【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在具有电离辐射的区域中运行的集成电路、尤其是微控制器。本专利技术另外还涉及一种用于在具有电离辐射的区域中、尤其是在核区域中运行的危险报警器。该危险报警器具有至少一个用于探测至少一个危险参量的探测单元、用于输出报警信号的至少一个集成电路以及其他电气器件。最后本专利技术涉及一种用于确定由作用在集成电路上的电离辐射所造成的集成电路的损坏信息的方法。
技术介绍
也被简称为IC(Integrated Circuit)的集成电路是在半导体衬底或在半导体芯片上所设置的电子电路。因此其也被称作固体电路或单片电路。这种集成电路典型地具有多个相互连接的电子器件。用于制造该集成电路的半导体材料优选地是硅。也可以替代地是锗、砷化镓、碳化硅或其他合适的半导体材料。优选地,为了在技术上实现集成电路的的半导体器件而采用了CMOS半导体工艺(CMOS表示互补金属氧化物半导体)。也可以替代地采用PMOS或NMOS半导体工艺、双极半导体工艺或其组合,比如BiCMOS半导体工艺。危险报警器比如是火灾报警器,比如光学烟雾报警器或热报警器。光学烟雾报警器比如可以基于散射光原理或基于声光原理。如果该危险报警器是热报警器,那么就比如借助依赖于温度的电阻来检测当前存在于该热报警器的环境中的温度。所考虑的危险报警器也可以是烟雾气体报警器,其具有气体传感器来作为探测单元,比如气体FET(FET表示场效应晶体管)。另外,该危险报警器也可以是移动报警器,其具有用于移动探测的PIR探测单元(PIR表示被动红外)。所考虑的危险报警器也可以具有前 ...
【技术保护点】
用于在具有电离辐射的区域(NUC)中运行的集成电路,其具有温度调节电路的至少一部分以用于通过以下方式将电路温度(T)调节提高到预先给定的、基本恒定的运行温度值(TS)上,即将所述电路的电功率消耗(PV)提高了可调的附加电功率(PH),并具有输出所述集成电路的由对其作用的电离辐射所导致的损坏信息(DEG)的能力,其中所述损坏信息(DEG)可以根据与辐射剂量有关的可调的附加电功率(PH)的下降来确定。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.10 DE 102012218486.4;2012.10.18 US 13/65501.用于在具有电离辐射的区域(NUC)中运行的集成电路,其具有温度调节电路的至少一部分以用于通过以下方式将电路温度(T)调节提高到预先给定的、基本恒定的运行温度值(TS)上,即将所述电路的电功率消耗(PV)提高了可调的附加电功率(PH),并具有输出所述集成电路的由对其作用的电离辐射所导致的损坏信息(DEG)的能力,其中所述损坏信息(DEG)可以根据与辐射剂量有关的可调的附加电功率(PH)的下降来确定。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述预先给定的、基本恒定的运行温度值(TS)处于70?C至所述集成电路制造商所指定的最大运行温度值的范围内,其中所述集成电路尤其是针对扩大的温度范围或针对高温范围来设计。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路,其中所述电路具有半导体芯片(S)和芯片壳体,并且其中在所述半导体芯片(S)上和/或在所述芯片壳体中应用至少一个电加热元件以用于加热所述集成电路。
4.根据前述权利要求之一所述的集成电路,其中所述集成电路具有半导体芯片(S),其中在所述半导体芯片(S)上集成有温度传感器(21)、尤其是pn二极管,以用于检测电路温度(T),并且其中所述温度传感器(21)是温度调节电路的部分。
5.根据前述权利要求之一所述的集成电路,其中所述集成电路是尤其以CMOS技术来制造的微控制器、微处理器、FPGA或ASIC。
6.根据权利要求5所述的集成电路,其中所述电路是处理器辅助电路,并且其中温度调节电路的至少一部分作为计算机程序(TC-PRG)来实现,所述计算机程序在所述集成的处理器辅助电路上被执行。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其中所述处理器辅助电路具有模拟/数字变换器(27),以用于检测由所述温度传感器(21)输出的、与所述电路温度(T)相关的电测量变量,并且其中相应的数字值通过所述处理器辅助电路来进一步处理以用于温度调节。
8.根据权利要求6或7所述的集成电路,其中所述集成的处理器辅助电路是微控制器,其中在所述微控制器上执行的用于温度调节的计算机程序(TC-PRG)具有合适的程序步骤和/或控制合适的损耗功率控制程序(PV-PRG),以便对所述微控制器的内部功能组件、如计时器、存储器、时钟发生器、硬件乘法器、DMA、看门狗、串行接口、比较器、DAC以及模拟或数字输出端进行控制或暂时接通,使得能够调节所需电功率消耗(PV)以用于将所述微控制器温度调节到所述运行温度值(TS)上。
9.根据权利要求8所述的集成电路,其中通过所述温度调节程序(TC-PRG)来控制和/或接通所述内部功能组件,使得在所述半导体芯片(S)上所形成的损耗热量大面积地尽可能均匀地进行。
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【专利技术属性】
技术研发人员:H埃贝佐尔德,
申请(专利权)人:西门子瑞士有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士;CH
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