一种具有双层空穴传输层的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有双层空穴传输层的有机电致发光器件。所述空穴传输层包括由第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层和由第二空穴传输材料构成的第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第一空穴传输层与所述发光层之间；所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差≤0.2eV；第二空穴传输材料高于发光主体材料的三线态能级ET。本发明专利技术的有机电致发光器件具有的双层空穴传输层能够有效地引起TTF现象，进而带来器件的功耗明显降低，效率大为提高的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光器件
，特别是一种具有双层空穴传输层的有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件OLED的发光层主要采用全荧光材料、全磷光材料或荧光材料和磷光材料混合的方式进行制作。对有机电致发光元件施加电压时，来自阳极、阴极的空穴和电子分别被注入，被注入的空穴和电子在发光层内发生重组而生成激子。其自旋状态中，单重态激子为25wt％、三重态激子为75wt％。以往已知的荧光元件中，单重态激子在基态弛豫时会发出光，而剩余的三重态激子则不会发光而经由热失活过程返回至基态。然而，根据S.M.Bachilo等(J.Phys.Cem.A,104,7711(2000))，最初生成的75wt％的三重态激子中，1/5会变为单重态激子。TTF(Triplet-TripletFusion，三线态-三线态融合)现象是指由三重态激子的碰撞聚变而生成单重态激子的现象，若利用该TTF现象，则不仅最初生成的25wt％的单重态激子，由三重态激子的碰撞聚变而生成的单重态激子也可利用于发光，从而可提高元件的发光效率。为了有效地引起TTF现象，需要将与单重态激子相比激子寿命显著延长的三重态激子限域于发光层内。目前利用TTF现象来实现有机电致发光器件的高效发光的研究主要集中在发光主体、发光染料以及发光层与电子传输层之间的阻隔层等方面，通过对这些材料的设计，能够有效的产生TTF现象。但是由于在目前蓝色荧光的应用上多采用的是蒽类衍生物主体，导致发光区域更靠近空穴传输层一侧，所以在空穴传输层一侧增加三线态激子阻挡层就变得很有必要。一般来说，由于空穴传输层材料的三线态能级高于蒽类蓝光主体，所以空穴传输层会对蒽类蓝光主体的三线态激子有一定的阻挡作用。但是由于空穴传输材料的HOMO能级高于蓝光发光主体材料，导致两者会形成低能量的激基复合物，从而导致效率降低。在已公开的关于多层的空穴传输层的专利中，如CN201010281439.8，CN201310002065.5，CN201310186916.6，CN201010597815.4，都是利用多层空穴传输层来改善空穴传输，阻挡电子，使空穴电子更平衡，以达到提高效率和改善寿命的目的，但均未提及TTF现象，也未对空穴传输层的单线态能级搭配和三线态能级给出限制；在已公开的关于TTF的相关专利中，如CN201180003302，CN201280007957，CN201180002877，CN201180002920，CN201180003216等专利中，其采用的空穴传输材料的HOMO能级与发光主体材料的LUMO能级差别较大(空穴传输材料的HOMO能级大于发光主体材料的LUMO能级)，两种材料之间就会形成激基复合物，而形成的激基复合物的能量会低于发光染料的能量，就会使发光染料的能量向激基复合物传递，造成染料的发光效率降低。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的技术问题在于现有技术中不能有效地引起TTF现象的问题，进而提供一种有机电致发光器件，其具有的双层空穴传输层能够有效地引起TTF现象，进而带来器件的功耗明显降低，效率大为提高的有益效果。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层、若干个发光单元层和第二电极层，所述的发光单元层包括依次设置在所述第一电极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述空穴传输层包括由第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层和由第二空穴传输材料构成的第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第一空穴传输层与所述发光层之间；所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差≤0.2eV；第二空穴传输材料高于发光主体材料的三线态能级ET。所述第一空穴传输层的厚度10-40nm，所述第二空穴传输层的厚度1-30nm。优选地，所述第一空穴传输层的厚度15-25nm，所述第二空穴传输层的厚度5-15nm。最优选地，所述第一空穴传输层的厚度20nm，所述第二空穴传输层的厚度10nm。所述第一空穴传输材料为芳胺类和枝聚物族类低分子材料。所述第一空穴传输材料为N,N’-二-(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1-联苯基-4,4-二胺(NPB)或N,N’-二苯基-N,N’-双(间甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)。所述第二空穴传输材料为式(HTM2)所示结构：本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：(1)本专利技术的专利技术人大胆采用双层空穴传输层作为本专利技术的空穴传输层，这第二空穴传输材料的三线态能级大于主体材料的三线态能级ET，可以更好的限制主体的三线态激子在发光层之内，从而有效的形成TTF(Triplet-TripletFusion，三线态-三线态融合)，大幅提高蓝光有机电致发光器件的效率。(2)本专利技术的空穴传输层包括第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层和由第二空穴传输材料构成的第二空穴传输层，所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差≤0.2eV，因此所述空穴传输材料和发光主体材料，器件能有效的避免空穴传输层与发光主体形成激基复合物，避免效率的降低，从而进一步提高效率。(3)本专利技术的两种空穴传输材料的HOMO能级能避免单层空穴传输层与空穴注入层材料之间的势垒，起到降低电压的作用。(4)此外，本专利技术的有机电致发光器件不需要设置阻挡层，可以节省原材料，简化制备工艺。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中图1为现有技术的发光器件结构示意图；其中：1-基板，2-第一电极层，3-空穴注入层，41-第一空穴传输层，42-第二空穴传输层，5-发光单元层，6-电子传输层，7-电子注入层，8-第二电极层。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的实施方式作进一步地详细描述。本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本专利技术的构思充分传达给本领域技术人员，本专利技术将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括基板(1)，以及依次形成在所述基板上的第一电极层(2)、若干个发光单元层(5)和第二电极层(8)，所述的发光单元层包括依次设置在所述第一电极层(2)上的空穴注入层(3)、空穴传输层、发光层、电子传输层(6)和电子注入层(7)，其特征在于，所述空穴传输层包括由第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层(41)和由第二空穴传输材料构成的第二空穴传输层(42)，所述第二空穴传输层(41)设置在所述第一空穴传输层(41)与所述发光层之间；所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差≤0.2eV；第二空穴传输材料高于发光主体材料的三线态能级ET。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包括基板(1)，以及依次形成在所述基板
上的第一电极层(2)、若干个发光单元层(5)和第二电极层(8)，所述的
发光单元层包括依次设置在所述第一电极层(2)上的空穴注入层(3)、空
穴传输层、发光层、电子传输层(6)和电子注入层(7)，其特征在于，
所述空穴传输层包括由第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层(41)
和由第二空穴传输材料构成的第二空穴传输层(42)，所述第二空穴传输层
(41)设置在所述第一空穴传输层(41)与所述发光层之间；
所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且
所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差≤0.2eV；
第二空穴传输材料高于发光主体材料的三线态能级ET。
2.根据权利要求1所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空
穴传输层(41)的厚度10-40nm，所述第二空穴传输层(42)的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：范洪涛，汤金明，任雪艳，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，固安鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11