一种基于恒流保护的耦合式反向电流源图形处理系统技术方案

技术编号:12091054 阅读:124 留言:0更新日期:2015-09-23 09:29
本发明专利技术公开了一种基于恒流保护的耦合式反向电流源图形处理系统,其由图像传感器,与该图像传感器相连接的驱动电路,与驱动电路相连接的处理电路,与处理电路相连接的射极耦合式非对称触发电路,串接在驱动电路与处理电路之间的精密反向电流源电路,串接在射极耦合式非对称触发电路与驱动电路之间的光束激发式逻辑放大电路,串接而在光束激发式逻辑放大电路与驱动电路之间的逻辑保护射极耦合式放大电路,以及串接在驱动电路与逻辑保护射极耦合式放大电路之间的恒流保护电路组成;本发明专利技术设置有恒流保护电路,其可以对本发明专利技术的工作电流进行锁定,从而使本发明专利技术的工作电流维持在一定的范围内,避免图像信号在处理的过程中受到电流波动的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于图像处理
,具体是指一种基于恒流保护的耦合式反向电流源图形处理系统
技术介绍
目前,以扫描仪为代表的图像识别产品层出不穷,其极大的丰富了人们的生活。但是,目前这些图像识别产品的图像识别能力具有一定的局限性,即其图像识别速度和精度仍然不高,加之在识别过程中会出现图像或纸张与扫描传感器不严密贴合的情况,因此会导致出现失真区域,不能真实的反映出实际效果。同时,由于这些图像识别产品的驱动电路也容易受到波动电流的影响,在电流出现波动时其无法很好的对图像信号进行处理。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前图像识别系统容易受到波动电流的影响,在电流出现波动时其无法很好的对图像信号进行处理的缺陷,提供一种基于恒流保护的耦合式反向电流源图形处理系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于恒流保护的耦合式反向电流源图形处理系统,其由图像传感器,与该图像传感器相连接的驱动电路,与驱动电路相连接的处理电路,与处理电路相连接的射极耦合式非对称触发电路,串接在驱动电路与处理电路之间的精密反向电流源电路,串接在射极耦合式非对称触发电路与驱动电路之间的光束激发式逻辑放大电路,串接而在光束激发式逻辑放大电路与驱动电路之间的逻辑保护射极耦合式放大电路,以及串接在驱动电路与逻辑保护射极耦合式放大电路之间的恒流保护电路组成。进一步的,所述的恒流保护电路由保护芯片U1,三极管Q7,三极管Q8,串接在保护芯片Ul的COMP管脚与VREF管脚之间的二极管D8,P极与保护芯片Ul的RT管脚相连接、N极则经电阻R31后与保护芯片Ul的FB管脚相连接的二极管D7,一端与保护芯片Ul的CS管脚相连接、另一端接地的电阻R32,一端与保护芯片Ul的DVR管脚相连接、另一端则与三极管Q7的基极相连接的电阻R33,一端与三极管Q7的集电极相连接、另一端则经电阻R36后与三极管Q8的集电极相连接的电阻R35,一端与三极管Q8的发射极相连接、另一端接地的电阻R34,以及正极与三极管Q8的发射极相连接、负极则与逻辑保护射极耦合式放大电路相连接的极性电容C20组成;所述二极管D7的N极与驱动电路相连接;三极管Q8的基极与电阻R36和电阻R35的连接点相连接,而三极管Q7的发射极接地;所述保护芯片Ul的VREF管脚与其VCC管脚相连接、其GND管脚接地。所述光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器P1,与非门IC1,与非门IC2,与非门IC3,负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管D2后接地的极性电容C13,一端与极性电容C13的正极相连接、另一端经二极管D3后接地的电阻R17,正极与电阻R17和二极管D3的连接点相连接、负极接地的极性电容C15,一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Pl的正极输入端相连接的电阻R18,串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R19,一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R20,正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C14,以及一端与极性电容C15的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R21组成;所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接,其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接,与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接,极性电容C13的正极与射极耦合式非对称触发电路相连接;所述逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q5,三极管Q6,功率放大器P2,功率放大器P3,串接在功率放大器P2的负极输入端与输出端之间的电阻R23,串接在功率放大器P3的正极输入端与输出端之间的极性电容C18,串接在功率放大器P2的正极输入端与三极管Q5的集电极之间的电阻R22,串接在三极管Q5的集电极与三极管Q6的基极之间的电阻R24,与电阻R24相并联的电容C17,负极与功率放大器P2的正极输入端相连接、正极经电阻R25后与三极管Q5的发射极相连接的极性电容C16,串接在三极管Q6的基极与极性电容C16的正极之间的电阻R26,正极与三极管Q6的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D4和电阻R27后与功率放大器P2的输出端相连接的电容C19,P极与功率放大器P3的输出端相连接、N极经电阻R29和电阻R28后与稳压二极管D4与电阻R27的连接点相连接的二极管D5以及P极与电容C19的负极相连接、N极与二极管D5与电阻R29的连接点相连接的稳压二极管D6组成;所述三极管Q5的基极与极性电容C16的正极相连接,其发射极与三极管Q6的发射极相连接,其集电极与功率放大器P2的负极输入端相连接;三极管Q5的集电极与功率放大器P3的负极输入端相连接,功率放大器P3的正极输入端与功率放大器P2的输出端相连接;所述极性电容C16的正极则极性电容C20的负极相连接,而电阻R29与电阻R28的连接点与与非门IC3的输出端相连接。所述精密反向电流源电路由LMC6062型运算放大器P,一端与LMC6062型运算放大器P的负极输入端相连接、另一端经电流源S后与LMC6062型运算放大器P的正极输入端相连接的电阻R15,一端与LMC6062型运算放大器P的负极输入端相连接、另一端经LM4431电压参考电路后与LMC6062型运算放大器P的输出端相连接的电阻R30,以及串接在LMC6062型运算放大器P的正极输入端与输出端之间的电阻R16组成;其中,电阻R30和LM4431电压参考电路的连接点与处理电路的输入端相连接,而LMC6062型运算放大器P的输出端则与驱动电路的输入端相连接。所述射极耦合式非对称触发电路主要由射极耦合式非对称电路,以及与其输出端相连接的无源π型滤波电路组成;其中,所述射极耦合式非对称电路由三极管Q1,三极管Q2,三极管Q3,串接在三极管Q2的发射极与三极管Q3的基极之间的一级滤波电路,串接在三极管Q3的集电极与二极管Q2的集电极之间的电阻R7,串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R3,串接在三极管Ql的发射极与无源π型滤波电路之间的二级滤波电路,串接在三极管Ql的基极与无源π型滤波电路之间的三级滤波器,以及串接在三极管Ql的基极与无源π型滤波电路之间的电阻R2和串接在三极管Q3的基极与无源型滤波电路之间的电阻R6组成;所述三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极相连接,其集电极与无源π型滤波电路相连接,所述三极管Q2的发射极与三极管Q3的发射极均接地。所述无源型滤波电路由电容Cl、电容C2,以及串接在电容Cl的正极与电容C2的正极之间的电阻R8组成;所述三极管Q2的集电极则与电容C2的正极相连接,所述极性电容C13的正极与电容Cl的正极相连接。所述驱动电路由高速驱动芯片K,三极管Q4,一端与高速驱动芯片K的FX管脚相连接、另一端与三极管Ql的基极相连接的电阻R12,一端与高速驱动芯片K的Fl管脚相连接、另一端经电容Cll后与高速驱动芯片K的FC管脚相连接的电阻R13,以及一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端经极性电容C12后与高速驱动芯片K的BE管脚相连接的电阻R14组成;所述三极管Q4的集电极接地,且所述的图像传感器则直接与高速驱动芯片K本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于恒流保护的耦合式反向电流源图形处理系统,其由图像传感器,与该图像传感器相连接的驱动电路,与驱动电路相连接的处理电路,与处理电路相连接的射极耦合式非对称触发电路,串接在驱动电路与处理电路之间的精密反向电流源电路,串接在射极耦合式非对称触发电路与驱动电路之间的光束激发式逻辑放大电路,以及串接而在光束激发式逻辑放大电路与驱动电路之间的逻辑保护射极耦合式放大电路组成;其特征在于,在驱动电路与逻辑保护射极耦合式放大电路之间还串接有恒流保护电路;所述的恒流保护电路由保护芯片U1,三极管Q7,三极管Q8,串接在保护芯片U1的COMP管脚与VREF管脚之间的二极管D8,P极与保护芯片U1的RT管脚相连接、N极则经电阻R31后与保护芯片U1的FB管脚相连接的二极管D7,一端与保护芯片U1的CS管脚相连接、另一端接地的电阻R32,一端与保护芯片U1的DVR管脚相连接、另一端则与三极管Q7的基极相连接的电阻R33,一端与三极管Q7的集电极相连接、另一端则经电阻R36后与三极管Q8的集电极相连接的电阻R35,一端与三极管Q8的发射极相连接、另一端接地的电阻R34,以及正极与三极管Q8的发射极相连接、负极则与逻辑保护射极耦合式放大电路相连接的极性电容C20组成;所述二极管D7的N极与驱动电路相连接;三极管Q8的基极与电阻R36和电阻R35的连接点相连接,而三极管Q7的发射极接地;所述保护芯片U1的VREF管脚与其VCC管脚相连接、其GND管脚接地。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:周云扬
申请(专利权)人:成都冠深科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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