触控显示基板及其制备方法和触控显示面板技术

本发明专利技术公开了一种触控显示基板及其制备方法和触控显示面板，其中该触控显示基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有触控电极图形和对位标记图形，对位标记图形与触控电极图形同层设置，对位标记图形至少包括：非透明子图形，非透明子图形至少对应于对位标记图形的侧表面区域。本发明专利技术的技术方案可利用同一种材料来制备对位标记图形和触控电极图形，同时将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而有效地降低了基板的生产成本和提高了产线的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及触控显示基板及其制备方法和触控显示面板。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为:夕卜挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，内嵌式触摸屏通过将触控电极内嵌在液晶显示屏内部，不但可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。图1为现有技术中内嵌式触摸屏的彩膜基板的结构示意图，如图1所示，为保证触控电极图形和黑矩阵图形能精确的形成在衬底基板上对应的位置，则需要先在衬底基板上利用构图工艺制备出由金属材料构成的对位标记，在制备触控电极图形和黑矩阵图形时，利用该对位标记以使得用于制备触控电极图形的掩膜版和用于制备黑矩阵图形的掩膜版与衬底基板进行对位，从而可以在该衬底基板上精确的制备出触控电极图形和黑矩阵图形。在现有技术中，该彩膜基板的制备工艺相对复杂，同时在制备金属材料的对位标记时，大量的金属材料会被刻蚀掉，从而导致金属材料的大量浪费，进而造成产线成本较尚O
技术实现思路
本专利技术提供一种触控显示基板及其制备方法和触控显示面板，可利用制备触控电极图形的材料来制备对位标记图形，且将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而可有效的降低生产成本和提高生产效率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种触控显示基板，包括:衬底基板，所述衬底基板上形成有触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括:非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域。可选地，所述对位标记图形还包括:透明子图形，所述透明子图形对应于所述对位标记图形的中间区域，所述非透明子图形围绕所述透明子图形的边缘。可选地，所述非透明子图形还对应于所述对位标记图形的上表面区域。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种触控显示基板的制备方法，包括:在衬底基板的上方沉积透明薄膜；利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括:非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域。可选地，所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括:在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与触控电极掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和触控电极图形的位置的光刻胶完全保留；对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述触控电极图形；对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形。可选地，所述对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理的步骤之后还包括:对所述触控电极图形和对位标记图形上方的光刻胶进行剥离处理。可选地，所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括:在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和待加工图形的位置的光刻胶完全保留；对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述待加工图形；对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形；对所述对位标记图形和所述待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理；对所述待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。可选地，所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括:在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工半色调掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形的位置的光刻胶部分保留，对应于待形成待加工图形的位置的光刻胶完全保留；对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述待加工图形；对所述对位标记图形和所述待加工图形上方的光刻胶进行灰化处理，所述对位标记图形上方的光刻胶完全去除，所述待加工图形上方的光刻胶部分保留；对所述对位标记图形的侧表面和上表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域和上表面区域变为非透明子图形；对所述待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理；对所述待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。可选地，所述透明薄膜的材料为ITO和AZO中的至少一种。可选地，所述等离子体处理的工艺条件为:等离子体处理设备的上电极输出功率为15KW，下电极输出功率为20KW ;反应气体为H2;气体流量为1000 ?5000sccm ；反应气压为5MT?20MT。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种触控显示面板，包括:触控显示基板，所述触控显示基板采用上述的触控显示基板。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供了一种触控显示基板及其制备方法和触控显示面板，其中该触控显示基板包括:衬底基板，衬底基板上形成有触控电极图形和对位标记图形，对位标记图形与触控电极图形同层设置，对位标记图形至少包括:非透明子图形，非透明子图形至少对应于对位标记图形的侧表面区域。本专利技术可利用同一种材料来制备对位标记图形和触控电极图形，同时将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而有效地降低了基板的生产成本和提高了产线的生产效率。【附图说明】图1为现有技术中内嵌式触摸屏的彩膜基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例一提供的一种触控显示基板的俯视图；图3a为图2中对位标记图形的俯视图；图3b为图2中A-A向的截面示意图；图4为本专利技术实施例一提供的一种触控显示基板的制备方法的流程图；图5为本专利技术实施例一中经过步骤1021处理后的触控显示基板的截面示意图；图6为本专利技术实施例一中经过步骤1022处理后的触控显示基板的截面示意图；图7为本专利技术实施例一中经过步骤1023处理后的触控显示基板的截面示意图；图8为本专利技术实施例二提供的一种触控显示基板的截面示意图；图9为当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括：非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张蕾，金贤镇，申澈，刘祺，吴值平，王培，李付强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11