本发明专利技术公开了一种显示装置，包含多个具有穿透区与反射区的子像素。显示装置包含上基板、下基板以及液晶层。液晶层设置于上基板与下基板之间。每一子像素包含透明电极、反射电极、导线、第一电极层、色阻层、电致变色层以及第二电极层。透明电极与反射电极分别设置于下基板的穿透区与反射区。导线设置于下基板与反射电极之间。第一电极层与色阻层分别设置于上基板的反射区与穿透区。电致变色层设置于第一电极层，其中反射区对应于电致变色层的位置。第二电极层设置于电致变色层与液晶层之间，且第二电极层至少部份设置于反射区。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种显示装置。
技术介绍
近年来光电相关技术不断地推陈出新，加上数字化时代的到来，推动了液晶显示器市场的蓬勃发展。依照利用的光源不同，液晶显示器可再细分为穿透式、反射式以及半穿反式。一般而言，穿透式(transmissive)液晶显示器适用于外在光线较弱的环境，而反射式(reflective)液晶显示器适用于外在光线较强的环境。半穿反(transfIective)显示器结合穿透式与反射式的优点，而可适用于较大范围的光线强度变化的环境。然而，由于半穿反显示器有部份区域作为反射区使用，背光光线无法穿过反射区，因此会造成面板的穿透率下降。此外，高解析度的显示器黑色矩阵面积比例较高，也会造成开口率下降，因此目前的高解析度显示器较少采用半穿反的设计。
技术实现思路
于本专利技术的多个实施方式中，将反射区环绕穿透区设置，并将电致变色层设置于反射区，使得在穿透模式时，可以以具有较低穿透率的反射区分隔各个子像素。在反射模式或半穿反模式时，反射区的电致变色层可变为透明，而使反射区可以反射外在的光线以显示影像。根据本专利技术的一态样提供显示装置，包含多个子像素，每一子像素包含穿透区与反射区。显示装置包含上基板、下基板以及液晶层。液晶层设置于上基板与下基板之间。每一子像素包含透明电极、反射电极、导线、第一电极层、色阻层、电致变色层以及第二电极层。透明电极设置于下基板且位于穿透区。反射电极设置于下基板且位于反射区。导线设置于下基板与反射电极之间，用以分别电性连接透明电极与反射电极。第一电极层设置于上基板且位于反射区。色阻层设置于上基板且位于穿透区。电致变色层设置于第一电极层并与位于下基板的导线相对应，其中反射区对应于电致变色层的位置。第二电极层设置于电致变色层与液晶层之间，且第二电极层至少部份设置于反射区。于本专利技术的一或多个实施方式中，每一子像素内包含至少一薄膜晶体管设置于下基板，并与透明电极以及反射电极电性连接。于本专利技术的一或多个实施方式中，每一子像素内包含第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管设置于下基板，透明电极与第一薄膜晶体管电性连接，且反射电极与第二薄膜晶体管电性连接。于本专利技术的一或多个实施方式中，导线包含至少一栅极线与至少一信号线，信号线用以与透明电极或反射电极电性连接。于本专利技术的一或多个实施方式中，显示装置还包含绝缘层以及第三电极层。绝缘层设置于下基板与透明电极之间以及下基板与反射电极之间。第三电极层设置于绝缘层与下基板之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，反射电极的一宽度小于该电致变色层的一宽度。于本专利技术的一或多个实施方式中，第二电极层同时设置于穿透区与反射区。于本专利技术的一或多个实施方式中，反射区与穿透区相邻，且反射区为L形或U形。于本专利技术的一或多个实施方式中，显示装置还包含遮光层，设置于色阻层与电致变色层之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，显示装置还包含凸块，设置于反射区的反射电极与下基板之间，其中反射区的液晶层的间隙高度大约是穿透区的液晶层的间隙高度的一半。于本专利技术的一或多个实施方式中，显示装置还包含凸块，设置于上基板的反射区，其中反射区的液晶层的间隙高度大约是穿透区的液晶层的间隙高度的一半。根据本专利技术的另一态样提供显示装置，包含多个子像素，每一子像素包含穿透区与反射区。显示装置包含下基板结构、上基板结构以及液晶层。下基板结构包括下基板、多个透明电极以及多个反射电极。透明电极设置于下基板上并分别位于穿透区。反射电极设置于下基板上并分别位于反射区。上基板结构相对下基板结构设置，上基板结构包括上基板、电致变色层、色阻层、第一电极层以及第二电极层。电致变色层设置于上基板，具有多个开口，每一开口对应于每一子像素的穿透区，电致变色层具第一表面和第二表面，其中反射区对应于电致变色层的位置。色阻层设置于上基板并位于电致变色层的开口中。第一电极层设置于上基板并位于电致变色层的第一表面与上基板之间。第二电极层设置于电致变色层的第二表面，且第二电极层至少部份设置于反射区。液晶层设置于上基板结构与下基板结构之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，每一子像素内包含至少一薄膜晶体管设置于下基板，薄膜晶体管设置与透明电极以及反射电极电性连接。于本专利技术的一或多个实施方式中，每一子像素内包含第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管设置于下基板，透明电极分别与第一薄膜晶体管电性连接，且反射电极分别与第二薄膜晶体管电性连接。于本专利技术的一或多个实施方式中，其中下基板结构还包含绝缘层以及多个导线。绝缘层设置于下基板与透明电极之间或下基板与反射电极之间。导线设置于下基板与绝缘层之间，导线包含多个信号线，信号线用以分别与透明电极或反射电极电性连接。于本专利技术的一或多个实施方式中，其中下基板结构还包含绝缘层以及第三电极层。绝缘层设置于下基板与透明电极之间以及下基板与反射电极之间。第三电极层设置于绝缘层与下基板之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，其中反射电极的一宽度小于电致变色层的一宽度。于本专利技术的一或多个实施方式中，其中第二电极层同时设置于该穿透区与该反射区。于本专利技术的一或多个实施方式中，其中该反射区与穿透区相邻，且反射区为L形或U形。于本专利技术的一或多个实施方式中，其中该上基板结构还包含遮光层，设置于色阻层与电致变色层之间。【附图说明】图1A为本专利技术的一实施方式的显示装置的局部上视图。图1B为沿图1A的线B-B’的显示装置的剖面图。图2A至图2D为图1B的显示装置的操作示意图。图3为本专利技术的另一实施方式的显示装置的局部剖面图。图4为本专利技术的又一实施方式的显示装置的局部剖面图。图5为本专利技术的再一实施方式的显示装置的局部剖面图。其中，附图标记:100:显示装置112:上基板114:下基板120:液晶层130:透明电极140:反射电极150:导线152:信号线160:电致变色层160a:开口160b:第一表面160c:第二表面170:色阻层182:第一电极层184:第二电极层186:第三电极层192:绝缘层194:绝缘层200:子像素212:第一薄膜晶体管214:第二薄膜晶体管310:凸块320:黑色矩阵330:绝缘层500:上基板结构600:下基板结构TA:穿透区RA:反射区G:间隙GL:栅极线El:第一电场E2:第二电场E3:第三电场B-B ’:线V1:电极电位V2:电极电位V3:电极电位V4:电极电位Wl:宽度W2:宽度【具体实施方式】以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式为之。同时参照图1A与图1B，图1A为本专利技术的一实施方式的显示装置的局部上视图。图1B为沿图1A的线B-B’的显示装置100的剖面图。为了突显本专利技术的显示装置的特征，部分元件未绘示于附图中。显示装置100包含上基板结构500、下基板结构600，以及设置于其间的液晶层120，而在图1A中上基板结构500与液晶层120予以隐藏以便于说明，合先叙明。显示装置100包含多个子像素200，每一子像素200包含穿透区TA与反射区RA。显示装置100包含上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，该显示装置包含多个子像素，每一该些子像素具有一穿透区与一反射区，该显示装置包含：一上基板；一下基板，相对该上基板设置；以及一液晶层，设置于该上基板与该下基板之间；其中每一该些子像素包含：一透明电极，设置于该下基板且位于该穿透区；一反射电极，设置于该下基板且位于该反射区；多个导线，该些导线设置于该下基板与该反射电极之间，用以分别电性连接该透明电极与该反射电极；一第一电极层，设置于该上基板且位于该反射区；一色阻层，设置于该上基板且位于该穿透区；一电致变色层，设置于该第一电极层并与位于该下基板的该些导线相对应，其中该反射区对应于该电致变色层的位置；以及一第二电极层，设置于该电致变色层与该液晶层之间，且该第二电极层至少部份设置于该反射区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜华生，
申请(专利权)人：友达光电厦门有限公司，友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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