, WSe2中的一种或多种。进一步地，所述空穴传输层的材料可以为Poly_Tro、TF本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纤维状量子点发光二极管，所述纤维状量子点发光二极管为正装结构纤维状量子点发光二极管，其特征在于，所述正装结构纤维状量子点发光二极管由内而外依次包括：纤维衬底、将纤维衬底表面平坦化的平坦层、第一阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第一阴极层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，闫晓林，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。