【技术实现步骤摘要】
【专利说明】利用光纤激光器的激光尖峰退火对于相关申请的交叉引用基于在35 U.S.C 119(e)，本申请要求于2013年12月24日提交的美国临时专利申请N0.61/920，655的优先权权益，该临时专利申请在此通过引用并入本文。
本公开涉及激光尖峰退火，并且尤其涉及利用光纤激光器进行的激光尖峰退火。本公开中提及的任何出版物以及专利文件的全部公开在此通过引用并入。
技术介绍
使用扫描激光束的激光退火提供了如下优点:极低的热预算、高掺杂活化(high-doped activat1n)以及超突变结(Super-abrupt junct1ns)，这些优点对于高级半导体器件的制造是有利的。因此，对于大多数最小特征尺寸小于45纳米的逻辑器件及许多最小特征尺寸小于32纳米的存储器器件而言，现今在其若干制造步骤中的一个使用某些形式的激光处理，包括源极一漏极活化(Source-drain activat1n)、金属-娃合金的形成及缺陷退火(Defect annealing)等。一种形式的激光退火使用脉冲激光器。脉冲激光退火的示例可参见W02001/071787A1、美国专利...
【技术保护点】
一种对晶片表面执行激光尖峰退火的方法，包括：利用多个光纤激光器系统产生相应的连续波CW输出辐射束，所述连续波CW输出辐射束部分地重叠于所述晶片表面以形成具有长轴及沿所述长轴的长度LA的长型退火图像；加热所述晶片的至少一个区域至预退火温度TPA从而界定预热区域；以及在所述晶片表面及至少部分地在所述预热区域内在基本垂直所述长轴的方向上扫描所述长型退火图像，使得所述长型退火图像的停留时间tD在30纳秒≤tD≤10毫秒的范围之内并且将所述晶片表面的温度升至退火温度TA。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。