一种稀土CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺制造技术

一种稀土CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺，包括以下步骤：配料、熔炼、成型、挤压、冷却、拉弯矫、清洗、涂油、收排线。本发明专利技术在配料的过程中添加了稀土作为原料之一，能够很好的提升薄板的导电性能，是的薄板在集成电路的使用过程中性能更加优越，减小了薄板的阻抗值，能够更好的将集成电路进行封装，在冷却之后采用拉弯矫直，可以将薄板迅速的矫直，方便了薄板在封装时候的使用，不会使得薄板在集成电路的封装过程中出现封装不严的现象，使得薄带的使用效果更好，延长了集成电路的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种稀土 CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺。
技术介绍
随着我国对于电子元件的需求不断的加大，越来越多的企业的生产电子元器件，但是目前我国在电子元件方面的生产水平停留在初级水平，不能够生产出高质量的电子元件，在电子元件的发展同时也促使了集成电路的发展，在集成电路的组装过程中往往会使用到封装材料，国内很多的封装材料都是采用铜质合金，存在电阻大，使用寿命短的缺点，在集成电路的封装过程中需要用到薄带进行封装，薄带的好坏决定集成电路的封装好坏，很多国内生产企业生产出来的薄带不能够很好的导电，使用效果较差，强度不够，易破损，薄带在封装的过程中，往往会出现封装不彻底的现象，主要由于薄带在生产的时候不能够很好的矫直，导致薄带在使用过程中封装不严，影响了集成电路的使用，降低了集成电缆的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种方便快速，矫直效果好的一种稀土 CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺。本专利技术的
技术实现思路
为:一种稀土 CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺，其特征在于: I)配料:将稀土，Cu块，Ni粉，Si粉进行充分的搅拌，所述的稀土的纯度要求为99.8%，所述的Cu块采用高纯度银铜合金，所述的Ni粉的纯度为99.2%，所述的Si粉的纯度为98.7%。2)熔炼:将上述的原材料放入感应炉内进行熔炼，所述的感应炉内的温度在800-1000°C。3)成型:将熔炼好的原料放入到模具内进行压制成型，形成最初的坯材。4)挤压:将坯材放入到连续挤压机内进行挤压，将坯材挤压成带状。5) 二次挤压:将初步挤压成型的带状坯材进一步挤压，让坯材形成薄带状。6)冷却:由于薄带坯材在挤压机内进行挤压，所以坯材的温度较高，将坯材放置在空气中进行冷却。7)拉弯矫:将冷却好的薄带坯材放置到拉弯矫直的机器上面进行拉弯矫直，所述的拉弯矫直机器上面设有连续加温装置，可以保证坯材在拉弯矫直的过程中有较好的韧性，保证薄带坯材不会出现断裂。 8)清洗:将拉弯矫直好的薄带坯材放入到清洗溶液中进行清洗，所述的清洗溶液由盐酸(100ml)，水(300ml)组成。9)涂油:在清洗好的薄带坯材上面涂覆防锈蚀油，可以很好的保护薄带坯材氧化，形成锈斑。10)收排线:将涂油好的薄带进行收整，形成成品薄带。本专利技术的有益效果为: 本专利技术在配料的过程中添加了稀土作为原料之一，能够很好的提升薄板的导电性能，是的薄板在集成电路的使用过程中性能更加优越，减小了薄板的阻抗值，能够更好的将集成电路进行封装，在冷却之后采用拉弯矫直，可以将薄板迅速的矫直，方便了薄板在封装时候的使用，不会使得薄板在集成电路的封装过程中出现封装不严的现象，使得薄带的使用效果更好，延长了集成电路的使用寿命。【具体实施方式】I)配料:将稀土，Cu ±夬，Ni粉，Si粉进行充分的搅拌，稀土的纯度要求为99.8%，所述的Cu块采用高纯度银铜合金，Ni粉的纯度为99.2%，Si粉的纯度为98.7%。2)熔炼:将上述的原材料放入感应炉内进行熔炼，感应炉内的温度在800-1000°C。3)成型:将熔炼好的原料放入到模具内进行压制成型，形成最初的坯材。4)挤压:将坯材放入到连续挤压机内进行挤压，将坯材挤压成带状。5) 二次挤压:将初步挤压成型的带状坯材进一步挤压，让坯材形成薄带状。6)冷却:由于薄带坯材在挤压机内进行挤压，所以坯材的温度较高，将坯材放置在空气中进行冷却。7)拉弯矫:将冷却好的薄带坯材放置到拉弯矫直的机器上面进行拉弯矫直，所述的拉弯矫直机器上面设有连续加温装置，可以保证坯材在拉弯矫直的过程中有较好的韧性，保证薄带坯材不会出现断裂。8)清洗:将拉弯矫直好的薄带坯材放入到清洗溶液中进行清洗，所述的清洗溶液由盐酸(100ml)，水(300ml)组成。9)涂油:在清洗好的薄带坯材上面涂覆防锈蚀油，可以很好的保护薄带坯材氧化，形成锈斑。10)收排线:将涂油好的薄带进行收整，形成成品薄带。采用本专利技术生产出来的薄板，能够保证薄板的平整度，导电率> 90%,薄板额强度达到0.51GPa，延生率彡5%ο【主权项】1.一种稀土 CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺,其特征在于:包括以下步骤: 配料:将稀土，Cu块，Ni粉，Si粉进行充分的搅拌，所述的稀土的纯度要求为99.8%，所述的Cu块采用高纯度银铜合金，所述的Ni粉的纯度为99.2%，所述的Si粉的纯度为.98.7% ； 熔炼:将上述的原材料放入感应炉内进行熔炼，所述的感应炉内的温度在.800-1000°C ； 成型:将熔炼好的原料放入到模具内进行压制成型，形成最初的坯材； 挤压:将坯材放入到连续挤压机内进行挤压，将坯材挤压成带状； 二次挤压:将初步挤压成型的带状坯材进一步挤压，让坯材形成薄带状； 冷却:由于薄带坯材在挤压机内进行挤压，所以坯材的温度较高，将坯材放置在空气中进行冷却； 拉弯矫:将冷却好的薄带坯材放置到拉弯矫直的机器上面进行拉弯矫直，所述的拉弯矫直机器上面设有连续加温装置，可以保证坯材在拉弯矫直的过程中有较好的韧性，保证薄带坯材不会出现断裂； 清洗:将拉弯矫直好的薄带坯材放入到清洗溶液中进行清洗，所述的清洗溶液由盐酸(100ml)，水(300ml)组成； 涂油:在清洗好的薄带坯材上面涂覆防锈蚀油，可以很好的保护薄带坯材氧化，形成锈斑； 收排线:将涂油好的薄带进行收整，形成成品薄带。【专利摘要】一种稀土CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺，包括以下步骤：配料、熔炼、成型、挤压、冷却、拉弯矫、清洗、涂油、收排线。本专利技术在配料的过程中添加了稀土作为原料之一，能够很好的提升薄板的导电性能，是的薄板在集成电路的使用过程中性能更加优越，减小了薄板的阻抗值，能够更好的将集成电路进行封装，在冷却之后采用拉弯矫直，可以将薄板迅速的矫直，方便了薄板在封装时候的使用，不会使得薄板在集成电路的封装过程中出现封装不严的现象，使得薄带的使用效果更好，延长了集成电路的使用寿命。【IPC分类】B21C37/02, C22C9/06【公开号】CN105013852【申请号】CN201410149866【专利技术人】刘平, 卢之云, 封心波 【申请人】江苏迅达电磁线有限公司【公开日】2015年11月4日【申请日】2014年4月15日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稀土CuNiSi薄带的拉弯矫加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：配料：将稀土，Cu块，Ni粉，Si粉进行充分的搅拌，所述的稀土的纯度要求为99.8%，所述的Cu块采用高纯度银铜合金，所述的Ni粉的纯度为99.2%，所述的Si粉的纯度为98.7%；熔炼：将上述的原材料放入感应炉内进行熔炼，所述的感应炉内的温度在800‑1000℃；成型：将熔炼好的原料放入到模具内进行压制成型，形成最初的坯材；挤压：将坯材放入到连续挤压机内进行挤压，将坯材挤压成带状；二次挤压：将初步挤压成型的带状坯材进一步挤压，让坯材形成薄带状；冷却：由于薄带坯材在挤压机内进行挤压，所以坯材的温度较高，将坯材放置在空气中进行冷却；拉弯矫：将冷却好的薄带坯材放置到拉弯矫直的机器上面进行拉弯矫直，所述的拉弯矫直机器上面设有连续加温装置，可以保证坯材在拉弯矫直的过程中有较好的韧性，保证薄带坯材不会出现断裂；清洗：将拉弯矫直好的薄带坯材放入到清洗溶液中进行清洗，所述的清洗溶液由盐酸（100ml），水(300ml)组成；涂油：在清洗好的薄带坯材上面涂覆防锈蚀油，可以很好的保护薄带坯材氧化，形成锈斑；收排线：将涂油好的薄带进行收整，形成成品薄带。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘平，卢之云，封心波，
申请(专利权)人：江苏迅达电磁线有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32