一种STM32芯片程序烧写电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种STM32芯片程序烧写电路，STM32芯片上包括UART_TX、SWDIO、SWCLK、UART_RX；UART_TX与SWDIO相连；SWDIO还分别与二极管D1的正极、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管D1的负极分别与第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FB1的一端、第一电阻R1的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FB1的另一端与传输端TX相接，第一电阻R1的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压。本实用新型专利技术结构简单，利用控制器本身的通信线束，在不影响原有通信的情况下实现程序烧写，无需增加额外的烧写线束，不但节省了成本，也节约了空间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种程序烧写电路，具体地说是STM32芯片程序烧写电路。
技术介绍
目前常用STM32电动自行车方案控制器，为了以后程序修改方便，程序烧写需要单独一个线束，需要额外增加成本。
技术实现思路
专利技术目的:为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种利用控制器本身的通信线束，在不额外增加线束的情况下实现程序烧写且不影响原有通信的STM32芯片程序烧写电路。为解决上述技术问题，本技术的技术方案为一种STM32芯片程序烧写电路，STM32 芯片上包括 UART_TX、SWD1、SffCLK, UART_RX ；UART_TX 与 SWD1 相连；SWD1还分别与二极管Dl的正极、第一电容Cl的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管Dl的负极分别与第一电容Cl的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FBl的一端、第一电阻Rl的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FBl的另一端与传输端TX相接，第一电阻Rl的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压；SWCLK分别与UART_RX、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端相接，第四电阻R4的另一端与第三电容C3的一端以及第二磁珠FB2的一端相接，第三电容C3的另一端接地，第二磁珠FB2的另一端与接收端RX相接，第五电阻R5的另一端接地。所述第一电阻Rl的阻值为IK Ω。所述第二电阻R2的阻值为IK Ω。所述第三电阻R3的阻值为4.7K Ω。所述第四电阻R4的阻值为2K Ω。所述第五电阻Rl的阻值为1K Ω。本技术利用STM32芯片的通信口 UART_RX与程序烧写口时钟信号SWCLK连接，UART_TX与程序烧写口数据信号SWD1连接，通过相应的电路转换实现利用通信线束烧写芯片程序。有益效果:本技术结构简单，利用控制器本身的通信线束，在不影响原有通信的情况下实现程序烧写，无需增加额外的烧写线束，不但节省了成本，也节约了空间。【附图说明】图1为本技术结电路图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作更进一步的说明。如图1所示，一种STM32芯片程序烧写电路，STM32芯片上包括UART_TX、SWD1,SWCLK、UART_RX ；UART_TX 与 SWD1 相连；SWD1还分别与二极管Dl的正极、第一电容Cl的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管Dl的负极分别与第一电容Cl的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FBl的一端、第一电阻Rl的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FBl的另一端与传输端TX相接，第一电阻Rl的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压；SWCLK分别与UART_RX、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端相接，第四电阻R4的另一端与第三电容C3的一端以及第二磁珠FB2的一端相接，第三电容C3的另一端接地，第二磁珠FB2的另一端与接收端RX相接，第五电阻R5的另一端接地。其中第一电阻Rl的阻值为IK Ω，第二电阻R2的阻值为IK Ω，第三电阻R3的阻值为4.7KΩ，第四电阻R4的阻值为2KΩ，第五电阻Rl的阻值为1KΩ。工作原理:1、UART_TX 与 SWD1 连接，1)UART_TX发送高电平数据时，三极管Q不导通，TX传输端口为5V高电平。2)UART_TX发送低电平数据时，三极管Q导通，TX传输端为OV低电平。3)烧写程序，当数据为低电平时，因为二极管Dl和第一电容Cl的原因，SWD1端也为低电平。4)烧写程序，当数据为高电平时，由于SWD1端上拉，SffD1也为高电平。2、UART_RX 与 SWCLK 连接。1)UART_RX接收高电平数据时，RX接收端为5V高电平。2)UART_RX接收低电平数据时，RX接收端为OV低电平。3)烧写程序，当时钟信号为低电平时，SWD1端也为低电平。4)烧写程序，当时钟信号为高电平时，SffD1也为高电平。通过上述的电路转换，可以实现利用通讯线束烧写芯片程序。而不需要而外增加烧写口线束，节约了成本，方便了生产。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出:对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。【主权项】1.一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于:STM32芯片上包括UART_TX、SWD1、SWCLK、UART_RX ； UART_TX 与 SWD1 相连； SWD1还分别与二极管Dl的正极、第一电容Cl的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管Dl的负极分别与第一电容Cl的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FBl的一端、第一电阻Rl的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FBl的另一端与传输端TX相接，第一电阻Rl的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压； SffCLK分别与UART_RX、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端相接，第四电阻R4的另一端与第三电容C3的一端以及第二磁珠FB2的一端相接，第三电容C3的另一端接地，第二磁珠FB2的另一端与接收端RX相接，第五电阻R5的另一端接地。2.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于:所述第一电阻Rl的阻值为IK Ω。3.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于:所述第二电阻R2的阻值为IK Ω。4.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于:所述第三电阻R3的阻值为4.7ΚΩ。5.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于:所述第四电阻R4的阻值为2ΚΩ。6.根据权利要求1所述一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于:所述第五电阻Rl的阻值为1K Ω。【专利摘要】本技术公开了一种STM32芯片程序烧写电路，STM32芯片上包括UART_TX、SWDIO、SWCLK、UART_RX；UART_TX与SWDIO相连；SWDIO还分别与二极管D1的正极、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管D1的负极分别与第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FB1的一端、第一电阻R1的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FB1的另一端与传输端TX相接，第一电阻R1的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压。本技术结构简单，利用控制器本身的通信线束，在不影响原有通信的情况下实现程序烧写，无需增加额外的烧写线束，不但节省了成本，也节约了空间。【IPC分类】G06F9/445【公开号】CN204680001【申请号】CN201520368417【专利技术人】聂启彪, 廖洪飞 【申本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种STM32芯片程序烧写电路，其特征在于：STM32芯片上包括UART_TX、SWDIO、SWCLK、UART_RX；UART_TX与SWDIO相连；SWDIO还分别与二极管D1的正极、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端以及三极管Q的发射极相接，二极管D1的负极分别与第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端、第一磁珠FB1的一端、第一电阻R1的一端以及三极管Q的集电极相接，第二电容C2的另一端接地，第一磁珠FB1的另一端与传输端TX相接，第一电阻R1的另一端接+5V电压，三极管Q的基极与第三电阻R3的一端相接，第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的另一端相接并接+3.3V电压；SWCLK分别与UART_RX、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端相接，第四电阻R4的另一端与第三电容C3的一端以及第二磁珠FB2的一端相接，第三电容C3的另一端接地，第二磁珠FB2的另一端与接收端RX相接，第五电阻R5的另一端接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：聂启彪，廖洪飞，
申请(专利权)人：南京市溧水县电子研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32