存储系统和操作其的方法技术方案

一种操作存储系统的方法，存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器，所述方法包括：在存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息；将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平；根据第一性能水平操作存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器；检测存储系统的内部温度；和将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性能水平。由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平，并且所述改变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求在2014年4月17日提交的10-2014-0046190号韩国专利申请的优先权，其公开通过引用的方式全部并入此处。
本专利技术构思的示范性实施例涉及存储系统和操作其的方法，更加具体来说，涉及能够根据温度检测结果以逐步方式控制操作性能的存储系统和操作其的方法。
技术介绍
存储系统一般可以分为易失性存储系统和非易失性存储系统。非易失性存储器即使当断电也保留存储在其中的数据，而易失性存储器当断电时丢失数据。非易失性存储器的例子包括只读存储器(ROM)、磁盘、光盘、闪存、电阻随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)和磁随机存取存储器(MRAM)。闪存指的是根据金属氧化物半导体(MOS)晶体管的阈值电压的变化存储数据的存储器，并且可以包括例如NAND和NOR闪存。当存储系统以高性能水平操作时，存储系统的内部温度升高，这会导致存储系统的内部元件故障或对内部元件的损害。
技术实现思路
本专利技术构思的示范性实施例提供一种能够防止其内部元件免于由于温度的升高而受损的存储系统和操作其的方法。根据本专利技术构思的示范性实施例，一种操作存储系统的方法，存储系统包括存储器控制器和存储器件，所述方法包括：在存储系统中存储从外部位置(例如，从主机)接收到的温度相关的性能水平信息；将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平；检测存储系统的内部温度；和根据温度检测结果在存储器控制器的控制下基于温度相关的性能水平信息将存储系统的性能水平调节为第二性能水平，而不管主机的外部控制。温度相关的性能水平信息可以包括表信息，表信息包括与相应于多个温度范围的性能水平相关的信息。温度相关的性能水平信息可以是在存储系统的启动操作或运行时操作期间从主机接收。所述方法还可以包括存储检测到的温度值为当前温度信息，和用与检测到的温度值相应的性能水平信息更新当前性能水平信息。可以基于温度相关的性能水平信息改变存储系统的内部时钟的频率。与从主机接收到的第一命令相应的第一确认命令的延迟可以基于温度相关的性能水平信息而改变。所述存储系统可以包括多个存储芯片，和多个存储芯片当中将同时存取的存储芯片的数目可以基于温度相关的性能水平信息而改变。所述方法还可以包括：响应于来自主机的请求发送当前性能水平信息，从主机接收性能设置信息；和基于性能设置信息在一性能水平上执行存储操作而不论存储在存储系统中的温度相关的性能水平信息。所述存储系统可以包括固态硬盘(SSD)或存储卡。所述温度相关的性能水平信息可以包括相应于温度范围的时间信息，和当所述存储系统的内部温度保持在特定温度范围中达预定时间时，所述存储系统的操作性能水平可以基于相应于特定温度范围的时间信息被调节为第二性能水平。根据本专利技术构思的示范性实施例，一种操作存储系统的方法，存储系统包括存储器控制器和存储器件，所述方法包括：响应于接收第一命令发送与存储系统的温度相关的第一信息；接收并且存储与第一信息关联的第一性能水平信息；在与第一性能水平信息相应的第一性能水平上执行存储系统的操作；响应于接收第一命令发送与所述存储系统的温度相关的第二信息；接收并且存储与第二信息关联的第二性能水平信息；和在与第二性能水平信息相应的第二性能水平上执行存储系统的操作。第一命令可以是读命令或写命令。第一命令可以是在存储系统与主机之间预先安排的命令，不管存储系统的操作如何。从所述存储系统发送确认命令到主机的延迟可以根据第一性能水平和第二性能水平而改变。所述方法还可以包括：根据温度的改变用第二信息更新存储器中的第一信息，以及根据温度的改变用第二性能水平信息更新存储器中的第一性能水平信息。根据本专利技术构思的示范性实施例，一种操作存储系统的方法，存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器件，所述方法包括：在存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息；将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平；根据第一性能水平操作存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器件；检测存储系统的内部温度；和将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性能水平。由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平，并且所述改变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。根据本专利技术构思的示范性实施例，一种操作存储系统的方法，存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器件，所述方法包括：响应于在存储系统中接收第一命令发送与存储系统的温度相关的第一信息；接收并且存储与第一信息关联的第一性能水平信息；在与第一性能水平信息相应的第一性能水平上执行存储系统的第一操作；响应于在存储系统中接收第一命令发送与所述存储系统的温度相关的第二信息；接收并且在所述存储系统中存储与第二信息关联的第二性能水平信息；和在与第二性能水平信息相应的第二性能水平上执行存储系统的第二操作。根据本专利技术构思的示范性实施例，存储系统包括被配置为控制至少一个非易失性存储器件的存储器控制器。所述存储器控制器包括：性能表，被配置为存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息；和温度传感器，被配置为检测存储系统的内部温度。所述存储系统的操作性能水平由存储器控制器基于存储在性能表中的温度相关的性能水平信息和由温度传感器检测的内部温度，从第一性能水平变化为不同于第一性能水平的第二性能水平。根据本专利技术构思的示范性实施例，存储系统包括被配置为控制至少一个非易失性存储器件的存储器控制器。所述存储器控制器包括：温度传感器，被配置为检测存储系统的内部温度；和存储单元，被配置为存储存储系统的内部温度和相应于内部温度信息的性能水平信息。所述存储器控制器被配置为响应于从主机接收第一命令发送由所述温度传感器检测的内部温度信息到布置在存储系统外部的主机，在所述存储单元中存储与内部温度信息相应的第一性能水平信息，和在相应于第一性能水平信息的第一性能水平上执行存储系统操作。根据本专利技术构思和示范性实施例，一种操作存储系统的方法，存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器件，所述方法包括：在所述存储系统中接收来自布置在所述存储系统外部的主机的温度相关的性能水平信息；将所述存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平；根据第一性能水平操作所述存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器件；检测所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作存储系统的方法，该存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器件，所述方法包括：在所述存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息；将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平；根据第一性能水平操作所述存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器件；检测所述存储系统的内部温度；和将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性能水平，其中，由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平，并且所述改变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。

【技术特征摘要】
2014.04.17 KR 10-2014-00461901.一种操作存储系统的方法，该存储系统包括存储器控制器和至少一个
非易失性存储器件，所述方法包括：
在所述存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相
关的性能水平信息；
将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平；
根据第一性能水平操作所述存储器控制器和所述至少一个非易失性存
储器件；
检测所述存储系统的内部温度；和
将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性
能水平，
其中，由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平，并且所述改
变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述温度相关的性能水平信息包括
表信息，并且所述表信息包括与相应于多个温度范围的性能水平相关的信
息。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述温度相关的性能水平信息在存
储系统的启动操作期间或存储系统的运行时操作期间从主机接收。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：
存储检测到的温度值为当前温度信息；和
用与检测到的温度值相应的性能水平信息更新当前性能水平信息。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储系统的内部时钟的频率基
于温度相关的性能水平信息改变。
6.如权利要求1所述的方法，其中，与从主机接收到的第一命令相应的
第一确认命令的延迟基于温度相关的性能水平信息而改变。
7.如权利要求1所述的方法，其中，
所述存储系统包括多个存储芯片，和
所述多个存储芯片当中将被同时存取的存储芯片的数目基于温度相关
的性能水平信息而改变。
8.如权利要求1所述的方法，还包括：
响应于来自主机的请求发送当前性能水平信息；
从主机接收性能设置信息；和
基于性能设置信息在设置的性能水平上执行存储操作而不使用存储在
所述存储系统中的温度相关的性能水平信息。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储系统包括固态硬盘(SSD)
或存储卡。
10.如权利要求1所述的方法，其中，
温度相关的性能水平信息包括与多个温度范围相应的时间信息，和
当所述存储系统的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：金眩奭，金大镐，吴龙根，文圣轸，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR