用于沿选择的界面分离至少两个衬底的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构(S)包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在用于电子、光学、光电、及/或光伏应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施。本方法的特征在于其包含以下步骤，包括：界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏存在于所述界面(I1)处的硅氧烷(Si-O-Si)键的液体的共同作用敏感；在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能比在所述刃的插入区域的其它界面的断裂能低，因此使得能够沿着选择的界面(I1)在损坏的区域(R1)开始所述衬底(S1，S2)的分开；以及液体施加在所述分开的衬底(S1，S2)之间的空间中，同时所述刃保持插入，从而通过应力腐蚀减小选择的界面(I1)的断裂能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沿选择的界面分离至少两个衬底的方法
本专利技术涉及到一种用于分离包含两个组合衬底的结构的工艺，该两个衬底中至少一个衬底是意在用于电子、光学、光电及/或光伏应用，该分离沿着在该结构中存在的一个界面进行，该界面被称作分离界面。
技术介绍
这种结构的一个特别的例子是可分离结构，其中分离界面是通过分子粘附力结合的实施所沿的界面。表述“分子粘附力结合”意为，利用粘附力(主要是范德华力)，并且不使用粘合层，通过两个衬底的表面的紧密接触而结合。不希望受限于此，然而可以认为可分离结构主要可以使用在四种不同的用途：a)机械加固物的结合：为了防止在某些制造步骤中损坏或破坏弱衬底或薄层，可能需要在弱衬底或薄层上结合机械加固物，然后当加固物的存在不再需要时，能够去除这种机械加固物。b)矫正不良结合：为了提高制造工艺的盈利率并且防止例如不良结合衬底的报废，分离能够使开始时没有正确结合的两个衬底分离，然后在清洁后再次结合。c)临时的保护：在某些存储或运输衬底的步骤中，特别是在塑料盒中，为了避免任何污染的风险，临时地保护衬底的表面是有益的，特别是那些准备随后用于电子部件的制造的衬底。一种简单地解决方案包括结合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在使用于电子、光学、光电、及/或光伏应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施，其特征在于：‑界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏出现在所述界面(I1)处的硅氧烷(Si‑O‑Si)键的液体的共同作用敏感，‑在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.07 FR 12584031.一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在使用于电子应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施，其特征在于：-界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏出现在所述界面(I1)处的硅氧烷(Si-O-Si)键的液体的共同作用敏感，-在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能比在所述刃的插入区域的其它界面的断裂能低，因此使得能够沿着选择的界面(I1)在损坏的区域(R1)开始所述衬底(S1，S2)的分开，然后其中-液体施加在分开的衬底(S1，S2)之间的空间中，同时所述刃保持插入，从而通过应力腐蚀减小选择的界面(I1)的断裂能。2.一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在使用于光学应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施，其特征在于：-界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏出现在所述界面(I1)处的硅氧烷(Si-O-Si)键的液体的共同作用敏感，-在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能比在所述刃的插入区域的其它界面的断裂能低，因此使得能够沿着选择的界面(I1)在损坏的区域(R1)开始所述衬底(S1，S2)的分开，然后其中-液体施加在分开的衬底(S1，S2)之间的空间中，同时所述刃保持插入，从而通过应力腐蚀减小选择的界面(I1)的断裂能。3.一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在使用于光电应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施，其特征在于：-界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏出现在所述界面(I1)处的硅氧烷(Si-O-Si)键的液体的共同作用敏感，-在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能比在所述刃的插入区域的其它界面的断裂能低，因此使得能够沿着选择的界面(I1)在损坏的区域(R1)开始所述衬底(S1，S2)的分开，然后其中-...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·朗德吕，C·菲盖，
申请(专利权)人：SOITEC公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR