一种跳频滤波器制造技术

本发明专利技术提出了一种跳频滤波器，包括：射频信号输入电路、跳频滤波电路、升压电路、主控CPU以及射频信号输出电路；所述射频信号输入电路依次与跳频滤波电路以及射频信号输出电路连接，升压电路与跳频滤波电路连接，主控CPU与跳频滤波电路连接。本发明专利技术通过升压电路，给跳频滤波电路中的场效应管提供反偏截止电压，而不再需要外部提供一组反偏电压给跳频滤波器，同时由于有这一组内置反偏电压，可保证电路能够承受输入功率达到1W，保证了电路安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种跳频滤波器
本专利技术涉及跳频滤波器
，尤其涉及一种跳频滤波器。
技术介绍
跳频滤波器主要应用于跳频电台的射频前端，解决因多部电台同时通信时而引发的电磁干扰问题，可使同时通信的电台数量由原来的1台扩展到20台。但是现有的跳频滤波器不仅体积大，而且功耗高，同时能难承受住达到1w的输入功率，当功率过高时，很容易出现设备损坏的情况。所以，亟需一种跳频滤波器能够承受住达到1W的输入功率。
技术实现思路
有鉴于此本专利技术提出了一种跳频滤波器，以解决传统跳频滤波器无法承受住达到1W的输入功率的问题。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种跳频滤波器，包括：射频信号输入电路、跳频滤波电路、升压电路、主控CPU以及射频信号输出电路；所述射频信号输入电路依次与跳频滤波电路以及射频信号输出电路连接，升压电路与跳频滤波电路连接，主控CPU与跳频滤波电路连接。可选的，所述跳频滤波电路包括：一级谐振电路、耦合电路、二级谐振电路；所述一级谐振电路依次与耦合电路以及二级谐振电路连接，升压电路分别与一级谐振电路以及二级谐振电路连接，主控CPU分别与一级谐振电路以及二级谐振电路连接。可选的，所述一级谐振电路包括：电容C1-3、电阻R1-3以及三极管Q1；所述电容C1一端与三极管Q1发射极连接，三极管Q1发射极与升压电路连接，电容C1一端还与电容C3另一端连接，电容C1另一端与耦合电路连接，电容C3一端与电阻R1一端连接，电阻R1一端还与升压电路连接，电阻R1另一端与三极管Q1基极连接，电阻R1另一端与电阻R3一端连接，电阻R3另一端与电阻R2另一端连接，电阻R2另一端接地，电阻R2一端与三极管Q1集电极连接，电容C2一端与电阻R2一端并联，电容C2另一端与电阻R2另一端并联。可选的，所述二级谐振电路包括：电容C4-6、电阻R4-6以及三极管Q2；所述电容C4另一端与三极管Q2发射极连接，三极管Q2发射极与升压电路连接，电容C4另一端还与电容C6一端连接，电容C4一端与耦合电路连接，电容C6另一端与电阻R6一端连接，电阻R6一端还与升压电路连接，电阻R6另一端与三极管Q2基极连接，电阻R6另一端与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与电阻R4另一端连接，电阻R4另一端接地，电阻R4一端与三极管Q2集电极连接，电容C5一端与电阻R4一端并联，电容C5另一端与电阻R4另一端并联。可选的，所述耦合电路包括：电阻R7-12以及三极管Q3-4；所述电容C1另一端与电阻R7一端连接，电阻R7另一端接地，电容C1另一端还与三极管Q3基极连接，三极管Q3集电极与电阻R11的另一端连接，电阻R11的一端接电源，三极管Q3发射极与电阻R10一端连接，电阻R10另一端接地，三极管Q3集电极还与电阻R8一端连接，电阻R8另一端与电阻R9一端连接，电阻R9另一端接地，电阻R8另一端与三极管Q4基极连接，三极管Q4发射极与电阻R10一端连接，三极管Q4集电极与电阻R12另一端连接，电阻R12一端与电阻R11一端并联，三极管Q4集电极还与第二谐振电路电容C4一端连接。可选的，所述升压电路包括：场效应管Q5-12、电容C7-12以及电阻R13；所述电阻R1一端与电容C7一端连接，三极管Q1发射极与电容C7另一端连接，场效应管Q5依次与场效应管Q6、Q7以及Q8串联，电容C7一端还与场效应管Q5和场效应管Q6连线中端连接，电容C7另一端还与场效应管Q7和场效应管Q8连线中端连接，电容C8一端与场效应管Q5一端连接，电容C8另一端与场效应管Q6和场效应管Q7连线中端连接，电容C8另一端还与电容C9一端连接，电容C9另一端连接与场效应管Q8另一端连接，电容C9另一端接地，场效应管Q5一端还与电阻R13一端连接，电阻R13另一端与场效应管Q9一端连接，场效应管Q9依次与场效应管Q10、Q11以及Q12串联，场效应管Q6和场效应管Q7连线中端与场效应管Q10和场效应管Q11连线中端连接，场效应管Q8另一端与场效应管Q12另一端连接，场效应管Q9一端与电容C10一端连接，电容C10另一端与场效应管Q10和场效应管Q11连线中端连接，电容C10另一端还与电容C11一端连接，电容C11另一端连接与场效应管Q12另一端连接，电容C12一端与场效应管Q9和场效应管Q10连线中端连接，电容C12一端还与电阻R6一端连接，电容C12另一端与场效应管Q11和场效应管Q12连线中端连接，电容C12另一端还与三极管Q2发射极连接。本专利技术的跳频滤波器相对于现有技术具有以下有益效果：(1)通过利用升压电路来给跳频滤波电路提供截止电压，能够保证整个电路能够承受住输入功率达到1W，保证了整个电路安全性；(2)通过跳频滤波电路中的谐振电路，能够对接收的频率信号进行筛选，提高整个电路频率信号的有效性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的跳频滤波器的原理框图；图2为本专利技术的跳频滤波器的滤波调谐电路的电路图；图3为本专利技术的跳频滤波器的升压电路的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本实施例的跳频滤波器包括：射频信号输入电路、跳频滤波电路、升压电路、主控CPU以及射频信号输出电路；所述射频信号输入电路依次与跳频滤波电路以及射频信号输出电路连接，升压电路与跳频滤波电路连接，主控CPU与跳频滤波电路连接。本实施例中，信号输入电路用于输入需要进行跳频的频率信号。如图2所示，跳频滤波电路包括：一级谐振电路、耦合电路、二级谐振电路，一级谐振电路依次与耦合电路以及二级谐振电路连接，升压电路分别与一级谐振电路以及二级谐振电路连接，主控CPU分别与一级谐振电路以及二级谐振电路连接。一级谐振电路包括：电容C1-3、电阻R1-3以及三极管Q1。电容C1一端与三极管Q1发射极连接，三极管Q1发射极与升压电路连接，电容C1一端还与电容C3另一端连接，电容C1另一端与耦合电路连接，电容C3一端与电阻R1一端连接，电阻R1一端还与升压电路连接，电阻R1另一端与三极管Q1基极连接，电阻R1另一端与电阻R3一端连接，电阻R3另一端与电阻R2另一端连接，电阻R2另一端接地，电阻R2一端与三极管Q1集电极连接，电容C2一端与电阻R2一端并联，电容C2另一端与电阻R2另一端并联。应当理解的是，一级谐振电路与二级谐振电路电路结构相同，构成双调谐对称结构，通过与耦合电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种跳频滤波器，其特征在于，包括：射频信号输入电路、跳频滤波电路、升压电路、主控CPU以及射频信号输出电路；/n所述射频信号输入电路依次与跳频滤波电路以及射频信号输出电路连接，升压电路与跳频滤波电路连接，主控CPU与跳频滤波电路连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种跳频滤波器，其特征在于，包括：射频信号输入电路、跳频滤波电路、升压电路、主控CPU以及射频信号输出电路；
所述射频信号输入电路依次与跳频滤波电路以及射频信号输出电路连接，升压电路与跳频滤波电路连接，主控CPU与跳频滤波电路连接。


2.如权利要求1所述的跳频滤波器，其特征在于，所述跳频滤波电路包括：一级谐振电路、耦合电路、二级谐振电路；
所述一级谐振电路依次与耦合电路以及二级谐振电路连接，升压电路分别与一级谐振电路以及二级谐振电路连接，主控CPU分别与一级谐振电路以及二级谐振电路连接。


3.如权利要求1所述的跳频滤波器，其特征在于，所述一级谐振电路包括：电容C1-3、电阻R1-3以及三极管Q1；
所述电容C1一端与三极管Q1发射极连接，三极管Q1发射极与升压电路连接，电容C1一端还与电容C3另一端连接，电容C1另一端与耦合电路连接，电容C3一端与电阻R1一端连接，电阻R1一端还与升压电路连接，电阻R1另一端与三极管Q1基极连接，电阻R1另一端与电阻R3一端连接，电阻R3另一端与电阻R2另一端连接，电阻R2另一端接地，电阻R2一端与三极管Q1集电极连接，电容C2一端与电阻R2一端并联，电容C2另一端与电阻R2另一端并联。


4.如权利要求3所述的跳频滤波器，其特征在于，所述二级谐振电路包括：电容C4-6、电阻R4-6以及三极管Q2；
所述电容C4另一端与三极管Q2发射极连接，三极管Q2发射极与升压电路连接，电容C4另一端还与电容C6一端连接，电容C4一端与耦合电路连接，电容C6另一端与电阻R6一端连接，电阻R6一端还与升压电路连接，电阻R6另一端与三极管Q2基极连接，电阻R6另一端与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与电阻R4另一端连接，电阻R4另一端接地，电阻R4一端与三极管Q2集电极连接，电容C5一端与电阻R4一端并联，电容C5另一端与电阻R4另一端并联。


5.如权利要求4所述的跳频滤波器，其特征在于，所述耦合电路包括：电阻R7...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁志勇，蔡楚才，
申请(专利权)人：武汉博畅通信设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42