超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头制造技术

技术编号:12160342 阅读:168 留言:0更新日期:2015-10-04 01:22
本实用新型专利技术公开了一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头,涉及超声波无损检测技术领域。本实用新型专利技术有一探头主体,在探头主体的底部设置一层保护膜;保护膜的底端边缘与其上端边缘之间构成三角形检测区,底端边缘打磨长度为保护膜厚度的1.8-2.1倍。优点:本实用新型专利技术主要通过减少探头前沿长度的方法,达到超声波无损检测时减少一次波盲区的目的,这样探头可以更贴近工件被检测区域。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及超声波无损检测
,具体是一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头,主要对超声波大晶片斜探头进彳丁改进。
技术介绍
目前大晶片超声波无损检测斜探头有如下问题:I)现有大晶片斜探头进行单侧检测时,为了减少其杂波区域,设计前沿较大,故在检测时一次波存在较大范围盲区;2)前沿较小的斜探头价格较高,因为前沿越小,工艺越复杂,技术要求越高;3)超声波无损检测用斜探头属于易耗品,使用成本较高。为了解决以上问题,本技术将改进普通斜探头,减少其检测时的盲区,并且节约成本。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺点,本技术提供一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头,简单方便、实用性强,可减少检测盲区。本技术是以如下技术方案实现的:一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头,包括探头主体,在探头主体的底部设置一层保护膜;保护膜的底端边缘与其上端边缘之间构成三角形检测区,底端边缘打磨长度为保护膜厚度的1.8-2.1倍。本技术的有益效果是:由于保护膜被打磨进一部分,检测时探头的前沿减少,探头可以更深入到焊缝,更贴近工件被检测区域,进而减少了检测时的盲区。【附图说明】图1是现有大晶片探头结构不意图;图2是现有大晶片探头检测不意图图3是本技术结构示意图;图4是本技术检测示意图。【具体实施方式】如图1和图2所示,改进前探头前沿长度为L1,一次波可检测到的区域阴影表示,阴影面积约为S1。如图3和图4所示,一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头包括探头主体1,在探头主体I的底部设置一层保护膜2 ;保护膜的底端边缘与其上端边缘之间构成三角形检测区,底端边缘打磨长度为保护膜厚度的1.8-2.1倍。改进后探头前沿长度为L2,一次波可检测到的区域阴影表示,阴影面积约为S2。两次检测区域作对比,改进后检测区域面积比改进前增加了 Λ S= S2- S1O改进后,L2比改进前L1减少,检测区域S2大于Sp上述长度单位为mm,面积单位为mm2。L1为改进前探头前沿尺寸。L2为改进后探头前沿尺寸。S1S改进前探头一次波检测区域面积。S2S改进后探头一次波检测区域面积。本技术就是主要目的:1)减少探头前沿;2)尽可能贴近工件被检测区域。现有的超声波无损检测大晶片斜探头,为了保护探头内部压片晶片不致磨损或损坏,底部都会加一层保护膜。在不影响原探头工作效率和破坏结构的同时,可以将该层保护膜打磨进一定的距离来实现这两点,进而起到减少检测时一次波盲区的目的。本技术通过现有探头进行改进,具体步骤如下:I)在改进前,将需要改进的斜探头上机,使用试块校准,并记录数据;2)将原探头下层的保护膜用打磨机打磨掉前段一个三角形区域(如图3),打磨应在不能打磨透保护膜,漏出内部结构的前提下尽量多的打磨,这样可减少原探头前沿长度;3)打磨后用细砂纸打磨平整;4)打磨好之后,使用与第I步相同的探伤机,使用相同试块进行校准,并记录数据;5)验证改进前后记录的数据,验证后方可进行正常检查工作。【主权项】1.一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头,包括探头主体(I),在探头主体(I)的底部设置一层保护膜(2);其特征在于:保护膜的底端边缘与其上端边缘之间构成三角形检测区,底端边缘打磨长度为保护膜厚度的1.8-2.1倍。【专利摘要】本技术公开了一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头,涉及超声波无损检测
本技术有一探头主体,在探头主体的底部设置一层保护膜;保护膜的底端边缘与其上端边缘之间构成三角形检测区,底端边缘打磨长度为保护膜厚度的1.8-2.1倍。优点:本技术主要通过减少探头前沿长度的方法,达到超声波无损检测时减少一次波盲区的目的,这样探头可以更贴近工件被检测区域。【IPC分类】G01N29/24【公开号】CN204679456【申请号】CN201520303436【专利技术人】周子森, 王浩, 王永, 张树勋, 王宁, 冯照平, 孙亚, 朱正康, 陈奔, 闫修安 【申请人】徐州市产品质量监督检验中心【公开日】2015年9月30日【申请日】2015年5月11日本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种超声波无损检测减少盲区大晶片斜探头,包括探头主体(1),在探头主体(1)的底部设置一层保护膜(2);其特征在于:保护膜的底端边缘与其上端边缘之间构成三角形检测区,底端边缘打磨长度为保护膜厚度的1.8‑2.1倍。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周子森王浩王永张树勋王宁冯照平孙亚朱正康陈奔闫修安
申请(专利权)人:徐州市产品质量监督检验中心
类型:新型
国别省市:江苏;32

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