本实用新型专利技术涉及触控技术领域，提供了一种触控装置，包含一基板、多个桥接单元及一触控电路层。桥接单元彼此相间隔地设置在基板，且各包括一桥接层及至少一缓冲结构。缓冲结构分别由桥接层的侧壁延伸至基板而形成一斜坡。缓冲结构分别设置在各桥接层的两相反末端及两相反末端之间。触控电路层包括多个沿一第一方向间隔地设置在基板的第一触控电极。第一触控电极分别重叠于桥接层，并且覆盖于缓冲结构的斜坡。本实用新型专利技术透过设置缓冲结构，用以在桥接层的侧壁与基板之间形成斜坡，可避免第一触控电极因桥接层与基板之间的高低落差而断裂，进而导致触控装置的功能异常的问题。
【技术实现步骤摘要】
本技术是有关于一种触控技术，特别是指一种触控装置。
技术介绍
现有的触控装置包含一基板、多个彼此相间隔设置在基板上的桥接层及一用以产生触控讯号的触控电路层。触控电路层包括多个沿一第一轴线方向设置在基板，且分别位于桥接层之间的第一触控电极。而每一第一触控电极的两端分别延伸至邻近的桥接层上，并藉由桥接层使得相邻的第一触控电极彼此电连接。然而由于桥接层的厚度远大于第一触控电极的厚度，使得第一触控电极容易在由基板向上延伸至桥接层的区域断裂，而导致触控装置的功能异常。
技术实现思路
为了解决上述问题，克服现有技术的不足，本技术的目的在于避免第一触控电极因桥接层与基板之间的高低落差而断裂，进而避免触控装置的功能产生异常。本技术提供一种触控装置。触控装置包含:一基板、多个桥接单元及一触控电路层。该等桥接单元彼此相间隔地设置在该基板，且各包括一桥接层及至少一缓冲结构，各该缓冲结构分别由该桥接层的侧壁延伸至该基板而形成一斜坡。该触控电路层包括多个沿一第一方向间隔地设置在该基板的第一触控电极，该等第一触控电极分别重叠于至少一桥接层，并且覆盖设于该缓冲结构的该斜坡。在一些实施态样中，该等斜坡的斜率小于85度。在一些实施态样中，各该缓冲结构还覆盖各该桥接层。在一些实施态样中，该等桥接层的厚度范围各介于0.3微米至0.4微米之间，该等缓冲结构的斜坡厚度不小于0.5微米。在一些实施态样中，该等桥接层是由导电材料所制成，且相邻的各该第一触控电极藉由各该桥接层电连接。在一些实施态样中，该等桥接层呈长条状，且各该缓冲结构分别位于各该桥接层的至少一末端。在一些实施态样中，该等桥接层呈长条状，且各该缓冲结构分别位于各该桥接层的两相反末端之间。在一些实施态样中，该等桥接单元各包括多个缓冲结构，该等桥接层呈长条状，且该等缓冲结构分别设置在各该桥接层的两相反末端及两相反末端之间。在一些实施态样中，该等桥接单元还各包括一间隔于该缓冲结构的绝缘结构，该绝缘结构横跨该桥接层且延伸至该基板；该触控电路层还包括多个分别沿一第二方向设置在该基板并跨越该绝缘结构上的第二触控电极。在一些实施态样中，各该绝缘结构设置在各该桥接层与各该第二触控电极之间，使各该第一触控电极与各该第二触控电极彼此电性绝缘。在一些实施态样中，该等缓冲结构及该等绝缘结构由绝缘材料所制成。本技术透过设置缓冲结构，用以在桥接层的侧壁与基板之间形成斜坡，可避免第一触控电极因桥接层与基板之间的高低落差而断裂，进而导致触控装置的功能异常的冋题。为让本技术的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:【附图说明】图1是一立体图，说明本技术触控装置的一实施例；图2是关于图1中触控装置的一局部放大图；图3是依据本技术一实施例的触控装置的一部分剖面示意图；图4是依据本技术另一实施态样的触控装置的一部分剖面示意图；图5是依据本技术另一实施例的触控装置的一部分剖面示意图；及图6至图10是说明本技术的一实施例。【具体实施方式】参阅图1、2与3，为本技术触控装置的一实施例，其中，图1是一立体图，说明本技术触控装置的一实施例；图2是关于图1中触控装置的一局部放大图；图3是依据本技术的实施例的触控装置的一部分剖面示意图。本技术触控装置包含一基板1、一遮蔽层2、多个桥接单元3、一触控电路层4及一讯号传送层5。基板I的材质选自于由玻璃、聚碳酸酯、聚对苯二酸乙二脂、聚甲基丙烯酸甲脂、聚砜，及其他环烯共聚物所组成的群体，但不以此为限。此外，为了确保生产过程中基板I的结构强度与耐用性，亦可对基板I的表面进行强化处理，使基板I具有较佳的结构强度及耐用程度。遮蔽层2设置在基板I周围，且通常是由有色光阻或有色油墨所制成，并用以形成触控装置周围部分的非可视区。且遮蔽层2上还形成一个或多个图案21，图案21可依据需求设计成首页键、返回键、窗口切换键等功能键的图标(Icon)。桥接单元3彼此相间隔地设置在基板1，并各包括一桥接层31、一绝缘结构32及多个缓冲结构33 (此处缓冲结构33的数量是以四个为例，但不以此为限)。桥接层31主要是由金属或金属氧化物(例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO))等导电材料所制成，可提供电传导的路径。缓冲结构33与绝缘结构32主要是由例如聚亚酰胺(Polyimide)的高分子绝缘材料所制成。每一缓冲结构33覆盖部分桥接层31，并由桥接层31的侧壁延伸至基板I而形成一斜坡331，该斜坡331具体来说为缓冲结构33由较高的桥接层31的顶面延伸至较低的基板I的顶面而成，因此形成介于桥接层31与基板I之间的高度渐变结构(见图3)。并且，在一些实施态样中，斜坡331的斜率小于85度。优选的，斜坡331的斜率可以是75度、60度、45度、30度、15度或10度。每一绝缘结构32则横跨桥接层31且延伸至基板1，并相间隔于缓冲结构33。在本实施例中，桥接层31呈长条状，并以数组方式排列于基板I上；缓冲结构33同样为长条状，并分别位于桥接层31的两相反末端及两相反末端之间；绝缘结构32概呈矩形，并覆盖于桥接层31的中央位置。但在不同的实施态样中，桥接层31、绝缘结构32、缓冲结构33的形状、数量、设置位置均可视需要而对应调整，不以此处揭露的内容为限。触控电路层4主要是由透明导电材料所制成，较常见的透明导电材料为氧化铟锡、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide, IZO)、氧化销锌(Aluminum Zinc Oxide, ΑΖ0)、氧化锌(Zinc Oxide)、氧化铟嫁锌(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)、纳米碳管(Carbon NanoTube, CNT)、纳米银、纳米铜，或是其他透明导电材质与金属或非金属的合成物。触控电路层4用以产生触控讯号，包括多个第一触控电极41及多个第二触控电极42。第一触控电极41沿一第一方向A间隔地设置在基板1，且两端分别重叠于桥接层31而藉由桥接层31形成电连接，并同时覆盖设于各桥接层31的缓冲结构33。由于第一触控电极41通常是由ITO等具有透明导电特性的金属氧化物制作，此种金属氧化物不像金属材料具有良好的延展性，因此制作在高低落差较大的表面容易产生断裂、破裂等问题。但本实施例在桥接层31与基板I之间铺设形成斜坡331的缓冲结构33，使得第一触控电极41能够在基板1、缓冲结构33与桥接层31上连续延伸，而能避免结构断裂的问题。且在本实施例中，桥接层31的厚度范围介于0.3微米至0.4微米之间，而缓冲结构33的厚度不小于0.5微米，也就是说缓冲结构33的厚度大于桥接层31的厚度，如此能确保缓冲结构33完整地覆盖桥接层31并在桥接层31的侧壁形成斜坡331，进而避免第一触控电极41在由基板I向上延当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种触控装置，其特征在于，包含：一基板；多个桥接单元，彼此相间隔地设置在该基板，该等桥接单元各包括一桥接层及至少一缓冲结构，各该缓冲结构分别由该桥接层的侧壁延伸至该基板而形成一斜坡；及一触控电路层，包括多个沿一第一方向间隔地设置在该基板的第一触控电极，该等第一触控电极分别重叠于至少一该桥接层，并且覆盖该缓冲结构的该斜坡。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：余晶，邱宗科，苏云聪，林雅璐，
申请(专利权)人：宸鸿科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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