一种逆F类功放匹配电路制造技术

本发明专利技术涉及一种逆F类功放匹配电路。F类射频功率放大器的关键在于其匹配电路，针对传统LC输出匹配电路的二阶阻抗不为零的非理想特性，本发明专利技术提出一种改进的输出LC 匹配电路,以及适合逆Ｆ类功放的匹配电路,本发明专利技术可广泛应用于需要逆Ｆ类功放系统中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及逆F类功放匹配电路，特别是一种逆F类功率放大器匹配电路。属于电子及通信领域。
技术介绍
随着微波毫米波通信、雷达等系统的发展，尤其是移动手持式无线通信终端、卫星移动通信终端、军用与民用多模多路通信系统终端的发展，对系统中器件的要求越发苛刻。传统的射频功率放大器多基于砷化镓工艺，但由于与传统硅工艺不兼容，其成本较高.近年来，与硅工艺兼容的异质结双极型锗硅工艺得到越来越多的研宄和应用，尽管非线性功率放大器的线性度不够好，但仍在功放设计中占有重要的地位，而且特别适合应用于比如高斯频移键控对线性度要求不高的非线性调制系统中。逆F类非线性功放的核心在于其匹配电路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种利用集总元件结构、具有对不同谐波相匹配的功能；结构简单、稳定敏感性小、较宽带宽、体积小、稳定性高的功率放大器匹配电路。实现本专利技术的目的技术方案是:一种逆F类功放匹配电路，包括输入端口(Portl)、输出端口(Port2)、三个LC谐振单元、一个电感、一个电容、一个电阻；端口 I与LlCl谐振单元的一端相连接，LlCl谐振单元的另一端与L2C2谐振单元的一端相连接；L2C2谐振单元的另与端口 2相连接；电阻R的一端与端口 2相连接，另一端与地相连接；电感L的一端与端口 2相连接；另一端与L3C3谐振单元相连接；L3C3谐振单元另一端与电容C的一端相连接，电容C的另一端与地相连接；输入端口(Portl)和输出端口(Port2)均接50欧姆阻抗；此匹配电路主要应用于逆F类功率放大器之中，输入端口(Portl)、输出端口(Port2)、中间单元均为集总元件结构，采用集总元件实现。与现有技术相比，由于本专利技术采用集总元件构成，所带来的显著优点是:(I)对不同谐波匹配；(2)带宽可调；(3)温度敏感性低；(4)体积小；(5)稳定性高；可适用于各种逆F类功率放大器系统中。【附图说明】图1是本专利技术一种逆F类功放匹配电路结构示意图。图2是本专利技术一种逆F类功放匹配电路的参数Sll参数特性。图3是本专利技术一种逆F类功放匹配电路的参数S21参数特性。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术作进一步详细描述。结合图1，本专利技术是一种逆F类功放匹配电路，在此选取一定波段的匹配电路作为实例，进行描述。该新型逆F类功放匹配电路，包括输入端口(Portl)、输出端口(Port2)、三个LC谐振单元、一个电感、一个电容、一个电阻；端口 I与LlCl谐振单元的一端相连接，LlCl谐振单元的另一端与L2C2谐振单元的一端相连接；L2C2谐振单元的另与端口 2相连接；电阻R的一端与端口 2相连接，另一端与地相连接；电感L的一端与端口 2相连接；另一端与L3C3谐振单元相连接；L3C3谐振单元另一端与电容C的一端相连接，电容C的另一端与地相连接；输入端口(Portl)和输出端口(Port2)均接50欧姆阻抗；此匹配电路主要应用于逆F类功率放大器之中，输入端口( Port I)、输出端口( Port2 )、中间单元均为集总元件结构，采用集总元件实现。结合图2，图3，选取图1所示网络的结果作为说明，此时所实现的电路符合逆F类功率放大的要求。结合图1，本专利技术逆F类功率放大器匹配电路，其工作原理简述如下:逆F类功放匹配电路的基本模型是一个具有谐波匹配效应的带通滤波器，当输入的信号经过端口Portl进入电路，通过输入匹配进入主电路，可以根据需要的谐波匹配大小来设定，这体现出本专利技术的优势之一。信号再通过输出匹配，输出到端口 Port2，从而实现匹配功能。本专利技术逆F类功放匹配电路中主要采用集总元件实现，加工简单，稳定性好，可靠性尚°本专利技术逆F类功放匹配电路，主要应用于逆F类功率放大电路当中，优于同类产品，表现出极好的性能。【主权项】1.一种逆F类功放匹配电路，其特征在于:包括输入端口(Portl)、输出端口(Port2)、三个LC谐振单元、一个电感、一个电容、一个电阻；端口 I与LlCl谐振单元的一端相连接，LlCl谐振单元的另一端与L2C2谐振单元的一端相连接；L2C2谐振单元的另与端口 2相连接；电阻R的一端与端口 2相连接，另一端与地相连接；电感L的一端与端口 2相连接；另一端与L3C3谐振单元相连接；L3C3谐振单元另一端与电容C的一端相连接，电容C的另一端与地相连接；输入端口(Portl)和输出端口(Port2)均接50欧姆阻抗；此匹配电路主要应用于逆F类功率放大器之中，输入端口( Port I)、输出端口( Port2 )、中间单元均为集总元件结构，采用集总元件实现。【专利摘要】本专利技术涉及一种逆F类功放匹配电路。F类射频功率放大器的关键在于其匹配电路，针对传统LC输出匹配电路的二阶阻抗不为零的非理想特性，本专利技术提出一种改进的输出LC 匹配电路,以及适合逆Ｆ类功放的匹配电路,本专利技术可广泛应用于需要逆Ｆ类功放系统中。【IPC分类】H03F1/30, H03F3/20【公开号】CN104901636【申请号】CN201510322619【专利技术人】徐园园 【申请人】徐园园【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年6月14日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆F类功放匹配电路，其特征在于：包括输入端口（Port1）、输出端口（Port2）、三个LC谐振单元、一个电感、一个电容、一个电阻；端口１与 L1C1谐振单元的一端相连接，L1C1谐振单元的另一端与L2C2谐振单元的一端相连接；L2C2谐振单元的另与端口2相连接；电阻Ｒ的一端与端口2相连接，另一端与地相连接；电感L的一端与端口２相连接；另一端与L3C3谐振单元相连接；L3C3谐振单元另一端与电容C的一端相连接，电容C的另一端与地相连接；输入端口（Port1）和输出端口（Port2）均接50 欧姆阻抗；此匹配电路主要应用于逆F类功率放大器之中，输入端口（Port1）、输出端口（Port2）、中间单元均为集总元件结构，采用集总元件实现。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐园园，
申请(专利权)人：徐园园，
类型：发明
国别省市：安徽;34