一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及通信电台技术领域，公开了一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器，包括第一变压器、第二变压器、第一至第四晶体谐振器元件和LC谐振电路。本实用新型专利技术通过电路及对晶体频率的合理设计，降低通带内群时延；同时增加电容和电感组成的LC谐振电路来进行带宽展宽。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及通信电台收发射频的中频部分
，更具体地说，特别涉及一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器。
技术介绍
近年来随着电子技术的飞速发展，无线电通信技术的应用越来越广泛。收发射频的中频部分作为通信机收发的重要组成部分，主要功能是在接收时将接收到中频信号进行筛选；在发射时可以有效滤除无用的发射杂波频率，并防止其它发射机的无线干扰信号进入本发射机。随着用户对中频部分要求逐步向高基频、宽带、低时延等方向发展，对于中频滤波器的要求也向此方向发展。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器。为了解决以上提出的问题，本技术采用的技术方案为:一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器，包括第一变压器、第二变压器、第一至第四晶体谐振器元件和LC谐振电路；其中，所述第一变压器的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输入端，其第一次级绕组一端与第一晶体谐振器元件连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第二晶体谐振器元件连接，其另一端接地，所述第一晶体谐振器元件还与第二晶体谐振器元件连接;所述第二变压器的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输出端，其第一次级绕组一端与第三晶体谐振器元件连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第四晶体谐振器元件连接，其另一端接地，所述第三晶体谐振器元件还与第四晶体谐振器元件连接；所述第二晶体谐振器元件还与第四晶体谐振器元件连接；所述LC谐振电路连接在第一变压器的第二次级绕组一端和第二变压器的第二次级绕组一端之间。根据本技术的一优选实施例:所述LC谐振电路包括第一至第三电容和电感；所述第一电容的一端与第一变压器的第二次级绕组一端连接，其另一端接地；所述第二电容的一端与第一晶体谐振器元件和第二晶体谐振器元件的连接处相连接，其另一端接地；所述电感连接与第三晶体谐振器元件和第四晶体谐振器元件连接的连接处相连接，其另一端接地；所述第三电容的一端与第二变压器的第二次级绕组一端连接，其另一端接地。根据本技术的一优选实施例:所述第一电容和第三电容均为可变电容。根据本技术的一优选实施例:所述第一至第四晶体谐振器元件均为石英晶体谐振器元件。根据本技术的一优选实施例:该滤波器集成于一金属外壳内。与现有技术相比，本技术的有益效果在于:本技术通过电路及对晶体频率的合理设计，降低通带内群时延；同时增加电容和电感组成的LC谐振电路来进行带宽展宽。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的高基频宽带低时延石英晶体滤波器的电路原理图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术的优选实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。参阅图1所示，本技术提供一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器，包括第一变压器Tl、第二变压器T2、第一至第四晶体谐振器元件Y1-Y4和LC谐振电路。在本技术中，所述第一变压器Tl的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输入端，其第一次级绕组一端与第一晶体谐振器元件Yi连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第二晶体谐振器元件Y2连接，其另一端接地，所述第一晶体谐振器元件Yl还与第二晶体谐振器元件Y2连接。所述第二变压器T2的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输出端，其第一次级绕组一端与第三晶体谐振器元件Y3连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第四晶体谐振器元件Y4连接，其另一端接地，所述第三晶体谐振器元件Y3还与第四晶体谐振器元件Y4连接。所述第二晶体谐振器元件Y2还与第四晶体谐振器元件Y4连接。所述LC谐振电路连接在第一变压器Tl的第二次级绕组一端和第二变压器T2的第二次级绕组一端之间。在本技术中，所述LC谐振电路包括第一至第三电容C1-C3和电感LI。所述第一电容Cl的一端与第一变压器Tl的第二次级绕组一端连接，其另一端接地。所述第二电容C2的一端与第一晶体谐振器元件Yl和第二晶体谐振器元件Y2的连接处相连接，其另一端接地。所述电感LI连接与第三晶体谐振器元件Y3和第四晶体谐振器元件Y4连接的连接处相连接，其另一端接地。所述第三电容C3的一端与第二变压器T2的第二次级绕组一端连接，其另一端接地。具体的，所述第一电容Cl和第三电容C3均为可变电容。具体的，所述第一至第四晶体谐振器元件Y1-Y4均为石英晶体谐振器元件。本技术通过化学抛光和离子束刻蚀的技术，大大提高基频上限、扩展带宽，同时增加LC谐振电路进行带宽展宽。其中心频率为124.8MHz, 3dB通带宽度多70kHz ;通过电路及对晶体频率的合理设计，降低通带内群时延，124.8MHz±35KHz ( 2us ;采用金属外壳封装保证在复杂的电磁抗干扰条件下正常工作。上述实施例为本技术较佳的实施方式，但本技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器，其特征在于:包括第一变压器(Tl)、第二变压器(T2)、第一至第四晶体谐振器元件(Y1-Y4)和LC谐振电路； 其中，所述第一变压器(Tl)的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输入端，其第一次级绕组一端与第一晶体谐振器元件(Yl)连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第二晶体谐振器元件(Y2)连接，其另一端接地，所述第一晶体谐振器元件(Yl)还与第二晶体谐振器元件(Y2)连接； 所述第二变压器(T2)的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输出端，其第一次级绕组一端与第三晶体谐振器元件(Y3)连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第四晶体谐振器元件(Y4)连接，其另一端接地，所述第三晶体谐振器元件(Y3)还与第四晶体谐振器元件(Y4)连接； 所述第二晶体谐振器元件(Y2)还与第四晶体谐振器元件(Y4)连接； 所述LC谐振电路连接在第一变压器(Tl)的第二次级绕组一端和第二变压器(T2)的第二次级绕组一端之间。2.根据权利要求1所述的高基频宽带低时延石英晶体滤波器，其特征在于:所述LC谐振电路包括第一至第三电容(C1-C3)和电感(LI)； 所述第一电容(Cl)的一端与第一变压器(Tl)的第二次级绕组一端连接，其另一端接地； 所述第二电容(C2)的一端与第一晶体谐振器元件(Yl)和第二晶体谐振器元件(Y2)的连接处相连接，其另一端接地； 所述电感(LI)连接与第三晶体谐振器元件(Y3)和第四晶体谐振器元件(Y4)连接的连接处相连接，其另一端接地； 所述第三电容(C3)的一端与第二变压器(T2)的第二次级绕组一端连接，其另一端接地。3.根据权利要求2所述的高基频宽带低时延石英晶体滤波器，其特征在于:所述第一电容(Cl)和第三电容(C3)均为可变电容。4.根据权利要求1所述的高基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高基频宽带低时延石英晶体滤波器，其特征在于：包括第一变压器(T1)、第二变压器(T2)、第一至第四晶体谐振器元件(Y1‑Y4)和LC谐振电路；其中，所述第一变压器(T1)的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输入端，其第一次级绕组一端与第一晶体谐振器元件(Y1)连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第二晶体谐振器元件(Y2)连接，其另一端接地，所述第一晶体谐振器元件(Y1)还与第二晶体谐振器元件(Y2)连接；所述第二变压器(T2)的初级绕组一端接地，其初级绕组另一端为输出端，其第一次级绕组一端与第三晶体谐振器元件(Y3)连接，其另一端接地，其第二次级绕组一端与第四晶体谐振器元件(Y4)连接，其另一端接地，所述第三晶体谐振器元件(Y3)还与第四晶体谐振器元件(Y4)连接；所述第二晶体谐振器元件(Y2)还与第四晶体谐振器元件(Y4)连接；所述LC谐振电路连接在第一变压器(T1)的第二次级绕组一端和第二变压器(T2)的第二次级绕组一端之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐小丰，覃炳华，
申请(专利权)人：武汉博畅通信设备有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42