【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种SDRAM控制方法,尤其涉及一种提高控制简易性的SDRAM控制器 及其工作方法。
技术介绍
SDRAM(SynchronousDynamicRandomAccessMemory),即同步动态随机存储 器,就是通常所说的内存。SDRAM有着价格低廉、体积小、速度快、容量大等优点,同时由于 SDRAM采用电容充放电的存储机制而需要定期刷新,所以其操作更为复杂,直接使用很不 方便。所以,有必要设计一种专门的SDRAM控制器,使得用户能够像使用SRAM-样来使 用SDRAM。 本专利技术涉及的控制方法,对SDRAM繁杂的操作进行了封装,使得外界可以用简单 的时序对其进行快速读写。
技术实现思路
针对现有技术对时序要求较为严格,外界使用时较为繁琐,从而提供了一种提高 控制简易性的SDRAM控制器及其工作方法。 本专利技术中用户只需操作有限的几个引脚就可以实现对SDRAM的读写控制,本专利技术 中需要的控制的引脚有:elk信号端、rst_n信号端、sdram_wr_req信号端、sdram_rd_req 信号端、sys_addr信号端、sys ...
【技术保护点】
一种提高控制简易性的SDRAM控制器及其工作方法,其特征在于:大幅减少控制接口,需要的控制的引脚有:clk信号端、rst_n信号端 、sdram_wr_req信号端、sdram_rd_req信号端、sys_addr信号端、sys_data_in信号端、sdram_busy信号端、sdram_wr_ack信号端、sdram_rd_ack1信号端、sdram_rd_ack2信号端,其余的信号都交给控制器内部处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:魏巍,杨海舟,
申请(专利权)人:西安光向信息科技有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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